Cinética de foto-oxidación del silicio poroso nanoestructurado

Autores
Jimenez, Alejandro; Ruano Sandoval, Gustavo Daniel; Acquaroli, Leandro Nicolás; García Salgado, Godofredo; Ferrón, Julio; Arce, Roberto Delio; Koropecki, Roberto Román
Año de publicación
2014
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Durante la recombinación bimolecular de portadores fotogenerados en silicio poroso nanoestructurado, la energía puede relajar en forma no radiativa a través defluctuaciones de alta energía y corta vida (SLEFs) que provocan movimiento de átomos de hidrógeno presentes en la superficie de los poros, pudiendo incluso exodifundir. Durante estas fluctuaciones se producen además enlaces colgantes que generan estados de defecto, atenuando la luminiscencia del material. La creación de enlaces colgantes, el decaimiento de la fotoluminiscencia y catodoluminiscencia, y la exodifusión de hidrógeno responden a la misma cinética determinada por la existencia de SLEFs. Se muestra que la cinética de foto-oxidación del silicio poroso preparado bajo condiciones de iluminación intensa puede explicarse con un modelo que contempla como factor limitante al cubrimiento superficial con hidrógeno, controlado por SLEFs
During bimolecular recombination of photogenerated chariers, non radiative energy relaxation can occurin nanostructured porous silicon, through short lived-high energy fluctuations (SLEFs). During these fluctuations, hydrogen atoms present in the pore walls are moved, and hydrogen exodiffusion can also occur. Dangling bonds are also created producing defect states in the gap, which attenuates the porous silicon luminescence. The dangling bond creation, photoluminescence and cathodoluminescence dacay and hdrogen exodifussion show the same kinetics, which is determined by SLEFs existence. In this work we show that the kinetics of photo-oxidation of porous silicon prepared under high illumination conditions can be explained with a model which consider, as the limiting factor, the surface coverage with hydrogen, which is ruled by SLEFs
Fil: Jimenez, Alejandro. Universidad Autónoma de Puebla. Centro de Investigación en Dispositivos Semiconductores (ICUAP-CIDS). Puebla. México
Fil: Ruano Sandoval, Gustavo Daniel. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche. Instituto Balseiro (CNEA-CAB). Río Negro. Argentina
Fil: Acquaroli, Leandro Nicolás. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Física del Litoral (IFISE- LITORAL). Santa Fe. Argentina
Fil: García Salgado, Godofredo. Universidad Autónoma de Puebla. Centro de Investigación en Dispositivos Semiconductores (ICUAP-CIDS). Puebla. México
Fil: Ferrón, Julio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Física del Litoral (IFISE- LITORAL). Santa Fe. Argentina
Fil: Arce, Roberto Delio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Física del Litoral (IFISE- LITORAL). Santa Fe. Argentina
Fil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Física del Litoral (IFISE- LITORAL). Santa Fe. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2014;03(25):116-122
Materia
SILICIO POROSO
FOTOOXIDACION
POROUS SILICON
PHOTOOXIDATION
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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During bimolecular recombination of photogenerated chariers, non radiative energy relaxation can occurin nanostructured porous silicon, through short lived-high energy fluctuations (SLEFs). During these fluctuations, hydrogen atoms present in the pore walls are moved, and hydrogen exodiffusion can also occur. Dangling bonds are also created producing defect states in the gap, which attenuates the porous silicon luminescence. The dangling bond creation, photoluminescence and cathodoluminescence dacay and hdrogen exodifussion show the same kinetics, which is determined by SLEFs existence. In this work we show that the kinetics of photo-oxidation of porous silicon prepared under high illumination conditions can be explained with a model which consider, as the limiting factor, the surface coverage with hydrogen, which is ruled by SLEFs
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