Estudio de los defectos en Hg1-xCdTe pre- y post- implantado en el proceso de creación de la juntura n/p

• Autores: Aguirre, Myriam Haydée
• Año de publicación: 2001
• Idioma: español castellano
• Tipo de recurso: tesis doctoral
• Colaborador/a o director/a de tesis: Walsöe de Reca, Noemí Elisabeth; Cánepa, Horacio Ricardo
• Materia: SEMICONDUCTORES HGCDTE; SUPERESTRUCTURAS CUAU I Y CUPT; IMPLANTACION; DISLOCACIONES; RBS; TEM; HGCDTE SEMICONDUCTORS; CUAU I AND CUPT SUPERSTRUCTURES; IMPLANTATION; DISLOCATIONS; RBS; TEM
• Institución: Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales

En este trabajo de tesis se estudiaron los defectos presentes y creados por la implantación en el Hg1-xCdxTe crecido por medio del método de Epitaxia en Fase Vapor en Régimen Isotérmico (ISOVPE). A partir de los estudios de TEM del material sin implantar se detectaron dos nuevas estructuras nunca antes observadas en el HgCdTe, la de CuAu I y CuPt y que se dan sólo para ciertas composiciones de este semiconductor y bajo determinadas condiciones termodinámicas de crecimiento. Se estudió por medio de RBS el material antes y después de implantar con diferentes iones. Por medio de esta técnica se detectaron defectos extendidos en el material implantado. Los estudios RBS en función de la energía del haz de análisis predijeron que dichos defectos se trataban de líneas y lazos de dislocaciones. La utilización de TEM corroboró estas observaciones permitiendo establecer como era el perfil de defectos creados por la implantación iónica de Ar++. La interpretación del perfil de defectos permitió reforzar algunas hipótesis en los modelos de creación de la juntura n/ p en estos semiconductores.
The native and post-implantation defects of Hg1-xCdxTe(MCT) were studied in this Doctoral Thesis. Single crystal MCT was grown by the Isothermal Vapor Phase Epitaxy method (ISOVPE). TEM studies on non-implanted material showed two novel superstructures never observed in MCT before: CuAu I and CuPt types. These superstructures are only generated in particular compositions and under certain thermodynamic conditions. Material was studied by RBS (Rutherford Backscattering Spectrometry) technique before and after implantation with different ions. RBS enabled to detect defects and the studies as a function of beam analysis energy permitted to identify these defects as dislocations line and loops. TEM analysis contributed to verify RBS information making it possible to establish what the defects distribution was in the case of Ar++ implantation. The knowledge and interpretation of this defects distribution allows to reinforce previous hypotheses about n/ p junction behavior.
Fil: Aguirre, Myriam Haydée. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales; Argentina.