Estudio de los defectos en Hg1-xCdTe pre- y post- implantado en el proceso de creación de la juntura n/p - Aguirre, Myriam Haydée (2001)
En este trabajo de tesis se estudiaron los defectos presentes y creados por la implantación en el Hg1-xCdxTe crecido por medio del método de Epitaxia en Fase Vapor en Régimen Isotérmico (ISOVPE). A partir de los estudios de TEM del material sin implantar se detectaron dos nuevas estructuras nunca antes observadas en el HgCdTe, la de CuAu I y CuPt y que se dan sólo para ciertas composiciones de este semiconductor y bajo determinadas condiciones termodinámicas de crecimiento. Se estudió por medio de RBS el material antes y después de implantar con diferentes iones. Por medio de esta técnica se detectaron defectos extendidos en el material implantado. Los estudios RBS en función de la energía del haz de análisis predijeron que dichos defectos se trataban de líneas y lazos de dislocaciones. La utilización de TEM corroboró estas observaciones permitiendo establecer como era el perfil de defectos creados por la implantación iónica de Ar++. La interpretación del perfil de defectos permitió reforzar algunas hipótesis en los modelos de creación de la juntura n/ p en estos semiconductores.