Creación de trampas y estados de interfase en películas delgadas de oxinitruro de silicio en estructuras M.O.S.

Autores
Faigón, Adrián Néstor; Stravoni, A.; Miranda, Enrique A.; Redin, Eduardo Gabriel
Año de publicación
1990
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Se investigó la degradación de películas delgadas de óxido de silicio nitrurado en plasma de amonia, incorporadas como aislante de grilla en estructuras Metal Óxido Semiconductor sometidas a inyección de carga por efecto túnel. Comparando con resultados obtenidos sobre películas de SiO₂ de tecnología standard, se observa una tasa de creación de trampas inferior por un factor 2 y una creación de estados superficiales en la interface con el silicio menor por un orden de magnitud
Fil: Faigón, Adrián Néstor. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de física (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina
Fil: Stravoni, A.. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de física (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina
Fil: Miranda, Enrique A.. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de física (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina
Fil: Redin, Eduardo Gabriel. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de física (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1990;01(02):252-257
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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Acceder
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