Túnel en estructuras aluminio-dióxido de silicio-silicio

Autores
Faigón, Adrián Néstor; Campabadal, Francesca; Miranda, Enrique A.; Redin, Eduardo Gabriel
Año de publicación
1992
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
En este trabajo se presentan las características corriente de túnel-voltaje medidas sobre diodos Aluminio-dióxido de Silicio-Silicio con espesor de dieléctrico desde 25 Å a 70 Å sobre un extendido rango de corriente 10ˉ⁹ < J < 1 Amp/cm², y un sencillo modelo que da cuenta de las mismas. Sus características salientes son el uso de una relación de dispersión k (E) = k₀ constante en la banda prohibida del aislante, y la inclusión de un factor que atenúa la probabilidad de túnel en forma exponencial con la energía medida desde la banda de conducción del aislante. La derivada dlogJ/dV muestra ser una poderosa herramienta para discriminar entre distintos modelos
Fil: Faigón, Adrián Néstor. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina
Fil: Campabadal, Francesca. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina
Fil: Miranda, Enrique A.. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina
Fil: Redin, Eduardo Gabriel. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1992;01(04):263-266
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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