Conductividad no-óhmica en silicio dopado nanocristalino : efecto del campo aplicado
- Autores
- Concari, Sonia Beatriz; Cutrera, Miriam Edith; Buitrago, Román Horacio
- Año de publicación
- 2003
- Idioma
- español castellano
- Tipo de recurso
- artículo
- Estado
- versión publicada
- Descripción
- En este trabajo presentamos los resultados de mediciones de conductividad a oscuras en películas delgadas de silicio nanocristalino dopado con boro, en función del campo eléctrico aplicado. La conductividad se midió variando la temperatura entre 270 K y 450 K, y el campo eléctrico (F) aplicado en el rango 0,1 − 2 x 10⁴ V/cm. Se observaron diferentes comportamientos, óhmico y no-óhmico para distintos rangos del campo. En la región de campos débiles (inferiores a 9 V/cm), la conductividad presenta un decrecimiento con el campo según una función exp[-(F)¹∕⁴ ]. En la región de campos intensos (superiores a 9 x 10² V/cm) la conductividad crece con el campo como ~ exp(F), y en la región intermedia, la conductividad es independiente del campo aplicado
Results of dark conductivity in nanocrystalline silicon thin films doped with boron were studied as a function of the applied field. Conductivity was measured varying the temperature between 270 K and 450 K, and the electric applied field (F) in the range 0,1 - 2 x 10⁴ V/cm. Different behavior was observed, ohmic and non-ohmic, for different ranges of the applied field. In the low field range (lower than 9 V/cm), the conductivity decreases with the increasing filed as a function ~ exp[-(F)¹∕⁴. In the strong field range (above 9 x 10² V/cm) the conductivity grows with the field as exp(F), and for intermediate fields the conductivity is non-field dependent
Fil: Concari, Sonia Beatriz. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ) Santa Fe. Argentina
Fil: Cutrera, Miriam Edith. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ). Santa Fe. Argentina
Fil: Buitrago, Román Horacio. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ). Santa Fe. Argentina - Fuente
- An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2003;01(15):175-178
- Nivel de accesibilidad
- acceso abierto
- Condiciones de uso
- https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
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- Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
- OAI Identificador
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Conductividad no-óhmica en silicio dopado nanocristalino : efecto del campo aplicadoConcari, Sonia BeatrizCutrera, Miriam EdithBuitrago, Román HoracioEn este trabajo presentamos los resultados de mediciones de conductividad a oscuras en películas delgadas de silicio nanocristalino dopado con boro, en función del campo eléctrico aplicado. La conductividad se midió variando la temperatura entre 270 K y 450 K, y el campo eléctrico (F) aplicado en el rango 0,1 − 2 x 10⁴ V/cm. Se observaron diferentes comportamientos, óhmico y no-óhmico para distintos rangos del campo. En la región de campos débiles (inferiores a 9 V/cm), la conductividad presenta un decrecimiento con el campo según una función exp[-(F)¹∕⁴ ]. En la región de campos intensos (superiores a 9 x 10² V/cm) la conductividad crece con el campo como ~ exp(F), y en la región intermedia, la conductividad es independiente del campo aplicadoResults of dark conductivity in nanocrystalline silicon thin films doped with boron were studied as a function of the applied field. Conductivity was measured varying the temperature between 270 K and 450 K, and the electric applied field (F) in the range 0,1 - 2 x 10⁴ V/cm. Different behavior was observed, ohmic and non-ohmic, for different ranges of the applied field. In the low field range (lower than 9 V/cm), the conductivity decreases with the increasing filed as a function ~ exp[-(F)¹∕⁴. In the strong field range (above 9 x 10² V/cm) the conductivity grows with the field as exp(F), and for intermediate fields the conductivity is non-field dependentFil: Concari, Sonia Beatriz. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ) Santa Fe. ArgentinaFil: Cutrera, Miriam Edith. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ). Santa Fe. ArgentinaFil: Buitrago, Román Horacio. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ). Santa Fe. ArgentinaAsociación Física Argentina2003info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v15_n01_p175An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2003;01(15):175-178reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesinstacron:UBA-FCENspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar2025-11-13T08:41:35Zafa:afa_v15_n01_p175Institucionalhttps://digital.bl.fcen.uba.ar/Universidad públicaNo correspondehttps://digital.bl.fcen.uba.ar/cgi-bin/oaiserver.cgiana@bl.fcen.uba.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:18962025-11-13 08:41:36.845Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesfalse |
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En este trabajo presentamos los resultados de mediciones de conductividad a oscuras en películas delgadas de silicio nanocristalino dopado con boro, en función del campo eléctrico aplicado. La conductividad se midió variando la temperatura entre 270 K y 450 K, y el campo eléctrico (F) aplicado en el rango 0,1 − 2 x 10⁴ V/cm. Se observaron diferentes comportamientos, óhmico y no-óhmico para distintos rangos del campo. En la región de campos débiles (inferiores a 9 V/cm), la conductividad presenta un decrecimiento con el campo según una función exp[-(F)¹∕⁴ ]. En la región de campos intensos (superiores a 9 x 10² V/cm) la conductividad crece con el campo como ~ exp(F), y en la región intermedia, la conductividad es independiente del campo aplicado |
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