Crecimiento preferencial de una fase metaestable en láminas de silicio nanocristalino

• Autores: Concari, Sonia Beatriz; Buitrago, Román Horacio
• Año de publicación: 2000
• Idioma: español castellano
• Tipo de recurso: artículo
• Fuente: An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2000;01(12):210-213
• Institución: Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales

La exposición concentrada de un láser de Ar estándar de 514,5 nm de un espectrómetro Raman sobre láminas delgadas de nc-Si, produce una cristalización preferencial tanto de la fase amorfa como de la cristalina. Dicha cristalización da lugar a la fase metaestable XII del silicio (R8), la cual se forma cuando el silicio es sometido a altas presiones (3 - 9 GPa). Los resultados obtenidos con láminas depositadas sobre substratos de vidrio permiten explicar la presencia de la fase R8, la cual estaría producida por la compresión a la que la zona iluminada está sometida por el resto del material al dilatarse por efecto del calentamiento localizado. La intensidad del pico Raman correspondiente a la fase R8 (~353 cmˉ¹) decrece con la fracción de cristalinidad de la lárnina, y dicha fase podría ser parte del material tal como éste fue preparado (VHF-PÉCVD). La presencia de la fase R8 en láminas de nc-Si no ha sido reportada al presente: De acuerdo con los valores obtenidos en nuestras muestras, dicha presencia no afectaría las propiedades optoelectrónicas de las láminas
Concentrate exposure of 514.5 nm Raman spectrometer standard Ar laser on thin nc-Si films produce preferential crystallization of both amorphous and crystalline phase. Such crystallization corresponds to metastable silicon phase XII (R8). This phase appears when silicon is under high pressure (3 – 9 GPa). Results obtained with films deposited on glass substrate explain the presence of R8 phase due to the compression of the laser soaked zone by the material next to the spot. Because of heating, the nearing material would not expand at the same rate that the soaked zone, compressing it. Raman intensity peak of R8 phase (~353 cmˉ¹) decreases with crystalline fraction of the film and such phase would be part of the material as it was prepared (VHF-PECVD). Presence of R8 phase in thin nc-Si films has not been reported at present. According to the values obtained in our samples, presence of this phase would not affect optoelectronic properties of the films
Fil: Concari, Sonia Beatriz. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ). Santa Fe. Argentina
Fil: Buitrago, Román Horacio. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ). Santa Fe. Argentina