Propiedades dieléctricas de volúmen en interfaces de semiconductores dentro de un esquema de ligadura fuerte

Autores
Elvira, Víctor Daniel; Durán, Julio César
Año de publicación
1990
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Como una extensión de un trabajo previo, se utiliza una aproximación de ligadura fuerte para analizar el comportamiento dieléctrico de volúmen e interfaces de semiconductores. En esta oportunidad, se incluyen cálculos con parámetros que tienen en cuenta interacciones hasta segundos vecinos y se proponen diferentes modelos electrostáticos simples para describir la densidad de carga inducida alrededor de los átomos. En particular, se calcula la función dieléctrica para C, Si, Ge, As Ga y AsAl, observándose un acuerdo razonable con cálculos más sofisticados. Asimismo, se obtiene la discontinuidad de banda y el apantallamiento en la interface AsGa- As Al (100), y se correlaciona este apantallamiento con propiedades de ambos semiconductores. Los resultados presentados dan un nuevo respaldo al uso del modelo de ligadura fuerte autoconsistente para el análisis de propiedades dieléctricas de volúmen e interfaces de semiconductores
Fil: Elvira, Víctor Daniel. Comisión Nacional de Energía Atómica. División Energía solar (CNEA). CABA. Argentina
Fil: Durán, Julio César. Comisión Nacional de Energía Atómica. División Energía solar (CNEA). CABA. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1990;01(02):242-246
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
OAI Identificador
afa:afa_v02_n01_p242
Acceder
id BDUBAFCEN_2b49dd4da034aeb21e434a3522286092
oai_identifier_str afa:afa_v02_n01_p242
network_acronym_str BDUBAFCEN
repository_id_str 1896
network_name_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
spelling Propiedades dieléctricas de volúmen en interfaces de semiconductores dentro de un esquema de ligadura fuerteElvira, Víctor DanielDurán, Julio CésarComo una extensión de un trabajo previo, se utiliza una aproximación de ligadura fuerte para analizar el comportamiento dieléctrico de volúmen e interfaces de semiconductores. En esta oportunidad, se incluyen cálculos con parámetros que tienen en cuenta interacciones hasta segundos vecinos y se proponen diferentes modelos electrostáticos simples para describir la densidad de carga inducida alrededor de los átomos. En particular, se calcula la función dieléctrica para C, Si, Ge, As Ga y AsAl, observándose un acuerdo razonable con cálculos más sofisticados. Asimismo, se obtiene la discontinuidad de banda y el apantallamiento en la interface AsGa- As Al (100), y se correlaciona este apantallamiento con propiedades de ambos semiconductores. Los resultados presentados dan un nuevo respaldo al uso del modelo de ligadura fuerte autoconsistente para el análisis de propiedades dieléctricas de volúmen e interfaces de semiconductoresFil: Elvira, Víctor Daniel. Comisión Nacional de Energía Atómica. División Energía solar (CNEA). CABA. ArgentinaFil: Durán, Julio César. Comisión Nacional de Energía Atómica. División Energía solar (CNEA). CABA. ArgentinaAsociación Física Argentina1990info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v02_n01_p242An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1990;01(02):242-246reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesinstacron:UBA-FCENspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar2025-09-29T13:40:31Zafa:afa_v02_n01_p242Institucionalhttps://digital.bl.fcen.uba.ar/Universidad públicaNo correspondehttps://digital.bl.fcen.uba.ar/cgi-bin/oaiserver.cgiana@bl.fcen.uba.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:18962025-09-29 13:40:32.716Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesfalse
dc.title.none.fl_str_mv Propiedades dieléctricas de volúmen en interfaces de semiconductores dentro de un esquema de ligadura fuerte
title Propiedades dieléctricas de volúmen en interfaces de semiconductores dentro de un esquema de ligadura fuerte
spellingShingle Propiedades dieléctricas de volúmen en interfaces de semiconductores dentro de un esquema de ligadura fuerte
Elvira, Víctor Daniel
title_short Propiedades dieléctricas de volúmen en interfaces de semiconductores dentro de un esquema de ligadura fuerte
title_full Propiedades dieléctricas de volúmen en interfaces de semiconductores dentro de un esquema de ligadura fuerte
title_fullStr Propiedades dieléctricas de volúmen en interfaces de semiconductores dentro de un esquema de ligadura fuerte
title_full_unstemmed Propiedades dieléctricas de volúmen en interfaces de semiconductores dentro de un esquema de ligadura fuerte
title_sort Propiedades dieléctricas de volúmen en interfaces de semiconductores dentro de un esquema de ligadura fuerte
dc.creator.none.fl_str_mv Elvira, Víctor Daniel
Durán, Julio César
author Elvira, Víctor Daniel
author_facet Elvira, Víctor Daniel
Durán, Julio César
author_role author
author2 Durán, Julio César
author2_role author
dc.description.none.fl_txt_mv Como una extensión de un trabajo previo, se utiliza una aproximación de ligadura fuerte para analizar el comportamiento dieléctrico de volúmen e interfaces de semiconductores. En esta oportunidad, se incluyen cálculos con parámetros que tienen en cuenta interacciones hasta segundos vecinos y se proponen diferentes modelos electrostáticos simples para describir la densidad de carga inducida alrededor de los átomos. En particular, se calcula la función dieléctrica para C, Si, Ge, As Ga y AsAl, observándose un acuerdo razonable con cálculos más sofisticados. Asimismo, se obtiene la discontinuidad de banda y el apantallamiento en la interface AsGa- As Al (100), y se correlaciona este apantallamiento con propiedades de ambos semiconductores. Los resultados presentados dan un nuevo respaldo al uso del modelo de ligadura fuerte autoconsistente para el análisis de propiedades dieléctricas de volúmen e interfaces de semiconductores
Fil: Elvira, Víctor Daniel. Comisión Nacional de Energía Atómica. División Energía solar (CNEA). CABA. Argentina
Fil: Durán, Julio César. Comisión Nacional de Energía Atómica. División Energía solar (CNEA). CABA. Argentina
description Como una extensión de un trabajo previo, se utiliza una aproximación de ligadura fuerte para analizar el comportamiento dieléctrico de volúmen e interfaces de semiconductores. En esta oportunidad, se incluyen cálculos con parámetros que tienen en cuenta interacciones hasta segundos vecinos y se proponen diferentes modelos electrostáticos simples para describir la densidad de carga inducida alrededor de los átomos. En particular, se calcula la función dieléctrica para C, Si, Ge, As Ga y AsAl, observándose un acuerdo razonable con cálculos más sofisticados. Asimismo, se obtiene la discontinuidad de banda y el apantallamiento en la interface AsGa- As Al (100), y se correlaciona este apantallamiento con propiedades de ambos semiconductores. Los resultados presentados dan un nuevo respaldo al uso del modelo de ligadura fuerte autoconsistente para el análisis de propiedades dieléctricas de volúmen e interfaces de semiconductores
publishDate 1990
dc.date.none.fl_str_mv 1990
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v02_n01_p242
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v02_n01_p242
dc.language.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
dc.source.none.fl_str_mv An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1990;01(02):242-246
reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron:UBA-FCEN
reponame_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
collection Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname_str Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron_str UBA-FCEN
institution UBA-FCEN
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
repository.mail.fl_str_mv ana@bl.fcen.uba.ar
_version_ 1844618687523323904
score 13.070432

Publicaciones similares