Determinación de la orientación del gradiente de campo eléctrico en el semiconductor TiO<SUB>2</SUB>(ta) : Estudio de propiedades estructurales y electrónicas a partir de cálculos...

Autores
Darriba Germán Nicolás
Año de publicación
2004
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
tesis de grado
Estado
versión aceptada
Colaborador/a o director/a de tesis
Rentería, Mario
Pasquevich, Alberto F.
Bibiloni, Aníbal Guillermo
Descripción
El objetivo de este trabajo es la determinación de la magnitud, simetría y orientación del tensor Gradiente de Campo Eléctico (GCE) utilizando la espectroscopía PAC en monocristales con el fin de verificar las aproximaciones de la Teoría de la Funcional Densidad (DFT) y poder validar las propiedades estructurales y electrónicas predichas por los cálculos de estructura electrónica a partir de primeros principios, mediante la utilización del método ´Full-Potential Linearized Augmented Plane Wave´ (FP-LAPW). El estudio de muestras monocristalinas nos permite obtener la orientación del GCE, un observable más a los determinados corrientemente en policristales, para mejorar la confiabilidad de la validación de las aproximaciones.
Licenciado en Física
Universidad Nacional de La Plata
Facultad de Ciencias Exactas
Materia
Ciencias Exactas
Física
Semiconductores
Materia condensada
Estructura de sólidos y líquidos. Cristalografía
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Repositorio
SEDICI (UNLP)
Institución
Universidad Nacional de La Plata
OAI Identificador
oai:sedici.unlp.edu.ar:10915/2113
Acceder
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