Estudio experimental y de cálculos de primeros principios del semiconductor Sc<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> dopado con <SUP>111</SUP>In → <SUP>111</SUP>Cd, <SUP>181</SUP>Hf → <SUP>181<...

Autores
Richard, Diego
Año de publicación
2009
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
tesis de grado
Estado
versión aceptada
Colaborador/a o director/a de tesis
Rentería, Mario
Errico, Leonardo Antonio
Descripción
El presente trabajo pretende contribuir a profundizar el entendimiento de propiedades estructurales, electrónicas y magnéticas en sistemas huésped-impureza, mediante el empleo combinado de estas técnicas experimentales y teóricas aplicadas al estudio del semiconductor Sc2O3 puro y dopado con 111 Cd y 181 Ta, realizando además una comparación con otro modelo más sencillo como el de cargas puntuales (PCM, por sus siglas en inglés). Esta modalidad de trabajo permitirá analizar la aplicabilidad de aproximaciones introducidas en la DFT, y las razones por las que en ciertos casos funcionan los modelos más sencillos. En este trabajo mostramos como cálculos de primeros principios pueden resultar esenciales para una correcta asignación de las interacciones hiperfinas
Licenciado en Física
Universidad Nacional de La Plata
Facultad de Ciencias Exactas
Materia
Ciencias Exactas
Física
Cálculo
semiconductor; impurezas; gradiente de campo eléctrico
Materia condensada
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
Licencia de distribución no exclusiva SEDICI
Repositorio
SEDICI (UNLP)
Institución
Universidad Nacional de La Plata
OAI Identificador
oai:sedici.unlp.edu.ar:10915/2193
Acceder
id SEDICI_0996a046a85094e4f203f5eaaa156550
oai_identifier_str oai:sedici.unlp.edu.ar:10915/2193
network_acronym_str SEDICI
repository_id_str 1329
network_name_str SEDICI (UNLP)
spelling Estudio experimental y de cálculos de primeros principios del semiconductor Sc<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> dopado con <SUP>111</SUP>In → <SUP>111</SUP>Cd, <SUP>181</SUP>Hf → <SUP>181</SUP>Ta y <SUP>44</SUP>Ti → <SUP>44</SUP>ScRichard, DiegoCiencias ExactasFísicaCálculosemiconductor; impurezas; gradiente de campo eléctricoMateria condensadaEl presente trabajo pretende contribuir a profundizar el entendimiento de propiedades estructurales, electrónicas y magnéticas en sistemas huésped-impureza, mediante el empleo combinado de estas técnicas experimentales y teóricas aplicadas al estudio del semiconductor Sc2O3 puro y dopado con 111 Cd y 181 Ta, realizando además una comparación con otro modelo más sencillo como el de cargas puntuales (PCM, por sus siglas en inglés). Esta modalidad de trabajo permitirá analizar la aplicabilidad de aproximaciones introducidas en la DFT, y las razones por las que en ciertos casos funcionan los modelos más sencillos. En este trabajo mostramos como cálculos de primeros principios pueden resultar esenciales para una correcta asignación de las interacciones hiperfinasLicenciado en FísicaUniversidad Nacional de La PlataFacultad de Ciencias ExactasRentería, MarioErrico, Leonardo Antonio2009info:eu-repo/semantics/bachelorThesisinfo:eu-repo/semantics/acceptedVersionTesis de gradohttp://purl.org/coar/resource_type/c_7a1finfo:ar-repo/semantics/tesisDeGradoapplication/pdfhttp://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/2193spainfo:eu-repo/semantics/openAccessLicencia de distribución no exclusiva SEDICIreponame:SEDICI (UNLP)instname:Universidad Nacional de La Platainstacron:UNLP2025-10-15T10:41:23Zoai:sedici.unlp.edu.ar:10915/2193Institucionalhttp://sedici.unlp.edu.ar/Universidad públicaNo correspondehttp://sedici.unlp.edu.ar/oai/snrdalira@sedici.unlp.edu.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:13292025-10-15 10:41:24.247SEDICI (UNLP) - Universidad Nacional de La Platafalse
dc.title.none.fl_str_mv Estudio experimental y de cálculos de primeros principios del semiconductor Sc<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> dopado con <SUP>111</SUP>In → <SUP>111</SUP>Cd, <SUP>181</SUP>Hf → <SUP>181</SUP>Ta y <SUP>44</SUP>Ti → <SUP>44</SUP>Sc
title Estudio experimental y de cálculos de primeros principios del semiconductor Sc<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> dopado con <SUP>111</SUP>In → <SUP>111</SUP>Cd, <SUP>181</SUP>Hf → <SUP>181</SUP>Ta y <SUP>44</SUP>Ti → <SUP>44</SUP>Sc
spellingShingle Estudio experimental y de cálculos de primeros principios del semiconductor Sc<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> dopado con <SUP>111</SUP>In → <SUP>111</SUP>Cd, <SUP>181</SUP>Hf → <SUP>181</SUP>Ta y <SUP>44</SUP>Ti → <SUP>44</SUP>Sc
Richard, Diego
Ciencias Exactas
Física
Cálculo
semiconductor; impurezas; gradiente de campo eléctrico
Materia condensada
title_short Estudio experimental y de cálculos de primeros principios del semiconductor Sc<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> dopado con <SUP>111</SUP>In → <SUP>111</SUP>Cd, <SUP>181</SUP>Hf → <SUP>181</SUP>Ta y <SUP>44</SUP>Ti → <SUP>44</SUP>Sc
title_full Estudio experimental y de cálculos de primeros principios del semiconductor Sc<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> dopado con <SUP>111</SUP>In → <SUP>111</SUP>Cd, <SUP>181</SUP>Hf → <SUP>181</SUP>Ta y <SUP>44</SUP>Ti → <SUP>44</SUP>Sc
title_fullStr Estudio experimental y de cálculos de primeros principios del semiconductor Sc<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> dopado con <SUP>111</SUP>In → <SUP>111</SUP>Cd, <SUP>181</SUP>Hf → <SUP>181</SUP>Ta y <SUP>44</SUP>Ti → <SUP>44</SUP>Sc
title_full_unstemmed Estudio experimental y de cálculos de primeros principios del semiconductor Sc<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> dopado con <SUP>111</SUP>In → <SUP>111</SUP>Cd, <SUP>181</SUP>Hf → <SUP>181</SUP>Ta y <SUP>44</SUP>Ti → <SUP>44</SUP>Sc
title_sort Estudio experimental y de cálculos de primeros principios del semiconductor Sc<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> dopado con <SUP>111</SUP>In → <SUP>111</SUP>Cd, <SUP>181</SUP>Hf → <SUP>181</SUP>Ta y <SUP>44</SUP>Ti → <SUP>44</SUP>Sc
dc.creator.none.fl_str_mv Richard, Diego
author Richard, Diego
author_facet Richard, Diego
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Rentería, Mario
Errico, Leonardo Antonio
dc.subject.none.fl_str_mv Ciencias Exactas
Física
Cálculo
semiconductor; impurezas; gradiente de campo eléctrico
Materia condensada
topic Ciencias Exactas
Física
Cálculo
semiconductor; impurezas; gradiente de campo eléctrico
Materia condensada
dc.description.none.fl_txt_mv El presente trabajo pretende contribuir a profundizar el entendimiento de propiedades estructurales, electrónicas y magnéticas en sistemas huésped-impureza, mediante el empleo combinado de estas técnicas experimentales y teóricas aplicadas al estudio del semiconductor Sc2O3 puro y dopado con 111 Cd y 181 Ta, realizando además una comparación con otro modelo más sencillo como el de cargas puntuales (PCM, por sus siglas en inglés). Esta modalidad de trabajo permitirá analizar la aplicabilidad de aproximaciones introducidas en la DFT, y las razones por las que en ciertos casos funcionan los modelos más sencillos. En este trabajo mostramos como cálculos de primeros principios pueden resultar esenciales para una correcta asignación de las interacciones hiperfinas
Licenciado en Física
Universidad Nacional de La Plata
Facultad de Ciencias Exactas
description El presente trabajo pretende contribuir a profundizar el entendimiento de propiedades estructurales, electrónicas y magnéticas en sistemas huésped-impureza, mediante el empleo combinado de estas técnicas experimentales y teóricas aplicadas al estudio del semiconductor Sc2O3 puro y dopado con 111 Cd y 181 Ta, realizando además una comparación con otro modelo más sencillo como el de cargas puntuales (PCM, por sus siglas en inglés). Esta modalidad de trabajo permitirá analizar la aplicabilidad de aproximaciones introducidas en la DFT, y las razones por las que en ciertos casos funcionan los modelos más sencillos. En este trabajo mostramos como cálculos de primeros principios pueden resultar esenciales para una correcta asignación de las interacciones hiperfinas
publishDate 2009
dc.date.none.fl_str_mv 2009
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
Tesis de grado
http://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f
info:ar-repo/semantics/tesisDeGrado
format bachelorThesis
status_str acceptedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/2193
url http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/2193
dc.language.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
Licencia de distribución no exclusiva SEDICI
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv Licencia de distribución no exclusiva SEDICI
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.source.none.fl_str_mv reponame:SEDICI (UNLP)
instname:Universidad Nacional de La Plata
instacron:UNLP
reponame_str SEDICI (UNLP)
collection SEDICI (UNLP)
instname_str Universidad Nacional de La Plata
instacron_str UNLP
institution UNLP
repository.name.fl_str_mv SEDICI (UNLP) - Universidad Nacional de La Plata
repository.mail.fl_str_mv alira@sedici.unlp.edu.ar
_version_ 1846063828283949056
score 13.22299

Publicaciones similares