Estudio estructural y electrónico de impurezas Ta diluidas en el semiconductor α – Fe2O3: modelización a partir de cálculos ab initio

Autores: Silveira, Andrés Joaquín
Año de publicación: 2015
Idioma: español castellano
Tipo de recurso: tesis de grado
Estado: versión aceptada
Colaborador/a o director/a de tesis: Darriba, Germán Nicolás
Descripción: El presente Trabajo de Diploma tiene dos objetivos centrales, el primero es terminar una formación que comenzó cuando ingresé en la esta facultad. El segundo y no menos importante es realizar un aporte a la construcción de un modelo, mediante cálculos de primeros principios, en particular para sitios de impurezas en óxidos, para así poder explicar de manera correcta el orígen del tensor GCE y así extraer la mayor cantidad de información estructural y electrónica del sólido que el GCE posee. Pretendemos en particular correlacionar el GCE con la geometría de coordinación de la impureza y con la configuración electrónica de la misma. En particular el sistema estudiado es la hematita, α – Fe₂O₃, un óxido con vastas aplicaciones en el campo de la industria (Yokoyama S., 1991; Stepanov, 1991). El estudio de la inclusión de átomos-impurezas en este óxido resulta interesante desde el punto de vista tecnológico aplicado, debido a la posible inclusión de niveles de energía en el gap. Previo al estudio del sistema dopado con 181Ta (α – Fe₂O₃:181 Ta) caracterizaremos el sistema puro. Pretendemos usar como punto de partida resultados experimentales obtenidos de (Darriba, 2009), profundizaremos y completaremos los cálculos con el fin de validar propiedades estructurales y electrónicas, y así aportar al conocimiento en el área de los óxidos con estructura corundum. Determinaremos la magnitud, simetría y orientación del tensor Grandiente de Campo Eléctrico (GCE) en el marco de la Teoría Funcional Densidad (DFT), mediante el método Augmented PlaneWave + local orbitals (APW+lo) con la aproximación Generalized Gradient Approximation (GGA), y lo compararemos con resultados experimentales extraídos de (Darriba, 2009). Calcularemos propiedades estructurales y electrónicas, tales como distancias a primeros vecinos, densidades de estados y densidades de carga, y estudiaremos cómo varían con la inclusión de la impureza.
Licenciado en Física
Universidad Nacional de La Plata
Facultad de Ciencias Exactas
Materia: Física
Óxidos
Hematita
Estructura
Nivel de accesibilidad: acceso abierto
Condiciones de uso: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
Repositorio
Institución: Universidad Nacional de La Plata
OAI Identificador: oai:sedici.unlp.edu.ar:10915/141828

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id	SEDICI_4fb6c67f4a312af36e46c76cc3221b3a
oai_identifier_str	oai:sedici.unlp.edu.ar:10915/141828
network_acronym_str	SEDICI
repository_id_str	1329
network_name_str	SEDICI (UNLP)
spelling	Estudio estructural y electrónico de impurezas Ta diluidas en el semiconductor α – Fe<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>: modelización a partir de cálculos <i>ab initio</i>Silveira, Andrés JoaquínFísicaÓxidosHematitaEstructuraEl presente Trabajo de Diploma tiene dos objetivos centrales, el primero es terminar una formación que comenzó cuando ingresé en la esta facultad. El segundo y no menos importante es realizar un aporte a la construcción de un modelo, mediante cálculos de primeros principios, en particular para sitios de impurezas en óxidos, para así poder explicar de manera correcta el orígen del tensor GCE y así extraer la mayor cantidad de información estructural y electrónica del sólido que el GCE posee. Pretendemos en particular correlacionar el GCE con la geometría de coordinación de la impureza y con la configuración electrónica de la misma. En particular el sistema estudiado es la hematita, α – Fe<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>, un óxido con vastas aplicaciones en el campo de la industria (Yokoyama S., 1991; Stepanov, 1991). El estudio de la inclusión de átomos-impurezas en este óxido resulta interesante desde el punto de vista tecnológico aplicado, debido a la posible inclusión de niveles de energía en el gap. Previo al estudio del sistema dopado con 181Ta (α – Fe<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>:181 Ta) caracterizaremos el sistema puro. Pretendemos usar como punto de partida resultados experimentales obtenidos de (Darriba, 2009), profundizaremos y completaremos los cálculos con el fin de validar propiedades estructurales y electrónicas, y así aportar al conocimiento en el área de los óxidos con estructura corundum. Determinaremos la magnitud, simetría y orientación del tensor Grandiente de Campo Eléctrico (GCE) en el marco de la Teoría Funcional Densidad (DFT), mediante el método Augmented PlaneWave + local orbitals (APW+lo) con la aproximación Generalized Gradient Approximation (GGA), y lo compararemos con resultados experimentales extraídos de (Darriba, 2009). Calcularemos propiedades estructurales y electrónicas, tales como distancias a primeros vecinos, densidades de estados y densidades de carga, y estudiaremos cómo varían con la inclusión de la impureza.Licenciado en FísicaUniversidad Nacional de La PlataFacultad de Ciencias ExactasDarriba, Germán Nicolás2015info:eu-repo/semantics/bachelorThesisinfo:eu-repo/semantics/acceptedVersionTesis de gradohttp://purl.org/coar/resource_type/c_7a1finfo:ar-repo/semantics/tesisDeGradoapplication/pdfhttp://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/141828spainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International (CC BY-NC-SA 4.0)reponame:SEDICI (UNLP)instname:Universidad Nacional de La Platainstacron:UNLP2025-09-29T11:36:14Zoai:sedici.unlp.edu.ar:10915/141828Institucionalhttp://sedici.unlp.edu.ar/Universidad públicaNo correspondehttp://sedici.unlp.edu.ar/oai/snrdalira@sedici.unlp.edu.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:13292025-09-29 11:36:14.458SEDICI (UNLP) - Universidad Nacional de La Platafalse
dc.title.none.fl_str_mv	Estudio estructural y electrónico de impurezas Ta diluidas en el semiconductor α – Fe<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>: modelización a partir de cálculos <i>ab initio</i>
title	Estudio estructural y electrónico de impurezas Ta diluidas en el semiconductor α – Fe<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>: modelización a partir de cálculos <i>ab initio</i>
spellingShingle	Estudio estructural y electrónico de impurezas Ta diluidas en el semiconductor α – Fe<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>: modelización a partir de cálculos <i>ab initio</i> Silveira, Andrés Joaquín Física Óxidos Hematita Estructura
title_short	Estudio estructural y electrónico de impurezas Ta diluidas en el semiconductor α – Fe<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>: modelización a partir de cálculos <i>ab initio</i>
title_full	Estudio estructural y electrónico de impurezas Ta diluidas en el semiconductor α – Fe<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>: modelización a partir de cálculos <i>ab initio</i>
title_fullStr	Estudio estructural y electrónico de impurezas Ta diluidas en el semiconductor α – Fe<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>: modelización a partir de cálculos <i>ab initio</i>
title_full_unstemmed	Estudio estructural y electrónico de impurezas Ta diluidas en el semiconductor α – Fe<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>: modelización a partir de cálculos <i>ab initio</i>
title_sort	Estudio estructural y electrónico de impurezas Ta diluidas en el semiconductor α – Fe<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>: modelización a partir de cálculos <i>ab initio</i>
dc.creator.none.fl_str_mv	Silveira, Andrés Joaquín
author	Silveira, Andrés Joaquín
author_facet	Silveira, Andrés Joaquín
author_role	author
dc.contributor.none.fl_str_mv	Darriba, Germán Nicolás
dc.subject.none.fl_str_mv	Física Óxidos Hematita Estructura
topic	Física Óxidos Hematita Estructura
dc.description.none.fl_txt_mv	El presente Trabajo de Diploma tiene dos objetivos centrales, el primero es terminar una formación que comenzó cuando ingresé en la esta facultad. El segundo y no menos importante es realizar un aporte a la construcción de un modelo, mediante cálculos de primeros principios, en particular para sitios de impurezas en óxidos, para así poder explicar de manera correcta el orígen del tensor GCE y así extraer la mayor cantidad de información estructural y electrónica del sólido que el GCE posee. Pretendemos en particular correlacionar el GCE con la geometría de coordinación de la impureza y con la configuración electrónica de la misma. En particular el sistema estudiado es la hematita, α – Fe<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>, un óxido con vastas aplicaciones en el campo de la industria (Yokoyama S., 1991; Stepanov, 1991). El estudio de la inclusión de átomos-impurezas en este óxido resulta interesante desde el punto de vista tecnológico aplicado, debido a la posible inclusión de niveles de energía en el gap. Previo al estudio del sistema dopado con 181Ta (α – Fe<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>:181 Ta) caracterizaremos el sistema puro. Pretendemos usar como punto de partida resultados experimentales obtenidos de (Darriba, 2009), profundizaremos y completaremos los cálculos con el fin de validar propiedades estructurales y electrónicas, y así aportar al conocimiento en el área de los óxidos con estructura corundum. Determinaremos la magnitud, simetría y orientación del tensor Grandiente de Campo Eléctrico (GCE) en el marco de la Teoría Funcional Densidad (DFT), mediante el método Augmented PlaneWave + local orbitals (APW+lo) con la aproximación Generalized Gradient Approximation (GGA), y lo compararemos con resultados experimentales extraídos de (Darriba, 2009). Calcularemos propiedades estructurales y electrónicas, tales como distancias a primeros vecinos, densidades de estados y densidades de carga, y estudiaremos cómo varían con la inclusión de la impureza. Licenciado en Física Universidad Nacional de La Plata Facultad de Ciencias Exactas
description	El presente Trabajo de Diploma tiene dos objetivos centrales, el primero es terminar una formación que comenzó cuando ingresé en la esta facultad. El segundo y no menos importante es realizar un aporte a la construcción de un modelo, mediante cálculos de primeros principios, en particular para sitios de impurezas en óxidos, para así poder explicar de manera correcta el orígen del tensor GCE y así extraer la mayor cantidad de información estructural y electrónica del sólido que el GCE posee. Pretendemos en particular correlacionar el GCE con la geometría de coordinación de la impureza y con la configuración electrónica de la misma. En particular el sistema estudiado es la hematita, α – Fe<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>, un óxido con vastas aplicaciones en el campo de la industria (Yokoyama S., 1991; Stepanov, 1991). El estudio de la inclusión de átomos-impurezas en este óxido resulta interesante desde el punto de vista tecnológico aplicado, debido a la posible inclusión de niveles de energía en el gap. Previo al estudio del sistema dopado con 181Ta (α – Fe<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>:181 Ta) caracterizaremos el sistema puro. Pretendemos usar como punto de partida resultados experimentales obtenidos de (Darriba, 2009), profundizaremos y completaremos los cálculos con el fin de validar propiedades estructurales y electrónicas, y así aportar al conocimiento en el área de los óxidos con estructura corundum. Determinaremos la magnitud, simetría y orientación del tensor Grandiente de Campo Eléctrico (GCE) en el marco de la Teoría Funcional Densidad (DFT), mediante el método Augmented PlaneWave + local orbitals (APW+lo) con la aproximación Generalized Gradient Approximation (GGA), y lo compararemos con resultados experimentales extraídos de (Darriba, 2009). Calcularemos propiedades estructurales y electrónicas, tales como distancias a primeros vecinos, densidades de estados y densidades de carga, y estudiaremos cómo varían con la inclusión de la impureza.
publishDate	2015
dc.date.none.fl_str_mv	2015
dc.type.none.fl_str_mv	info:eu-repo/semantics/bachelorThesis info:eu-repo/semantics/acceptedVersion Tesis de grado http://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f info:ar-repo/semantics/tesisDeGrado
format	bachelorThesis
status_str	acceptedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv	http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/141828
url	http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/141828
dc.language.none.fl_str_mv	spa
language	spa
dc.rights.none.fl_str_mv	info:eu-repo/semantics/openAccess http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/ Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International (CC BY-NC-SA 4.0)
eu_rights_str_mv	openAccess
rights_invalid_str_mv	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/ Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International (CC BY-NC-SA 4.0)
dc.format.none.fl_str_mv	application/pdf
dc.source.none.fl_str_mv	reponame:SEDICI (UNLP) instname:Universidad Nacional de La Plata instacron:UNLP
reponame_str	SEDICI (UNLP)
collection	SEDICI (UNLP)
instname_str	Universidad Nacional de La Plata
instacron_str	UNLP
institution	UNLP
repository.name.fl_str_mv	SEDICI (UNLP) - Universidad Nacional de La Plata
repository.mail.fl_str_mv	alira@sedici.unlp.edu.ar
_version_	1844616240690102272
score	13.070432

Estudio estructural y electrónico de impurezas Ta diluidas en el semiconductor α – Fe<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>: modelización a partir de cálculos <i>ab initio</i>

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