Estructura electrónica del Cd como impureza en Si

Autores
Caravaca, María de los Ángeles D.; Sferco, S. J.; Passeggi, M. C. G.
Año de publicación
1990
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Se analiza la estructura electrónica del Cd como impureza en Si. Utilizando el método de Huckel extendido, se presentan resultados de clusters para impurezas de Cd en sitios sustitucionales e intersticiales de simetría tetrahédrica. Los niveles profundos obtenidos experimentalmente en el gap del Si pueden explicarse a partir de la geometría sustitucional, siempre que se distorsionen los primeros vecinos del Cd según una relajación que conserve la simetría Td, junto con pequeñas distorsiones trigonales del Cd. Estos resultados son consistentes con la información experimental dada por experiencias de correlaciones angulares perturbadas y mediciones de efecto Hall.
Facultad de Ciencias Exactas
Materia
Física
Estados profundos
Correlación
Cd
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
http://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/
Repositorio
SEDICI (UNLP)
Institución
Universidad Nacional de La Plata
OAI Identificador
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