Estructura electrónica del Cd como impureza en Si

Autores
Caravaca, María de los Ángeles D.; Sferco, S. J.; Passeggi, M. C. G.
Año de publicación
1990
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Se analiza la estructura electrónica del Cd como impureza en Si. Utilizando el método de Huckel extendido, se presentan resultados de clusters para impurezas de Cd en sitios sustitucionales e intersticiales de simetría tetrahédrica. Los niveles profundos obtenidos experimentalmente en el gap del Si pueden explicarse a partir de la geometría sustitucional, siempre que se distorsionen los primeros vecinos del Cd según una relajación que conserve la simetría Td, junto con pequeñas distorsiones trigonales del Cd. Estos resultados son consistentes con la información experimental dada por experiencias de correlaciones angulares perturbadas y mediciones de efecto Hall.
Facultad de Ciencias Exactas
Materia
Física
Estados profundos
Correlación
Cd
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
http://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/
Repositorio
SEDICI (UNLP)
Institución
Universidad Nacional de La Plata
OAI Identificador
oai:sedici.unlp.edu.ar:10915/143091

id SEDICI_ae97812cd5b42b6d3858bee21014fb1e
oai_identifier_str oai:sedici.unlp.edu.ar:10915/143091
network_acronym_str SEDICI
repository_id_str 1329
network_name_str SEDICI (UNLP)
spelling Estructura electrónica del Cd como impureza en SiCaravaca, María de los Ángeles D.Sferco, S. J.Passeggi, M. C. G.FísicaEstados profundosCorrelaciónCdSe analiza la estructura electrónica del Cd como impureza en Si. Utilizando el método de Huckel extendido, se presentan resultados de clusters para impurezas de Cd en sitios sustitucionales e intersticiales de simetría tetrahédrica. Los niveles profundos obtenidos experimentalmente en el gap del Si pueden explicarse a partir de la geometría sustitucional, siempre que se distorsionen los primeros vecinos del Cd según una relajación que conserve la simetría Td, junto con pequeñas distorsiones trigonales del Cd. Estos resultados son consistentes con la información experimental dada por experiencias de correlaciones angulares perturbadas y mediciones de efecto Hall.Facultad de Ciencias Exactas1990info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionArticulohttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdf245-248http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/143091spainfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/1688info:eu-repo/semantics/altIdentifier/issn/0327-358Xinfo:eu-repo/semantics/openAccesshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International (CC BY-NC 4.0)reponame:SEDICI (UNLP)instname:Universidad Nacional de La Platainstacron:UNLP2025-09-29T11:36:33Zoai:sedici.unlp.edu.ar:10915/143091Institucionalhttp://sedici.unlp.edu.ar/Universidad públicaNo correspondehttp://sedici.unlp.edu.ar/oai/snrdalira@sedici.unlp.edu.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:13292025-09-29 11:36:33.55SEDICI (UNLP) - Universidad Nacional de La Platafalse
dc.title.none.fl_str_mv Estructura electrónica del Cd como impureza en Si
title Estructura electrónica del Cd como impureza en Si
spellingShingle Estructura electrónica del Cd como impureza en Si
Caravaca, María de los Ángeles D.
Física
Estados profundos
Correlación
Cd
title_short Estructura electrónica del Cd como impureza en Si
title_full Estructura electrónica del Cd como impureza en Si
title_fullStr Estructura electrónica del Cd como impureza en Si
title_full_unstemmed Estructura electrónica del Cd como impureza en Si
title_sort Estructura electrónica del Cd como impureza en Si
dc.creator.none.fl_str_mv Caravaca, María de los Ángeles D.
Sferco, S. J.
Passeggi, M. C. G.
author Caravaca, María de los Ángeles D.
author_facet Caravaca, María de los Ángeles D.
Sferco, S. J.
Passeggi, M. C. G.
author_role author
author2 Sferco, S. J.
Passeggi, M. C. G.
author2_role author
author
dc.subject.none.fl_str_mv Física
Estados profundos
Correlación
Cd
topic Física
Estados profundos
Correlación
Cd
dc.description.none.fl_txt_mv Se analiza la estructura electrónica del Cd como impureza en Si. Utilizando el método de Huckel extendido, se presentan resultados de clusters para impurezas de Cd en sitios sustitucionales e intersticiales de simetría tetrahédrica. Los niveles profundos obtenidos experimentalmente en el gap del Si pueden explicarse a partir de la geometría sustitucional, siempre que se distorsionen los primeros vecinos del Cd según una relajación que conserve la simetría Td, junto con pequeñas distorsiones trigonales del Cd. Estos resultados son consistentes con la información experimental dada por experiencias de correlaciones angulares perturbadas y mediciones de efecto Hall.
Facultad de Ciencias Exactas
description Se analiza la estructura electrónica del Cd como impureza en Si. Utilizando el método de Huckel extendido, se presentan resultados de clusters para impurezas de Cd en sitios sustitucionales e intersticiales de simetría tetrahédrica. Los niveles profundos obtenidos experimentalmente en el gap del Si pueden explicarse a partir de la geometría sustitucional, siempre que se distorsionen los primeros vecinos del Cd según una relajación que conserve la simetría Td, junto con pequeñas distorsiones trigonales del Cd. Estos resultados son consistentes con la información experimental dada por experiencias de correlaciones angulares perturbadas y mediciones de efecto Hall.
publishDate 1990
dc.date.none.fl_str_mv 1990
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Articulo
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/143091
url http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/143091
dc.language.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.relation.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/1688
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/issn/0327-358X
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
http://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/
Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International (CC BY-NC 4.0)
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv http://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/
Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International (CC BY-NC 4.0)
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
245-248
dc.source.none.fl_str_mv reponame:SEDICI (UNLP)
instname:Universidad Nacional de La Plata
instacron:UNLP
reponame_str SEDICI (UNLP)
collection SEDICI (UNLP)
instname_str Universidad Nacional de La Plata
instacron_str UNLP
institution UNLP
repository.name.fl_str_mv SEDICI (UNLP) - Universidad Nacional de La Plata
repository.mail.fl_str_mv alira@sedici.unlp.edu.ar
_version_ 1844616243308396544
score 13.070432