Estructura electrónica del Cd como impureza en Si

Autores
Caravaca, María de los Angeles; Sferco, Silvano Juan; Passeggi, Mario César Guillermo
Año de publicación
1989
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Se analiza la estructura electrónica del Cd como impureza en Si. Utilizando el método de Huckel extendido, se presentan resultados de clusters para impurezas del Cd en sitios sustitucionales y intersticiales de simetría tetrahédrica. Los niveles profundos obtenidos experimentalmente en el gap del Si pueden explicarse a partir de la geometría sustitucional, siempre que se distorsionen los primeros vecinos del Cd según una relajación que conserve la simetría Td, junto con pequeñas distorsiones trigonales del Cd. Estos resultados no consistentes con la información experimental dadas por experiencias de correlaciones angulares perturbadas y mediciones de efecto Hall
Fil: Caravaca, María de los Angeles. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Departamento de Física (UNLP-FCE). Buenos Aires. Argentina
Fil: Sferco, Silvano Juan. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la industria Química (INTEC)-CONICET. Santa Fe. Argentina
Fil: Passeggi, Mario César Guillermo. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la industria Química (INTEC)-CONICET. Santa Fe. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1989;01(01):245-248
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
OAI Identificador
afa:afa_v01_n01_p245
Acceder
id BDUBAFCEN_3c34f4b84b402b2a426f3705a8ab6963
oai_identifier_str afa:afa_v01_n01_p245
network_acronym_str BDUBAFCEN
repository_id_str 1896
network_name_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
spelling Estructura electrónica del Cd como impureza en SiCaravaca, María de los AngelesSferco, Silvano JuanPasseggi, Mario César GuillermoSe analiza la estructura electrónica del Cd como impureza en Si. Utilizando el método de Huckel extendido, se presentan resultados de clusters para impurezas del Cd en sitios sustitucionales y intersticiales de simetría tetrahédrica. Los niveles profundos obtenidos experimentalmente en el gap del Si pueden explicarse a partir de la geometría sustitucional, siempre que se distorsionen los primeros vecinos del Cd según una relajación que conserve la simetría Td, junto con pequeñas distorsiones trigonales del Cd. Estos resultados no consistentes con la información experimental dadas por experiencias de correlaciones angulares perturbadas y mediciones de efecto HallFil: Caravaca, María de los Angeles. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Departamento de Física (UNLP-FCE). Buenos Aires. ArgentinaFil: Sferco, Silvano Juan. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la industria Química (INTEC)-CONICET. Santa Fe. ArgentinaFil: Passeggi, Mario César Guillermo. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la industria Química (INTEC)-CONICET. Santa Fe. ArgentinaAsociación Física Argentina1989info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p245An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1989;01(01):245-248reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesinstacron:UBA-FCENspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar2025-09-29T13:40:24Zafa:afa_v01_n01_p245Institucionalhttps://digital.bl.fcen.uba.ar/Universidad públicaNo correspondehttps://digital.bl.fcen.uba.ar/cgi-bin/oaiserver.cgiana@bl.fcen.uba.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:18962025-09-29 13:40:25.151Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesfalse
dc.title.none.fl_str_mv Estructura electrónica del Cd como impureza en Si
title Estructura electrónica del Cd como impureza en Si
spellingShingle Estructura electrónica del Cd como impureza en Si
Caravaca, María de los Angeles
title_short Estructura electrónica del Cd como impureza en Si
title_full Estructura electrónica del Cd como impureza en Si
title_fullStr Estructura electrónica del Cd como impureza en Si
title_full_unstemmed Estructura electrónica del Cd como impureza en Si
title_sort Estructura electrónica del Cd como impureza en Si
dc.creator.none.fl_str_mv Caravaca, María de los Angeles
Sferco, Silvano Juan
Passeggi, Mario César Guillermo
author Caravaca, María de los Angeles
author_facet Caravaca, María de los Angeles
Sferco, Silvano Juan
Passeggi, Mario César Guillermo
author_role author
author2 Sferco, Silvano Juan
Passeggi, Mario César Guillermo
author2_role author
author
dc.description.none.fl_txt_mv Se analiza la estructura electrónica del Cd como impureza en Si. Utilizando el método de Huckel extendido, se presentan resultados de clusters para impurezas del Cd en sitios sustitucionales y intersticiales de simetría tetrahédrica. Los niveles profundos obtenidos experimentalmente en el gap del Si pueden explicarse a partir de la geometría sustitucional, siempre que se distorsionen los primeros vecinos del Cd según una relajación que conserve la simetría Td, junto con pequeñas distorsiones trigonales del Cd. Estos resultados no consistentes con la información experimental dadas por experiencias de correlaciones angulares perturbadas y mediciones de efecto Hall
Fil: Caravaca, María de los Angeles. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Departamento de Física (UNLP-FCE). Buenos Aires. Argentina
Fil: Sferco, Silvano Juan. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la industria Química (INTEC)-CONICET. Santa Fe. Argentina
Fil: Passeggi, Mario César Guillermo. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la industria Química (INTEC)-CONICET. Santa Fe. Argentina
description Se analiza la estructura electrónica del Cd como impureza en Si. Utilizando el método de Huckel extendido, se presentan resultados de clusters para impurezas del Cd en sitios sustitucionales y intersticiales de simetría tetrahédrica. Los niveles profundos obtenidos experimentalmente en el gap del Si pueden explicarse a partir de la geometría sustitucional, siempre que se distorsionen los primeros vecinos del Cd según una relajación que conserve la simetría Td, junto con pequeñas distorsiones trigonales del Cd. Estos resultados no consistentes con la información experimental dadas por experiencias de correlaciones angulares perturbadas y mediciones de efecto Hall
publishDate 1989
dc.date.none.fl_str_mv 1989
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p245
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p245
dc.language.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
dc.source.none.fl_str_mv An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1989;01(01):245-248
reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron:UBA-FCEN
reponame_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
collection Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname_str Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron_str UBA-FCEN
institution UBA-FCEN
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
repository.mail.fl_str_mv ana@bl.fcen.uba.ar
_version_ 1844618683729575936
score 13.070432

Publicaciones similares