Estructura electrónica del Cd como impureza en Si

Autores
Caravaca, María de los Angeles; Sferco, Silvano Juan; Passeggi, Mario César Guillermo
Año de publicación
1989
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Se analiza la estructura electrónica del Cd como impureza en Si. Utilizando el método de Huckel extendido, se presentan resultados de clusters para impurezas del Cd en sitios sustitucionales y intersticiales de simetría tetrahédrica. Los niveles profundos obtenidos experimentalmente en el gap del Si pueden explicarse a partir de la geometría sustitucional, siempre que se distorsionen los primeros vecinos del Cd según una relajación que conserve la simetría Td, junto con pequeñas distorsiones trigonales del Cd. Estos resultados no consistentes con la información experimental dadas por experiencias de correlaciones angulares perturbadas y mediciones de efecto Hall
Fil: Caravaca, María de los Angeles. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Departamento de Física (UNLP-FCE). Buenos Aires. Argentina
Fil: Sferco, Silvano Juan. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la industria Química (INTEC)-CONICET. Santa Fe. Argentina
Fil: Passeggi, Mario César Guillermo. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la industria Química (INTEC)-CONICET. Santa Fe. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1989;01(01):245-248
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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