Propiedades estructurales y electrónicas de óxidos semiconductores con impurezas <SUP>181</SUP>Ta/<SUP>111</SUP>Cd diluídas : Estudio experimental y de primeros principios

Autores
Darriba, Germán Nicolás
Año de publicación
2009
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
tesis doctoral
Estado
versión aceptada
Colaborador/a o director/a de tesis
Rentería, Mario
Damonte, Laura Cristina
Peltzer y Blancá, Eitel Leopoldo
Petrilli, Helena Maria
Descripción
Uno de los objetivos de este trabajo es la determinación de la magnitud y simetría del tensor GCE en óxidos semiconductores policristalinos y también la determinación de la orientación en el caso de óxidos monocristalinos, utilizando la espectroscopía PAC, con el fin de chequear las predicciones de estos observables realizadas mediante cálculos ab initio de estructura electrónica en el marco de la DFT. Del buen acuerdo entre teoría y experimento se pretende validar las propiedades estructurales y electrónicas predichas por estos cálculos mediante la utilización del método “Full-Potential Augmented Plane Wave + Local Orbital” (FP-APW+lo). El estudio de estas propiedades constituye el segundo objetivo del trabajo. La determinación experimental del tensor GCE en muestras monocristalinas nos permite obtener la orientación del GCE, un observable adicional a los determinados usualmente en policristales, con el fin de mejorar la confiabilidad de la validación de las predicciones teóricas.
Doctor en Ciencias Exactas, área Física
Universidad Nacional de La Plata
Facultad de Ciencias Exactas
Materia
Ciencias Exactas
óxidos semiconductores; propiedades estructurales y electrónicas
Semiconductores
Física
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
Licencia de distribución no exclusiva SEDICI
Repositorio
SEDICI (UNLP)
Institución
Universidad Nacional de La Plata
OAI Identificador
oai:sedici.unlp.edu.ar:10915/2619
Acceder
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