Estudio experimental y de primeros principios de interacciones hiperfinas dinámicas en óxidos semiconductores dopados con impurezas (<sup>111</sup>In(EC)→)<sup>111</sup>Cd

Autores
Muñoz, Emiliano Luis
Año de publicación
2011
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
tesis doctoral
Estado
versión aceptada
Colaborador/a o director/a de tesis
Rentería, Mario
Petrilli, Helena María
Punte, Graciela María del Carmen
Carbonari, Arturo W.
Descripción
Luego de la introducción, en el Capítulo 2 se presenta la teoría de las Correlaciones Angulares Perturbadas Diferenciales en Tiempo y la técnica PAC. En el Capítulo 3 se describen los modelos utilizados en el análisis de los espectros PAC con presencia de interacciones hiperfinas dinámicas. En el Capítulo 4 se describen los métodos teóricos utilizados en este trabajo para calcular las propiedades estructurales y electrónicas y, en particular, el tensor GCE en el sitio de la impureza. En el Capítulo 5 se detallan las características de los óxidos estudiados y la preparación de las muestras. En el Capítulo 6 se analizan los resultados experimentales obtenidos en cada sistema. En el Capítulo 7 se describen los resultados de los cálculos ab initio obtenidos en cada óxido abordado. En el Capítulo 8 se comparan los resultados experimentales con las predicciones teóricas del GCE, se discuten las propiedades estructurales y electrónicas en cada semiconductor dopado y se elabora un modelo de interacciones hiperfinas dinámicas basado en medidas experimentales y cálculos ab initio. Finalmente, se presentan las conclusiones de esta Tesis.
Doctor en Ciencias Exactas, área Física
Universidad Nacional de La Plata
Facultad de Ciencias Exactas
Materia
Ciencias Exactas
Física
Semiconductores
Cálculos
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
Repositorio
SEDICI (UNLP)
Institución
Universidad Nacional de La Plata
OAI Identificador
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