Nanoscale electronic inhomogeneity in ZrNx thin films growth by reactive sputtering at room temperature
- Autores
- Haberkorn, Nestor Fabian; Basbus, Juan Felipe; Suarez, Sergio Gabriel; Sirena, Martin
- Año de publicación
- 2022
- Idioma
- inglés
- Tipo de recurso
- artículo
- Estado
- versión publicada
- Descripción
- We report on the structural and electrical properties of nanocrystalline zirconium nitride films grown by reactive sputtering on Si (100) substrates at room temperature. The samples were grown with a N2/Ar mixture varying the N2 concentration between 8 and 60% of the total atmosphere. The films are nanocrystalline with the coexistence of conducting and insulator phases. The electrical resistivity evolves from ZrN with a metallic state to an insulating rich nitrogen phase, passing through a semiconductor-like behavior as N2 in the mixture increases. A variable-range-hopping regime describes the temperature dependence of the resistivity for mixtures between 30 and 40%. Reactive mixtures of 50 and 60% of N2 give more insulator films. Beyond these macroscopic properties, the films display inhomogeneity electrical properties at the nanoscale with coexistence regions of different conductivity. The inhomogeneities reduce as nitrogen stoichiometry increases and the films become more insulators. Our results are relevant for applications including conducting electrodes and insulator barriers in tunneling devices.
Fil: Haberkorn, Nestor Fabian. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche; Argentina
Fil: Basbus, Juan Felipe. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche; Argentina
Fil: Suarez, Sergio Gabriel. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro | Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; Argentina
Fil: Sirena, Martin. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche; Argentina - Materia
-
ELECTRICAL CONDUCTIVITY
MICROSTRUCTURE
SPUTTERING
THIN FILMS
ZIRCONIUM NITRIDE - Nivel de accesibilidad
- acceso abierto
- Condiciones de uso
- https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
- Repositorio
- Institución
- Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
- OAI Identificador
- oai:ri.conicet.gov.ar:11336/215165
Ver los metadatos del registro completo
id |
CONICETDig_fdbd1d308e12995e20185b3ae8d0d8a4 |
---|---|
oai_identifier_str |
oai:ri.conicet.gov.ar:11336/215165 |
network_acronym_str |
CONICETDig |
repository_id_str |
3498 |
network_name_str |
CONICET Digital (CONICET) |
spelling |
Nanoscale electronic inhomogeneity in ZrNx thin films growth by reactive sputtering at room temperatureHaberkorn, Nestor FabianBasbus, Juan FelipeSuarez, Sergio GabrielSirena, MartinELECTRICAL CONDUCTIVITYMICROSTRUCTURESPUTTERINGTHIN FILMSZIRCONIUM NITRIDEhttps://purl.org/becyt/ford/1.3https://purl.org/becyt/ford/1We report on the structural and electrical properties of nanocrystalline zirconium nitride films grown by reactive sputtering on Si (100) substrates at room temperature. The samples were grown with a N2/Ar mixture varying the N2 concentration between 8 and 60% of the total atmosphere. The films are nanocrystalline with the coexistence of conducting and insulator phases. The electrical resistivity evolves from ZrN with a metallic state to an insulating rich nitrogen phase, passing through a semiconductor-like behavior as N2 in the mixture increases. A variable-range-hopping regime describes the temperature dependence of the resistivity for mixtures between 30 and 40%. Reactive mixtures of 50 and 60% of N2 give more insulator films. Beyond these macroscopic properties, the films display inhomogeneity electrical properties at the nanoscale with coexistence regions of different conductivity. The inhomogeneities reduce as nitrogen stoichiometry increases and the films become more insulators. Our results are relevant for applications including conducting electrodes and insulator barriers in tunneling devices.Fil: Haberkorn, Nestor Fabian. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche; ArgentinaFil: Basbus, Juan Felipe. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche; ArgentinaFil: Suarez, Sergio Gabriel. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro | Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; ArgentinaFil: Sirena, Martin. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche; ArgentinaSpringer2022-07info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/11336/215165Haberkorn, Nestor Fabian; Basbus, Juan Felipe; Suarez, Sergio Gabriel; Sirena, Martin; Nanoscale electronic inhomogeneity in ZrNx thin films growth by reactive sputtering at room temperature; Springer; Applied Physics A: Materials Science and Processing; 128:; 9; 7-2022; 769-7770947-8396CONICET DigitalCONICETenginfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://link.springer.com/10.1007/s00339-022-05893-3info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1007/s00339-022-05893-3info:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/reponame:CONICET Digital (CONICET)instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas2025-09-29T10:44:04Zoai:ri.conicet.gov.ar:11336/215165instacron:CONICETInstitucionalhttp://ri.conicet.gov.ar/Organismo científico-tecnológicoNo correspondehttp://ri.conicet.gov.ar/oai/requestdasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:34982025-09-29 10:44:05.193CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicasfalse |
dc.title.none.fl_str_mv |
Nanoscale electronic inhomogeneity in ZrNx thin films growth by reactive sputtering at room temperature |
title |
Nanoscale electronic inhomogeneity in ZrNx thin films growth by reactive sputtering at room temperature |
spellingShingle |
Nanoscale electronic inhomogeneity in ZrNx thin films growth by reactive sputtering at room temperature Haberkorn, Nestor Fabian ELECTRICAL CONDUCTIVITY MICROSTRUCTURE SPUTTERING THIN FILMS ZIRCONIUM NITRIDE |
title_short |
Nanoscale electronic inhomogeneity in ZrNx thin films growth by reactive sputtering at room temperature |
title_full |
Nanoscale electronic inhomogeneity in ZrNx thin films growth by reactive sputtering at room temperature |
title_fullStr |
Nanoscale electronic inhomogeneity in ZrNx thin films growth by reactive sputtering at room temperature |
title_full_unstemmed |
Nanoscale electronic inhomogeneity in ZrNx thin films growth by reactive sputtering at room temperature |
title_sort |
Nanoscale electronic inhomogeneity in ZrNx thin films growth by reactive sputtering at room temperature |
dc.creator.none.fl_str_mv |
Haberkorn, Nestor Fabian Basbus, Juan Felipe Suarez, Sergio Gabriel Sirena, Martin |
author |
Haberkorn, Nestor Fabian |
author_facet |
Haberkorn, Nestor Fabian Basbus, Juan Felipe Suarez, Sergio Gabriel Sirena, Martin |
author_role |
author |
author2 |
Basbus, Juan Felipe Suarez, Sergio Gabriel Sirena, Martin |
author2_role |
author author author |
dc.subject.none.fl_str_mv |
ELECTRICAL CONDUCTIVITY MICROSTRUCTURE SPUTTERING THIN FILMS ZIRCONIUM NITRIDE |
topic |
ELECTRICAL CONDUCTIVITY MICROSTRUCTURE SPUTTERING THIN FILMS ZIRCONIUM NITRIDE |
purl_subject.fl_str_mv |
https://purl.org/becyt/ford/1.3 https://purl.org/becyt/ford/1 |
dc.description.none.fl_txt_mv |
We report on the structural and electrical properties of nanocrystalline zirconium nitride films grown by reactive sputtering on Si (100) substrates at room temperature. The samples were grown with a N2/Ar mixture varying the N2 concentration between 8 and 60% of the total atmosphere. The films are nanocrystalline with the coexistence of conducting and insulator phases. The electrical resistivity evolves from ZrN with a metallic state to an insulating rich nitrogen phase, passing through a semiconductor-like behavior as N2 in the mixture increases. A variable-range-hopping regime describes the temperature dependence of the resistivity for mixtures between 30 and 40%. Reactive mixtures of 50 and 60% of N2 give more insulator films. Beyond these macroscopic properties, the films display inhomogeneity electrical properties at the nanoscale with coexistence regions of different conductivity. The inhomogeneities reduce as nitrogen stoichiometry increases and the films become more insulators. Our results are relevant for applications including conducting electrodes and insulator barriers in tunneling devices. Fil: Haberkorn, Nestor Fabian. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche; Argentina Fil: Basbus, Juan Felipe. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche; Argentina Fil: Suarez, Sergio Gabriel. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro | Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; Argentina Fil: Sirena, Martin. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche; Argentina |
description |
We report on the structural and electrical properties of nanocrystalline zirconium nitride films grown by reactive sputtering on Si (100) substrates at room temperature. The samples were grown with a N2/Ar mixture varying the N2 concentration between 8 and 60% of the total atmosphere. The films are nanocrystalline with the coexistence of conducting and insulator phases. The electrical resistivity evolves from ZrN with a metallic state to an insulating rich nitrogen phase, passing through a semiconductor-like behavior as N2 in the mixture increases. A variable-range-hopping regime describes the temperature dependence of the resistivity for mixtures between 30 and 40%. Reactive mixtures of 50 and 60% of N2 give more insulator films. Beyond these macroscopic properties, the films display inhomogeneity electrical properties at the nanoscale with coexistence regions of different conductivity. The inhomogeneities reduce as nitrogen stoichiometry increases and the films become more insulators. Our results are relevant for applications including conducting electrodes and insulator barriers in tunneling devices. |
publishDate |
2022 |
dc.date.none.fl_str_mv |
2022-07 |
dc.type.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 info:ar-repo/semantics/articulo |
format |
article |
status_str |
publishedVersion |
dc.identifier.none.fl_str_mv |
http://hdl.handle.net/11336/215165 Haberkorn, Nestor Fabian; Basbus, Juan Felipe; Suarez, Sergio Gabriel; Sirena, Martin; Nanoscale electronic inhomogeneity in ZrNx thin films growth by reactive sputtering at room temperature; Springer; Applied Physics A: Materials Science and Processing; 128:; 9; 7-2022; 769-777 0947-8396 CONICET Digital CONICET |
url |
http://hdl.handle.net/11336/215165 |
identifier_str_mv |
Haberkorn, Nestor Fabian; Basbus, Juan Felipe; Suarez, Sergio Gabriel; Sirena, Martin; Nanoscale electronic inhomogeneity in ZrNx thin films growth by reactive sputtering at room temperature; Springer; Applied Physics A: Materials Science and Processing; 128:; 9; 7-2022; 769-777 0947-8396 CONICET Digital CONICET |
dc.language.none.fl_str_mv |
eng |
language |
eng |
dc.relation.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://link.springer.com/10.1007/s00339-022-05893-3 info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1007/s00339-022-05893-3 |
dc.rights.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/ |
eu_rights_str_mv |
openAccess |
rights_invalid_str_mv |
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/ |
dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf |
dc.publisher.none.fl_str_mv |
Springer |
publisher.none.fl_str_mv |
Springer |
dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:CONICET Digital (CONICET) instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
reponame_str |
CONICET Digital (CONICET) |
collection |
CONICET Digital (CONICET) |
instname_str |
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
repository.name.fl_str_mv |
CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
repository.mail.fl_str_mv |
dasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.ar |
_version_ |
1844614477357514752 |
score |
13.070432 |