Capas delgadas de SnO₂/Sb₂O₃

Autores
Schujman, S. B.; Saura, V.
Año de publicación
1990
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Numerosos estudios han sido realizados en capas delgadas de SnO₂: Sb preparadas por el método de pulverización pirolítica, debido a las ventajas que presentan en cuanto a su utilización como ventana en dispositivos optoelectrónicos. En general dichos trabajos concuerdan en que, para dopajes con Sb del orden del 20% M, las capas resultan ser amorfas con una alta resistividad eléctrica. Dado que en nuestras muestras ésto no se observa, realizamos un estudio sistemático de propiedades estructurales y de composición química para dopajes desde 0% hasta un 100% M de antimonio
Fil: Schujman, S. B.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche. División Dispositivos Semiconductores(CNEA-CAB). Río Negro. Argentina
Fil: Saura, V.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche. División Dispositivos Semiconductores(CNEA-CAB). Río Negro. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1990;01(02):247-249
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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