Capas delgadas de SnO₂/Sb₂O₃

Autores
Schujman, S. B.; Saura, V.
Año de publicación
1990
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Numerosos estudios han sido realizados en capas delgadas de SnO₂: Sb preparadas por el método de pulverización pirolítica, debido a las ventajas que presentan en cuanto a su utilización como ventana en dispositivos optoelectrónicos. En general dichos trabajos concuerdan en que, para dopajes con Sb del orden del 20% M, las capas resultan ser amorfas con una alta resistividad eléctrica. Dado que en nuestras muestras ésto no se observa, realizamos un estudio sistemático de propiedades estructurales y de composición química para dopajes desde 0% hasta un 100% M de antimonio
Fil: Schujman, S. B.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche. División Dispositivos Semiconductores(CNEA-CAB). Río Negro. Argentina
Fil: Saura, V.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche. División Dispositivos Semiconductores(CNEA-CAB). Río Negro. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1990;01(02):247-249
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
OAI Identificador
afa:afa_v02_n01_p247
Acceder
id BDUBAFCEN_e49c54458dc7e1cff419368eeb97139b
oai_identifier_str afa:afa_v02_n01_p247
network_acronym_str BDUBAFCEN
repository_id_str 1896
network_name_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
spelling Capas delgadas de SnO₂/Sb₂O₃Schujman, S. B.Saura, V.Numerosos estudios han sido realizados en capas delgadas de SnO₂: Sb preparadas por el método de pulverización pirolítica, debido a las ventajas que presentan en cuanto a su utilización como ventana en dispositivos optoelectrónicos. En general dichos trabajos concuerdan en que, para dopajes con Sb del orden del 20% M, las capas resultan ser amorfas con una alta resistividad eléctrica. Dado que en nuestras muestras ésto no se observa, realizamos un estudio sistemático de propiedades estructurales y de composición química para dopajes desde 0% hasta un 100% M de antimonioFil: Schujman, S. B.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche. División Dispositivos Semiconductores(CNEA-CAB). Río Negro. ArgentinaFil: Saura, V.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche. División Dispositivos Semiconductores(CNEA-CAB). Río Negro. ArgentinaAsociación Física Argentina1990info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v02_n01_p247An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1990;01(02):247-249reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesinstacron:UBA-FCENspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar2025-09-29T13:40:24Zafa:afa_v02_n01_p247Institucionalhttps://digital.bl.fcen.uba.ar/Universidad públicaNo correspondehttps://digital.bl.fcen.uba.ar/cgi-bin/oaiserver.cgiana@bl.fcen.uba.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:18962025-09-29 13:40:25.722Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesfalse
dc.title.none.fl_str_mv Capas delgadas de SnO₂/Sb₂O₃
title Capas delgadas de SnO₂/Sb₂O₃
spellingShingle Capas delgadas de SnO₂/Sb₂O₃
Schujman, S. B.
title_short Capas delgadas de SnO₂/Sb₂O₃
title_full Capas delgadas de SnO₂/Sb₂O₃
title_fullStr Capas delgadas de SnO₂/Sb₂O₃
title_full_unstemmed Capas delgadas de SnO₂/Sb₂O₃
title_sort Capas delgadas de SnO₂/Sb₂O₃
dc.creator.none.fl_str_mv Schujman, S. B.
Saura, V.
author Schujman, S. B.
author_facet Schujman, S. B.
Saura, V.
author_role author
author2 Saura, V.
author2_role author
dc.description.none.fl_txt_mv Numerosos estudios han sido realizados en capas delgadas de SnO₂: Sb preparadas por el método de pulverización pirolítica, debido a las ventajas que presentan en cuanto a su utilización como ventana en dispositivos optoelectrónicos. En general dichos trabajos concuerdan en que, para dopajes con Sb del orden del 20% M, las capas resultan ser amorfas con una alta resistividad eléctrica. Dado que en nuestras muestras ésto no se observa, realizamos un estudio sistemático de propiedades estructurales y de composición química para dopajes desde 0% hasta un 100% M de antimonio
Fil: Schujman, S. B.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche. División Dispositivos Semiconductores(CNEA-CAB). Río Negro. Argentina
Fil: Saura, V.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche. División Dispositivos Semiconductores(CNEA-CAB). Río Negro. Argentina
description Numerosos estudios han sido realizados en capas delgadas de SnO₂: Sb preparadas por el método de pulverización pirolítica, debido a las ventajas que presentan en cuanto a su utilización como ventana en dispositivos optoelectrónicos. En general dichos trabajos concuerdan en que, para dopajes con Sb del orden del 20% M, las capas resultan ser amorfas con una alta resistividad eléctrica. Dado que en nuestras muestras ésto no se observa, realizamos un estudio sistemático de propiedades estructurales y de composición química para dopajes desde 0% hasta un 100% M de antimonio
publishDate 1990
dc.date.none.fl_str_mv 1990
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v02_n01_p247
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v02_n01_p247
dc.language.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
dc.source.none.fl_str_mv An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1990;01(02):247-249
reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron:UBA-FCEN
reponame_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
collection Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname_str Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron_str UBA-FCEN
institution UBA-FCEN
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
repository.mail.fl_str_mv ana@bl.fcen.uba.ar
_version_ 1844618684147957760
score 13.070432

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