Propiedades ópticas, eléctricas y estructurales de láminas de ZnO:AI

Autores
Furlani, Mirta Gladis; Buitrago, Román Horacio
Año de publicación
2001
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Se estudiaron las propiedades ópticas, eléctricas y estructurales de láminas de ZnO:Al (óxido de zinc dopado con aluminio), preparadas por la técnica de erosionado catódico de radio frecuencia, depositadas sobre vidrio y utilizando Ar como gas de reacción. Los filmes presentan estructura cristalina hexagonal con crecimiento preferencial en el plano c. El tamaño de grano y la textura superficial dependen de la temperatura del sustrato. Los espectros de difracción de rayos X de las películas delgadas permiten observar un incremento en el tamaño de grano y en la cristalinidad al aumentar la temperatura de deposición, pero la resistividad crece. Se observa lo contrario, es decir la resistividad disminuye, si se incrementa el contenido de Al. Se estudió el efecto de la estequiometría del compuesto incorporando oxígeno al gas de reacción. Los filmes presentan mayor transmisión óptica pero la resistividad aumenta notablemente, esto prueba que el oxígeno satura las vacancias en el ZnO:AI. Para evaluar la calidad optoelectrónica del film, se usó una figura de mérito Y definida como una relación entre la transmitancia óptica aproximada en el rango de longitudes de onda de 400-800 nm y la resistividad, ᴪ = -1/p ln Tᵣ ·
The electro-optical and structural properties of ZnO:Al thin films prepared by R.F. sputtering have been studied. The films present hexagonal crystalline structure with preferential growth in the c plane. Grain size and surface texture depend on substrate temperature. X rays diffraction of the films show an increase of grain size with the temperature but an increase of the resistivity by square. Stoichiometric effects were checked by adding oxygen to the reaction gas. The optical transmissions were improved but resistivities go up. This fact prove that the oxygen fill the vacancies and displace the aluminum in the net. To qualify the quality of the films as a window layers in solar cells a merit figure defined as ᴪ = -1/p lnTᵣ , within the wavelenght range of 400-800 nm, was used
Fil: Furlani, Mirta Gladis. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ) Santa Fe. Argentina
Fil: Buitrago, Román Horacio. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ). Santa Fe. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2001;01(13):209-212
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
OAI Identificador
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The electro-optical and structural properties of ZnO:Al thin films prepared by R.F. sputtering have been studied. The films present hexagonal crystalline structure with preferential growth in the c plane. Grain size and surface texture depend on substrate temperature. X rays diffraction of the films show an increase of grain size with the temperature but an increase of the resistivity by square. Stoichiometric effects were checked by adding oxygen to the reaction gas. The optical transmissions were improved but resistivities go up. This fact prove that the oxygen fill the vacancies and displace the aluminum in the net. To qualify the quality of the films as a window layers in solar cells a merit figure defined as ᴪ = -1/p lnTᵣ , within the wavelenght range of 400-800 nm, was used
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