Cinética de foto-oxidación del silicio poroso nanoestructurado

Autores
Jimenez, A.; Ruano Sandoval, Gustavo Daniel; Acquaroli, Leandro Nicolás; García Salgado, G.; Ferron, Julio; Arce, Roberto Delio; Koropecki, Roberto Roman
Año de publicación
2014
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Durante la recombinación bimolecular de portadores fotogenerados en silicio poroso nanoestructurado, la energía puede relajar en forma no radiativa a través de fluctuaciones de alta energía y corta vida (SLEFs) que provocan movimiento de átomos de hidrógeno presentes en la superficie de los poros, pudiendo incluso exodifundir. Durante estas fluctuaciones se producen además enlaces colgantes que generan estados de defecto, atenuando la luminiscencia del material. La creación de enlaces olgantes, el decaimiento de la fotoluminiscencia y catodoluminiscencia, y la exodifusión de hidrógeno responden a la misma cinética determinada por la existencia de SLEFs. Se muestra que la cinética de foto-oxidación del silicio poroso preparado bajo condiciones de iluminación intensa puede explicarse con un modelo que contempla como factor limitante al cubrimiento superficial con hidrógeno, controlado por SLEFs
During bimolecular recombination of photogenerated chariers, non radiative energy relaxation can occur in nanostructured porous silicon, through short lived-high energy fluctuations (SLEFs). During these fluctuations, hydrogen atoms present in the pore walls are moved, and hydrogen exodiffusion can also occur. Dangling bonds are also created producing defect states in the gap, which attenuates the porous silicon luminescence. The dangling bond creation, photoluminescence and cathodoluminescence dacay and hdrogen exodifussion show the same kinetics, which is determined by SLEFs existence. In this work we show that the kinetics of photo-oxidationof porous silicon prepared under high illumination conditions can be explained with a model which consider, as the limiting factor, the surface coverage with hydrogen, which is ruled by SLEFs
Fil: Jimenez, A.. Universidad Autónoma de Puebla. Centro de Investigación en Dispositivos Semiconductores; México
Fil: Ruano Sandoval, Gustavo Daniel. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Area Investigación y Aplicaciones no Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Balseiro). División Colisiones Atómicas; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Acquaroli, Leandro Nicolás. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Santa Fe. Instituto de Física del Litoral; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: García Salgado, G.. Universidad Autónoma de Puebla. Centro de Investigación en Dispositivos Semiconductores; México
Fil: Ferron, Julio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Santa Fe. Instituto de Física del Litoral; Argentina. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingenieria Quimica. Departamento de Materiales; Argentina
Fil: Arce, Roberto Delio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Santa Fe. Instituto de Física del Litoral; Argentina. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingenieria Quimica. Departamento de Materiales; Argentina
Fil: Koropecki, Roberto Roman. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Santa Fe. Instituto de Física del Litoral; Argentina. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingenieria Quimica. Departamento de Materiales; Argentina
Materia
Foto Oxidación
Silicio Poroso
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
Repositorio
CONICET Digital (CONICET)
Institución
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
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Fil: Jimenez, A.. Universidad Autónoma de Puebla. Centro de Investigación en Dispositivos Semiconductores; México
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