Correcciones culombicas a potenciales de deformación de autovalores de extremo de banda en semiconductores

• Autores: Casali, Ricardo Antonio
• Año de publicación: 1997
• Idioma: español castellano
• Tipo de recurso: artículo
• Fuente: An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1997;01(09):417-421
• Institución: Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales

A partir de cálculos autoconsistentes relativistas, se determinaron los potenciales electrostático y de intercambio y correlación en el átomo. El potencial promedio del cristal se construyó a partir de una superposición de esferas atómicas neutras. La variación de la densidad de carga de los electrones de valencia, se renormalizó con las variaciones de volumen del cristal y se construyeron correcciones a los potenciales de deformación de autovalores en extremos de banda, determinados a partir de cálculos ab-initio de estructura de banda. Este modelo, aplicado a siete compuestos semiconductores del tipo IV y III-V permite una correcta estimación de los potenciales de deformación absolutos de extremo de banda, excepto en carbono estructura diamante.
From selfconsistent relativistic calculations, electrostatics and exchange-correlation potentials in the atom were determined. By a superposition of overlapping atomic spheres, the crystal average potentials were constructed. The valence charge density was renormalized under variation of the cell volume. This method, applied to seven semiconductor compounds of the IV and III-V groups let us to obtain “absolute” extentions to band extrema Deformation Potentials calculated within Ab Initio Pseudopotential and Local Density Functional formalism.
Fil: Casali, Ricardo Antonio. Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ciencias Exactas, Naturales y Agrimensura (UNNE-FACENA). Corrientes. Argentina