Evolución fotoinducida de la luminiscencia en silicio poroso

• Autores: Koropecki, Roberto Román; Arce, Roberto Delio; Schmidt, Javier Alejandro
• Año de publicación: 2003
• Idioma: español castellano
• Tipo de recurso: artículo
• Fuente: An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2003;01(15):185-189
• Institución: Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales

Se reportan cambios en la fotoluminiscencia de muestras de silicio poroso expuestas a la atmósfera e iluminadas con luz azul (λ= 400 nm). Las muestras fueron preparadas por anodizado electroquímico de obleas de silicio. El pico de fotoluminiscencia de las muestras no expuestas se encuentra centrado alrededor de 655 nm. A medida que transcurre el tiempo de exposición de las muestras, este pico disminuye en intensidad, mientras que se desarrolla uno nuevo centrado alrededor de 580 nm. Resultados de absorción IR ponen de manifiesto un fenómeno de oxidación de las muestras. A diferencia de las muestras expuestas a iluminación, las muestras no expuestas poscen una velocidad de oxidación muy inferior, en tanto que sus espectros de fotoluminiscencia no evolucionan. Los resultados son analizados en términos de un modelo microscópico que contempla la presencia de alambres cuánticos, cuyo diámetro se modifica durante la foto-oxidación produciendo cambios en el gap de confinamiento
We report changes in the photoluminescence of porous silicon samples exposed to air and illuminated with blue light (λ= 400 nm). The samples were prepared by electrochemical anodization of crystalline silicon wafers. The photoluminescence peak of the non-exposed sample is centered around 655 nm. As the exposure time increase a new peak centered at 580 nm raises, simultaneously the photoluminescence at 655 nm decreases. IR results for samples exposed under illumination show that oxidation take place. Unlike the light exposed samples, those samples kept in darkness oxidize but at much lower rate while its photoluminescence remains practically unchanged. The results are analyzed in terms of microscopic model based on the presence of quantum wires in the porous silicon. The wires oxidize under illumination, leading to a modification of the confinement gap
Fil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Arce, Roberto Delio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ). Santa Fe. Argentina