Evolución fotoinducida de la luminiscencia de silicio poroso nanoestructurado : influencia de la iluminación durante la preparación

Autores
Spies, Cecilia Andrea; Koropecki, Roberto Román; Gennaro, Ana María; Arce, Roberto Delio; Schmidt, Javier Alejandro
Año de publicación
2005
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
En este trabajo se muestra que el nivel de iluminación utilizado durante la preparación de silicio poroso es un factor clave que determina la posterior evolución fotoinducida de la luminiscencia. La evolución post-preparación es el resultado de la combinación de, al menos, dos efectos. Uno de ellos está gobernado por los cambios de tamaño de la nanoestructura debidos a la foto-oxidación, y predomina en muestras preparadas utilizando niveles de iluminación bajos. Por otro lado, para muestras preparadas con altos niveles de iluminación, la evolución está dominada por un efecto de decaimiento (quenching), que resulta de la generación fotoinducida de enlaces colgantes en la superficie de la nanoestructura, rica en hidrógeno. La cinética de la creación de enlaces colgantes es similar a la encontrada para el efecto Staebler-Wronski en silicio amorfo hidrogenado
In this work we show that the illumination level used during porous silicon preparation is a key factor determining the subsequent photo-induced evolution of the photoluminescence spectra. The post-preparation evolution results from the combination of at least two effects. One of them is ruled by size changes of the silicon nanostructure due to photo-oxidation, and dominates for samples prepared under low illumination levels. On the other hand, for samples prepared under high illumination levels the post-preparation evolution is dominated by a quenching effect, resulting from photoinduced dangling bonds generation in the hydrogen-rich surface of the nanostructure. The kinetics of dangling bond creation is similar to that found in the Staebler-Wronski effect for hydrogenated amorphous silicon
Fil: Spies, Cecilia Andrea. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ) Santa Fe. Argentina
Fil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Gennaro, Ana María. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Arce, Roberto Delio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ) Santa Fe. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2005;01(17):182-186
Materia
SILICIO POROSO
LUMINISCENCIA
CONFINAMIENTO CUANTICO
ESTADO DE DEFECTO
POROUS SILICON
LUMINESCENCE
QUANTUM CONFINEMENT
DEFECT STATE
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
OAI Identificador
afa:afa_v17_n01_p182
Acceder
id BDUBAFCEN_7d79c5e8ec1be197dd261a2d915b27b8
oai_identifier_str afa:afa_v17_n01_p182
network_acronym_str BDUBAFCEN
repository_id_str 1896
network_name_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
spelling Evolución fotoinducida de la luminiscencia de silicio poroso nanoestructurado : influencia de la iluminación durante la preparaciónPhotoinduced evolution of the luminescence of nanostructured porous silicon : influence of the illumination during preparationSpies, Cecilia AndreaKoropecki, Roberto RománGennaro, Ana MaríaArce, Roberto DelioSchmidt, Javier AlejandroSILICIO POROSOLUMINISCENCIACONFINAMIENTO CUANTICOESTADO DE DEFECTOPOROUS SILICONLUMINESCENCEQUANTUM CONFINEMENTDEFECT STATEEn este trabajo se muestra que el nivel de iluminación utilizado durante la preparación de silicio poroso es un factor clave que determina la posterior evolución fotoinducida de la luminiscencia. La evolución post-preparación es el resultado de la combinación de, al menos, dos efectos. Uno de ellos está gobernado por los cambios de tamaño de la nanoestructura debidos a la foto-oxidación, y predomina en muestras preparadas utilizando niveles de iluminación bajos. Por otro lado, para muestras preparadas con altos niveles de iluminación, la evolución está dominada por un efecto de decaimiento (quenching), que resulta de la generación fotoinducida de enlaces colgantes en la superficie de la nanoestructura, rica en hidrógeno. La cinética de la creación de enlaces colgantes es similar a la encontrada para el efecto Staebler-Wronski en silicio amorfo hidrogenadoIn this work we show that the illumination level used during porous silicon preparation is a key factor determining the subsequent photo-induced evolution of the photoluminescence spectra. The post-preparation evolution results from the combination of at least two effects. One of them is ruled by size changes of the silicon nanostructure due to photo-oxidation, and dominates for samples prepared under low illumination levels. On the other hand, for samples prepared under high illumination levels the post-preparation evolution is dominated by a quenching effect, resulting from photoinduced dangling bonds generation in the hydrogen-rich surface of the nanostructure. The kinetics of dangling bond creation is similar to that found in the Staebler-Wronski effect for hydrogenated amorphous siliconFil: Spies, Cecilia Andrea. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ) Santa Fe. ArgentinaFil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaFil: Gennaro, Ana María. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaFil: Arce, Roberto Delio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaFil: Schmidt, Javier Alejandro. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ) Santa Fe. ArgentinaAsociación Física Argentina2005info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v17_n01_p182An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2005;01(17):182-186reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesinstacron:UBA-FCENspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar2025-09-29T13:40:29Zafa:afa_v17_n01_p182Institucionalhttps://digital.bl.fcen.uba.ar/Universidad públicaNo correspondehttps://digital.bl.fcen.uba.ar/cgi-bin/oaiserver.cgiana@bl.fcen.uba.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:18962025-09-29 13:40:30.51Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesfalse
dc.title.none.fl_str_mv Evolución fotoinducida de la luminiscencia de silicio poroso nanoestructurado : influencia de la iluminación durante la preparación
Photoinduced evolution of the luminescence of nanostructured porous silicon : influence of the illumination during preparation
title Evolución fotoinducida de la luminiscencia de silicio poroso nanoestructurado : influencia de la iluminación durante la preparación
spellingShingle Evolución fotoinducida de la luminiscencia de silicio poroso nanoestructurado : influencia de la iluminación durante la preparación
Spies, Cecilia Andrea
SILICIO POROSO
LUMINISCENCIA
CONFINAMIENTO CUANTICO
ESTADO DE DEFECTO
POROUS SILICON
LUMINESCENCE
QUANTUM CONFINEMENT
DEFECT STATE
title_short Evolución fotoinducida de la luminiscencia de silicio poroso nanoestructurado : influencia de la iluminación durante la preparación
title_full Evolución fotoinducida de la luminiscencia de silicio poroso nanoestructurado : influencia de la iluminación durante la preparación
title_fullStr Evolución fotoinducida de la luminiscencia de silicio poroso nanoestructurado : influencia de la iluminación durante la preparación
title_full_unstemmed Evolución fotoinducida de la luminiscencia de silicio poroso nanoestructurado : influencia de la iluminación durante la preparación
title_sort Evolución fotoinducida de la luminiscencia de silicio poroso nanoestructurado : influencia de la iluminación durante la preparación
dc.creator.none.fl_str_mv Spies, Cecilia Andrea
Koropecki, Roberto Román
Gennaro, Ana María
Arce, Roberto Delio
Schmidt, Javier Alejandro
author Spies, Cecilia Andrea
author_facet Spies, Cecilia Andrea
Koropecki, Roberto Román
Gennaro, Ana María
Arce, Roberto Delio
Schmidt, Javier Alejandro
author_role author
author2 Koropecki, Roberto Román
Gennaro, Ana María
Arce, Roberto Delio
Schmidt, Javier Alejandro
author2_role author
author
author
author
dc.subject.none.fl_str_mv SILICIO POROSO
LUMINISCENCIA
CONFINAMIENTO CUANTICO
ESTADO DE DEFECTO
POROUS SILICON
LUMINESCENCE
QUANTUM CONFINEMENT
DEFECT STATE
topic SILICIO POROSO
LUMINISCENCIA
CONFINAMIENTO CUANTICO
ESTADO DE DEFECTO
POROUS SILICON
LUMINESCENCE
QUANTUM CONFINEMENT
DEFECT STATE
dc.description.none.fl_txt_mv En este trabajo se muestra que el nivel de iluminación utilizado durante la preparación de silicio poroso es un factor clave que determina la posterior evolución fotoinducida de la luminiscencia. La evolución post-preparación es el resultado de la combinación de, al menos, dos efectos. Uno de ellos está gobernado por los cambios de tamaño de la nanoestructura debidos a la foto-oxidación, y predomina en muestras preparadas utilizando niveles de iluminación bajos. Por otro lado, para muestras preparadas con altos niveles de iluminación, la evolución está dominada por un efecto de decaimiento (quenching), que resulta de la generación fotoinducida de enlaces colgantes en la superficie de la nanoestructura, rica en hidrógeno. La cinética de la creación de enlaces colgantes es similar a la encontrada para el efecto Staebler-Wronski en silicio amorfo hidrogenado
In this work we show that the illumination level used during porous silicon preparation is a key factor determining the subsequent photo-induced evolution of the photoluminescence spectra. The post-preparation evolution results from the combination of at least two effects. One of them is ruled by size changes of the silicon nanostructure due to photo-oxidation, and dominates for samples prepared under low illumination levels. On the other hand, for samples prepared under high illumination levels the post-preparation evolution is dominated by a quenching effect, resulting from photoinduced dangling bonds generation in the hydrogen-rich surface of the nanostructure. The kinetics of dangling bond creation is similar to that found in the Staebler-Wronski effect for hydrogenated amorphous silicon
Fil: Spies, Cecilia Andrea. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ) Santa Fe. Argentina
Fil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Gennaro, Ana María. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Arce, Roberto Delio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ) Santa Fe. Argentina
description En este trabajo se muestra que el nivel de iluminación utilizado durante la preparación de silicio poroso es un factor clave que determina la posterior evolución fotoinducida de la luminiscencia. La evolución post-preparación es el resultado de la combinación de, al menos, dos efectos. Uno de ellos está gobernado por los cambios de tamaño de la nanoestructura debidos a la foto-oxidación, y predomina en muestras preparadas utilizando niveles de iluminación bajos. Por otro lado, para muestras preparadas con altos niveles de iluminación, la evolución está dominada por un efecto de decaimiento (quenching), que resulta de la generación fotoinducida de enlaces colgantes en la superficie de la nanoestructura, rica en hidrógeno. La cinética de la creación de enlaces colgantes es similar a la encontrada para el efecto Staebler-Wronski en silicio amorfo hidrogenado
publishDate 2005
dc.date.none.fl_str_mv 2005
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v17_n01_p182
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v17_n01_p182
dc.language.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
dc.source.none.fl_str_mv An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2005;01(17):182-186
reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron:UBA-FCEN
reponame_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
collection Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname_str Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron_str UBA-FCEN
institution UBA-FCEN
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
repository.mail.fl_str_mv ana@bl.fcen.uba.ar
_version_ 1844618686553391104
score 13.070432

Publicaciones similares