Fotoluminiscencia y actividad speckle en capas delgadas semiconductoras para optoelectrónica

Autores
Moringo, Luis Ezequiel; Richard, Diego; Vaveliuk, Pablo; Tejerina, Matías Rubén
Año de publicación
2021
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
documento de conferencia
Estado
versión publicada
Descripción
El ZnO y el NiO son semiconductores del grupo II-VI tipo-n y del grupo VII-VI tipo-p, respectivamente. Ambos semiconductores tienen un elevado gap óptico. Los recubrimientos de óxido de zinc dopados o en aleación con metales de transición tiene múltiples aplicaciones como piezoeléctricos, transductores, guías de onda ópticas, electrodos transparentes, celdas solares y diodos1,2. En este trabajo presentamos una caracterización de recubrimientos ZnO/NiO fabricados por sol-gel spray-pyrolysis. Esta técnica consiste en pulverizar una solución que contiene el ion base sobre un sustrato que se mantiene a elevada temperatura (Fig. 1(a)). Si bien el proceso posee algunas dificultades intrínsecas para lograr recubrimientos de baja porosidad (menor al 5 %) por la formación de gotas, el mismo es de especial interés ya que permite escalar el proceso a grandes áreas (>30 cm2) y a bajo costo debido a la simplicidad del montaje y a que puede operar a presión atmosférica. Se obtuvieron capas de considerable porosidad y se correlacionó la actividad speckle con su espesor para distintas composiciones, Además, se caracterizaron empleando las técnicas Difracción de Rayos X, fotoluminiscencia y Transmitancia.
Centro de Tecnología de Recursos Minerales y Cerámica
Centro de Investigaciones Ópticas
Materia
Química
Recubrimientos cerámicos
Nebulización pirolítica
Fotoluminiscencia
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
Repositorio
SEDICI (UNLP)
Institución
Universidad Nacional de La Plata
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