Estudio del crecimiento de películas delgadas de Co sobre Si(100) y SiO<SUB>2</SUB>, así como su interacción con O<SUB>2</SUB>

Autores
Benitez, Guillermo Alfredo
Año de publicación
2001
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
tesis doctoral
Estado
versión aceptada
Colaborador/a o director/a de tesis
Heras, José María
Descripción
El objetivo del presente trabajo es la preparación y caracterización de un modelo de catalizador que servirá luego para el estudio de reacciones sencillas sobre su superficie. El estudio de una reacción superficial requiere como punto de partida el conocimiento lo más detallado posible de la estructura y composición química de la superficie donde se va a llevar a cabo. El modelo de catalizador a estudiar consiste en una película de Co depositada sobre SiO2 previamente formado sobre un monocristal de Si(100). Para alcanzar este objetivo son necesarios varios pasos intermedios: - Estudio del crecimiento de películas delgadas de Co sobre Si(100) a temperatura ambiente. Influencia de la composición del gas residual. Estabilidad frente al recocido a 700 K (temperatura común en procesos catalíticos). - Estudio de la oxidación de Si (por bombardeo con iones oxígeno u otro procedimiento). - Estudio de la formación de películas de Co sobre SiO2. Estabilidad térmica. - Estudio de la adsorción de oxígeno en el sistema Co/SiO2/Si(100). Formación de óxidos de Co.
Doctor en Química
Universidad Nacional de La Plata
Facultad de Ciencias Exactas
Materia
Química
Catalizador
Reacción superficial
Películas delgadas
Oxidación
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
Repositorio
SEDICI (UNLP)
Institución
Universidad Nacional de La Plata
OAI Identificador
oai:sedici.unlp.edu.ar:10915/90094
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