Salvatierra, L. M., Kovalevski, L. I., Dammig Quiña, P. L., Irurzun, I. M., Mola, E. E., & Herrera, L. A. (2012). Comportamiento mecánico y eléctrico de un gel de silicona empleado en el encapsulamiento de transistores de potencia tipo IGBT. Web
Citación estilo ChicagoSalvatierra, Lucas Matías, Laura I. Kovalevski, Pablo L. Dammig Quiña, Isabel M. Irurzun, Eduardo E. Mola, and Luis Alberto Herrera. Comportamiento Mecánico Y Eléctrico De Un Gel De Silicona Empleado En El Encapsulamiento De Transistores De Potencia Tipo IGBT. 2012.
Cita MLASalvatierra, Lucas Matías, et al. Comportamiento Mecánico Y Eléctrico De Un Gel De Silicona Empleado En El Encapsulamiento De Transistores De Potencia Tipo IGBT. 2012.
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