Comportamiento mecánico y eléctrico de un gel de silicona empleado en el encapsulamiento de transistores de potencia tipo IGBT

Autores
Salvatierra, Lucas Matías; Kovalevski, Laura I.; Dammig Quiña, Pablo L.; Irurzun, Isabel M.; Mola, Eduardo E.; Herrera, Luis Alberto
Año de publicación
2012
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Fil: Salvatierra, Lucas Matías. Pontificia Universidad Católica Argentina. Facultad de Química e Ingeniería del Rosario. Instituto de Investigaciones en Ingeniería Ambiental, Química y Biotecnología Aplicada. Grupo de Biotecnología de Materiales y Medioambiente; Argentina
Fil: Salvatierra, Lucas Matías. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Grupo de Sistemas Complejos; Argentina
Fil: Kovalevski, Laura I. Pontificia Universidad Católica Argentina. Facultad de Química e Ingeniería; Argentina
Fil: Kovalevski, Laura I. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Grupo de Sistemas Complejos; Argentina
Fil: Dammig Quiña, Pablo L. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Grupo de Sistemas Complejos; Argentina
Fil: Irurzun, Isabel M. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Grupo de Sistemas Complejos; Argentina
Fil: Herrera, Luis Alberto. Pontificia Universidad Católica Argentina. Facultad de Química e Ingeniería; Argentina
Fil: Herrera, Luis Alberto. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Grupo de Sistemas Complejos; Argentina
Fil: Mola, Eduardo E. Pontificia Universidad Católica Argentina. Facultad de Química e Ingeniería; Argentina
Fil: Mola, Eduardo E. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Grupo de Sistemas Complejos; Argentina
Resumen: Los materiales dieléctricos son ampliamente utilizados en el sector energético, estando a veces sometidos a condiciones de alto estrés eléctrico, mecánico y ambiental en general, que los ponen al borde de procesos y mecanismos de degradación que conllevan a una probable falla futura. Los geles dieléctricos han comenzado a ser ampliamente utilizados en aplicaciones de encapsulamiento de transistores de alta potencia tipo IGBTs (del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor), donde se manejan tensiones y corrientes considerables. En la mayoría de los casos, se necesita una protección para evitar descargas en fase gaseosa, ingreso de humedad al circuito y amortiguamiento mecánico para vibraciones. En el presente trabajo caracterizamos con diferentes técnicas aspectos destacables de este tipo de encapsulantes a base de un gel bifásico de silicona. Para observar el proceso de curado se empleó la técnica de espectroscopía de absorción infrarroja (FTIR), junto con la reología oscilatoria desde las propiedades mecánicas. A su vez, esta última, sirvió para comparar información provista por un novedoso concepto que implica observar a estas últimas desde el interior, a partir de la evolución de cavidades gaseosas generadas eléctricamente. Se comprobó que el comportamiento de estas cavidades es sensible a la historia previa del material, es decir, mecanismos de curado y envejecimiento previo.
Fuente
Energeia, 10(10)
ISSN 1668-1622
Materia
ELECTRICIDAD
TRANSISTORES
MECANISMOS DE CURADO
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
Repositorio
Repositorio Institucional (UCA)
Institución
Pontificia Universidad Católica Argentina
OAI Identificador
oai:ucacris:123456789/5928
Acceder
id RIUCA_eacdc1d93dae80231f02e39c097a303d
oai_identifier_str oai:ucacris:123456789/5928
network_acronym_str RIUCA
repository_id_str 2585
network_name_str Repositorio Institucional (UCA)
spelling Comportamiento mecánico y eléctrico de un gel de silicona empleado en el encapsulamiento de transistores de potencia tipo IGBTSalvatierra, Lucas MatíasKovalevski, Laura I.Dammig Quiña, Pablo L.Irurzun, Isabel M.Mola, Eduardo E.Herrera, Luis AlbertoELECTRICIDADTRANSISTORESMECANISMOS DE CURADOFil: Salvatierra, Lucas Matías. Pontificia Universidad Católica Argentina. Facultad de Química e Ingeniería del Rosario. Instituto de Investigaciones en Ingeniería Ambiental, Química y Biotecnología Aplicada. Grupo de Biotecnología de Materiales y Medioambiente; ArgentinaFil: Salvatierra, Lucas Matías. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Grupo de Sistemas Complejos; ArgentinaFil: Kovalevski, Laura I. Pontificia Universidad Católica Argentina. Facultad de Química e Ingeniería; ArgentinaFil: Kovalevski, Laura I. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Grupo de Sistemas Complejos; ArgentinaFil: Dammig Quiña, Pablo L. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Grupo de Sistemas Complejos; ArgentinaFil: Irurzun, Isabel M. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Grupo de Sistemas Complejos; ArgentinaFil: Herrera, Luis Alberto. Pontificia Universidad Católica Argentina. Facultad de Química e Ingeniería; ArgentinaFil: Herrera, Luis Alberto. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Grupo de Sistemas Complejos; ArgentinaFil: Mola, Eduardo E. Pontificia Universidad Católica Argentina. Facultad de Química e Ingeniería; ArgentinaFil: Mola, Eduardo E. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Grupo de Sistemas Complejos; ArgentinaResumen: Los materiales dieléctricos son ampliamente utilizados en el sector energético, estando a veces sometidos a condiciones de alto estrés eléctrico, mecánico y ambiental en general, que los ponen al borde de procesos y mecanismos de degradación que conllevan a una probable falla futura. Los geles dieléctricos han comenzado a ser ampliamente utilizados en aplicaciones de encapsulamiento de transistores de alta potencia tipo IGBTs (del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor), donde se manejan tensiones y corrientes considerables. En la mayoría de los casos, se necesita una protección para evitar descargas en fase gaseosa, ingreso de humedad al circuito y amortiguamiento mecánico para vibraciones. En el presente trabajo caracterizamos con diferentes técnicas aspectos destacables de este tipo de encapsulantes a base de un gel bifásico de silicona. Para observar el proceso de curado se empleó la técnica de espectroscopía de absorción infrarroja (FTIR), junto con la reología oscilatoria desde las propiedades mecánicas. A su vez, esta última, sirvió para comparar información provista por un novedoso concepto que implica observar a estas últimas desde el interior, a partir de la evolución de cavidades gaseosas generadas eléctricamente. Se comprobó que el comportamiento de estas cavidades es sensible a la historia previa del material, es decir, mecanismos de curado y envejecimiento previo.Universidad Católica Argentina. Facultad de Química e Ingeniería "Fray Rogelio Bacon". Departamento de Investigación Institucional2012info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttps://repositorio.uca.edu.ar/handle/123456789/59281668-1622Salvatierra, L. M. et al. Comportamiento mecánico y eléctrico de un gel de silicona empleado en el encapsulamiento de transistores de potencia tipo IGBT [en línea]. Energeia, 10(10), 2012. Disponible en: https://repositorio.uca.edu.ar/handle/123456789/5928Energeia, 10(10)ISSN 1668-1622reponame:Repositorio Institucional (UCA)instname:Pontificia Universidad Católica Argentinaspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/2025-07-03T10:56:14Zoai:ucacris:123456789/5928instacron:UCAInstitucionalhttps://repositorio.uca.edu.ar/Universidad privadaNo correspondehttps://repositorio.uca.edu.ar/oaiclaudia_fernandez@uca.edu.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:25852025-07-03 10:56:15.144Repositorio Institucional (UCA) - Pontificia Universidad Católica Argentinafalse
dc.title.none.fl_str_mv Comportamiento mecánico y eléctrico de un gel de silicona empleado en el encapsulamiento de transistores de potencia tipo IGBT
title Comportamiento mecánico y eléctrico de un gel de silicona empleado en el encapsulamiento de transistores de potencia tipo IGBT
spellingShingle Comportamiento mecánico y eléctrico de un gel de silicona empleado en el encapsulamiento de transistores de potencia tipo IGBT
Salvatierra, Lucas Matías
ELECTRICIDAD
TRANSISTORES
MECANISMOS DE CURADO
title_short Comportamiento mecánico y eléctrico de un gel de silicona empleado en el encapsulamiento de transistores de potencia tipo IGBT
title_full Comportamiento mecánico y eléctrico de un gel de silicona empleado en el encapsulamiento de transistores de potencia tipo IGBT
title_fullStr Comportamiento mecánico y eléctrico de un gel de silicona empleado en el encapsulamiento de transistores de potencia tipo IGBT
title_full_unstemmed Comportamiento mecánico y eléctrico de un gel de silicona empleado en el encapsulamiento de transistores de potencia tipo IGBT
title_sort Comportamiento mecánico y eléctrico de un gel de silicona empleado en el encapsulamiento de transistores de potencia tipo IGBT
dc.creator.none.fl_str_mv Salvatierra, Lucas Matías
Kovalevski, Laura I.
Dammig Quiña, Pablo L.
Irurzun, Isabel M.
Mola, Eduardo E.
Herrera, Luis Alberto
author Salvatierra, Lucas Matías
author_facet Salvatierra, Lucas Matías
Kovalevski, Laura I.
Dammig Quiña, Pablo L.
Irurzun, Isabel M.
Mola, Eduardo E.
Herrera, Luis Alberto
author_role author
author2 Kovalevski, Laura I.
Dammig Quiña, Pablo L.
Irurzun, Isabel M.
Mola, Eduardo E.
Herrera, Luis Alberto
author2_role author
author
author
author
author
dc.subject.none.fl_str_mv ELECTRICIDAD
TRANSISTORES
MECANISMOS DE CURADO
topic ELECTRICIDAD
TRANSISTORES
MECANISMOS DE CURADO
dc.description.none.fl_txt_mv Fil: Salvatierra, Lucas Matías. Pontificia Universidad Católica Argentina. Facultad de Química e Ingeniería del Rosario. Instituto de Investigaciones en Ingeniería Ambiental, Química y Biotecnología Aplicada. Grupo de Biotecnología de Materiales y Medioambiente; Argentina
Fil: Salvatierra, Lucas Matías. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Grupo de Sistemas Complejos; Argentina
Fil: Kovalevski, Laura I. Pontificia Universidad Católica Argentina. Facultad de Química e Ingeniería; Argentina
Fil: Kovalevski, Laura I. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Grupo de Sistemas Complejos; Argentina
Fil: Dammig Quiña, Pablo L. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Grupo de Sistemas Complejos; Argentina
Fil: Irurzun, Isabel M. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Grupo de Sistemas Complejos; Argentina
Fil: Herrera, Luis Alberto. Pontificia Universidad Católica Argentina. Facultad de Química e Ingeniería; Argentina
Fil: Herrera, Luis Alberto. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Grupo de Sistemas Complejos; Argentina
Fil: Mola, Eduardo E. Pontificia Universidad Católica Argentina. Facultad de Química e Ingeniería; Argentina
Fil: Mola, Eduardo E. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Grupo de Sistemas Complejos; Argentina
Resumen: Los materiales dieléctricos son ampliamente utilizados en el sector energético, estando a veces sometidos a condiciones de alto estrés eléctrico, mecánico y ambiental en general, que los ponen al borde de procesos y mecanismos de degradación que conllevan a una probable falla futura. Los geles dieléctricos han comenzado a ser ampliamente utilizados en aplicaciones de encapsulamiento de transistores de alta potencia tipo IGBTs (del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor), donde se manejan tensiones y corrientes considerables. En la mayoría de los casos, se necesita una protección para evitar descargas en fase gaseosa, ingreso de humedad al circuito y amortiguamiento mecánico para vibraciones. En el presente trabajo caracterizamos con diferentes técnicas aspectos destacables de este tipo de encapsulantes a base de un gel bifásico de silicona. Para observar el proceso de curado se empleó la técnica de espectroscopía de absorción infrarroja (FTIR), junto con la reología oscilatoria desde las propiedades mecánicas. A su vez, esta última, sirvió para comparar información provista por un novedoso concepto que implica observar a estas últimas desde el interior, a partir de la evolución de cavidades gaseosas generadas eléctricamente. Se comprobó que el comportamiento de estas cavidades es sensible a la historia previa del material, es decir, mecanismos de curado y envejecimiento previo.
description Fil: Salvatierra, Lucas Matías. Pontificia Universidad Católica Argentina. Facultad de Química e Ingeniería del Rosario. Instituto de Investigaciones en Ingeniería Ambiental, Química y Biotecnología Aplicada. Grupo de Biotecnología de Materiales y Medioambiente; Argentina
publishDate 2012
dc.date.none.fl_str_mv 2012
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv https://repositorio.uca.edu.ar/handle/123456789/5928
1668-1622
Salvatierra, L. M. et al. Comportamiento mecánico y eléctrico de un gel de silicona empleado en el encapsulamiento de transistores de potencia tipo IGBT [en línea]. Energeia, 10(10), 2012. Disponible en: https://repositorio.uca.edu.ar/handle/123456789/5928
url https://repositorio.uca.edu.ar/handle/123456789/5928
identifier_str_mv 1668-1622
Salvatierra, L. M. et al. Comportamiento mecánico y eléctrico de un gel de silicona empleado en el encapsulamiento de transistores de potencia tipo IGBT [en línea]. Energeia, 10(10), 2012. Disponible en: https://repositorio.uca.edu.ar/handle/123456789/5928
dc.language.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Universidad Católica Argentina. Facultad de Química e Ingeniería "Fray Rogelio Bacon". Departamento de Investigación Institucional
publisher.none.fl_str_mv Universidad Católica Argentina. Facultad de Química e Ingeniería "Fray Rogelio Bacon". Departamento de Investigación Institucional
dc.source.none.fl_str_mv Energeia, 10(10)
ISSN 1668-1622
reponame:Repositorio Institucional (UCA)
instname:Pontificia Universidad Católica Argentina
reponame_str Repositorio Institucional (UCA)
collection Repositorio Institucional (UCA)
instname_str Pontificia Universidad Católica Argentina
repository.name.fl_str_mv Repositorio Institucional (UCA) - Pontificia Universidad Católica Argentina
repository.mail.fl_str_mv claudia_fernandez@uca.edu.ar
_version_ 1836638340808441856
score 13.22299

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