Highly compliant planar Hall effect sensor with sub 200 nT sensitivity

Autores
Granell, P. N.; Wang, G.; Santiago, G.; Bermúdez, C.; Kosub, T.; Golmar, F.; Steren, L.; Fassbender, J.; Makarov, D.
Año de publicación
2019
Idioma
inglés
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Fil: Granell, P. N. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. INTI-Micro y Nanoelectrónica; Argentina
Fil: Wang, G. Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR); Alemania
Fil: Santiago, G. Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR); Alemania
Fil: Bermúdez, C. Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR); Alemania
Fil: Kosub, T. Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR); Alemania
Fil: Golmar, F. Universidad Nacional de San Martín (UNSaM); Argentina
Fil: Steren, L. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); Argentina
Fil: Fassbender, J. Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR); Alemania
Fil: Makarov, D. Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR); Alemania
Fuente
NPJ Flexible Electronics, 3(1)
Materia
Sensores magnéticos
Sensibilidad
Campo magnético
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Repositorio
Repositorio Institucional del Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI)
Institución
Instituto Nacional de Tecnología Industrial
OAI Identificador
nuevadc:Granell2019Planar_pdf
Acceder
id RIINTI_3d0ef78c817a587d89dde3a9f96454dc
oai_identifier_str nuevadc:Granell2019Planar_pdf
network_acronym_str RIINTI
repository_id_str
network_name_str Repositorio Institucional del Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI)
spelling Highly compliant planar Hall effect sensor with sub 200 nT sensitivityGranell, P. N.Wang, G.Santiago, G.Bermúdez, C.Kosub, T.Golmar, F.Steren, L.Fassbender, J.Makarov, D.Sensores magnéticosSensibilidadCampo magnéticoFil: Granell, P. N. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. INTI-Micro y Nanoelectrónica; ArgentinaFil: Wang, G. Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR); AlemaniaFil: Santiago, G. Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR); AlemaniaFil: Bermúdez, C. Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR); AlemaniaFil: Kosub, T. Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR); AlemaniaFil: Golmar, F. Universidad Nacional de San Martín (UNSaM); ArgentinaFil: Steren, L. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); ArgentinaFil: Fassbender, J. Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR); AlemaniaFil: Makarov, D. Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR); AlemaniaSpringer Nature2019info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfGranell2019Planar.pdfhttps://app.inti.gob.ar/greenstone3/sites/localsite/collect/nuevadc/index/assoc/Granell2.dir/doc.pdfNPJ Flexible Electronics, 3(1)reponame:Repositorio Institucional del Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI)instname:Instituto Nacional de Tecnología Industrialenginfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/openAccess2025-10-23T11:20:16Znuevadc:Granell2019Planar_pdfinstacron:INTIInstitucionalhttps://app.inti.gob.ar/greenstone3/biblioOrganismo científico-tecnológicohttps://argentina.gob.ar/intihttps://app.inti.gob.ar/greenstone3/oaiserver?verb=Identifypfalcato@inti.gob.arArgentinaopendoar:2025-10-23 11:20:16.737Repositorio Institucional del Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI) - Instituto Nacional de Tecnología Industrialfalse
dc.title.none.fl_str_mv Highly compliant planar Hall effect sensor with sub 200 nT sensitivity
title Highly compliant planar Hall effect sensor with sub 200 nT sensitivity
spellingShingle Highly compliant planar Hall effect sensor with sub 200 nT sensitivity
Granell, P. N.
Sensores magnéticos
Sensibilidad
Campo magnético
title_short Highly compliant planar Hall effect sensor with sub 200 nT sensitivity
title_full Highly compliant planar Hall effect sensor with sub 200 nT sensitivity
title_fullStr Highly compliant planar Hall effect sensor with sub 200 nT sensitivity
title_full_unstemmed Highly compliant planar Hall effect sensor with sub 200 nT sensitivity
title_sort Highly compliant planar Hall effect sensor with sub 200 nT sensitivity
dc.creator.none.fl_str_mv Granell, P. N.
Wang, G.
Santiago, G.
Bermúdez, C.
Kosub, T.
Golmar, F.
Steren, L.
Fassbender, J.
Makarov, D.
author Granell, P. N.
author_facet Granell, P. N.
Wang, G.
Santiago, G.
Bermúdez, C.
Kosub, T.
Golmar, F.
Steren, L.
Fassbender, J.
Makarov, D.
author_role author
author2 Wang, G.
Santiago, G.
Bermúdez, C.
Kosub, T.
Golmar, F.
Steren, L.
Fassbender, J.
Makarov, D.
author2_role author
author
author
author
author
author
author
author
dc.subject.none.fl_str_mv Sensores magnéticos
Sensibilidad
Campo magnético
topic Sensores magnéticos
Sensibilidad
Campo magnético
dc.description.none.fl_txt_mv Fil: Granell, P. N. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. INTI-Micro y Nanoelectrónica; Argentina
Fil: Wang, G. Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR); Alemania
Fil: Santiago, G. Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR); Alemania
Fil: Bermúdez, C. Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR); Alemania
Fil: Kosub, T. Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR); Alemania
Fil: Golmar, F. Universidad Nacional de San Martín (UNSaM); Argentina
Fil: Steren, L. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); Argentina
Fil: Fassbender, J. Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR); Alemania
Fil: Makarov, D. Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR); Alemania
description Fil: Granell, P. N. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. INTI-Micro y Nanoelectrónica; Argentina
publishDate 2019
dc.date.none.fl_str_mv 2019
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv Granell2019Planar.pdf
https://app.inti.gob.ar/greenstone3/sites/localsite/collect/nuevadc/index/assoc/Granell2.dir/doc.pdf
identifier_str_mv Granell2019Planar.pdf
url https://app.inti.gob.ar/greenstone3/sites/localsite/collect/nuevadc/index/assoc/Granell2.dir/doc.pdf
dc.language.none.fl_str_mv eng
language eng
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Springer Nature
publisher.none.fl_str_mv Springer Nature
dc.source.none.fl_str_mv NPJ Flexible Electronics, 3(1)
reponame:Repositorio Institucional del Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI)
instname:Instituto Nacional de Tecnología Industrial
reponame_str Repositorio Institucional del Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI)
collection Repositorio Institucional del Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI)
instname_str Instituto Nacional de Tecnología Industrial
repository.name.fl_str_mv Repositorio Institucional del Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI) - Instituto Nacional de Tecnología Industrial
repository.mail.fl_str_mv pfalcato@inti.gob.ar
_version_ 1846789561294782464
score 12.471625

Publicaciones similares