Highly compliant planar Hall effect sensor with sub 200 nT sensitivity

Autores
Granell, P. N.; Wang, G.; Santiago, G.; Bermúdez, C.; Kosub, T.; Golmar, F.; Steren, L.; Fassbender, J.; Makarov, D.
Año de publicación
2019
Idioma
inglés
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Fil: Granell, P. N. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. INTI-Micro y Nanoelectrónica; Argentina
Fil: Wang, G. Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR); Alemania
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Fil: Golmar, F. Universidad Nacional de San Martín (UNSaM); Argentina
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Fil: Fassbender, J. Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR); Alemania
Fil: Makarov, D. Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR); Alemania
Fuente
NPJ Flexible Electronics, 3(1)
Materia
Sensores magnéticos
Sensibilidad
Campo magnético
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Repositorio
Repositorio Institucional del Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI)
Institución
Instituto Nacional de Tecnología Industrial
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