COTS MOS Dosimetry on the MeMOSat Board, Results After 2.5 Years in Orbit
- Autores
- Lipovetzky, J.; Garcia-Inza, M.; Rodríguez Cañete, M.; Redin, G.; Carbonetto, S.; Echarri, M.; Golmar, F.; Gomez Marlasca, F.; Barella, M.; Sanca, G.; Levy, P.; Faigón, A.
- Año de publicación
- 2017
- Idioma
- inglés
- Tipo de recurso
- documento de conferencia
- Estado
- versión publicada
- Descripción
- We present theresults after 2.5 years in orbit of Total Ionizing Dose (TID) measurements done using Metal Oxide Semiconductor (MOS) dosimeters on the MeMOSatboard. The MeMosat board was launched on July 19th 2014 at theBugSat-1 “Tita” microsatellite developed bySatellogic to stay at LEO. We used asdosimeters p-channel Commercial Off The Shelf (COTS) MOS transistors with gate oxides of 250 nm.Before launch, asubset of transistors with similardrain current to voltage (I-V) curves where selected from a group of100 devices. The temperature dependence of the (I-V) curves was studied to find the minimum temperature coefficient biasing point. Then, a calibrationsubgroup of sensors was irradiated using a60Co gamma source to study their response to TID, showingresponsivities of ~75 mV/krad when the sensors are irradiated without gate bias. Also, the postirradiation response of the sensors wasmonitored, in order to include a correction for low dose rate irradiations, yielding 30 mV/krad. A biasing and reading circuit was developed in order toallow the readingof up to 4 sensors. The threshold voltage was monitored during different periods of themission. After 2.5 years in orbit, the threshold voltage of the sensor mounted on the MeMOSat Board had aVTshift of approximately 35 mV corresponds toa dose of 1.2 krads.
Fil: Lipovetzky, J. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería (UBA-FIUBA); Argentina
Fil: Lipovetzky, J. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA); Argentina
Fil: Lipovetzky, J. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); Argentina
Fil: Lipovetzky, J. Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro (UNCuyo-IB); Argentina
Fil: Garcia-Inza, M. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería (UBA-FIUBA); Argentina
Fil: Garcia-Inza, M. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); Argentina
Fil: Rodríguez Cañete, M. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería (UBA-FIUBA); Argentina
Fil: Redin, G. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería (UBA-FIUBA); Argentina
Fil: Carbonetto, S. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería (UBA-FIUBA); Argentina
Fil: Carbonetto, S. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); Argentina
Fil: Echarri, M. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. Dirección Operativa. Gerencia Operativa de Desarrollo Tecnológico e Innovación. Subgerencia Operativa de Áreas de Conocimiento. Dirección Técnica de Micro y Nano Tecnologías (INTI-GODTeI-SOAC); Argentina
Fil: Golmar, F. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); Argentina
Fil: Golmar, F. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. Dirección Operativa. Gerencia Operativa de Desarrollo Tecnológico e Innovación. Subgerencia Operativa de Áreas de Conocimiento. Dirección Técnica de Micro y Nano Tecnologías (INTI-GODTeI-SOAC); Argentina
Fil: Golmar, F. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología (UNSAM-ECyT); Argentina
Fil: Gomez Marlasca, F. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA); Argentina
Fil: Barella, M. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA); Argentina
Fil: Barella, M. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); Argentina
Fil: Barella, M. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. Dirección Operativa. Gerencia Operativa de Desarrollo Tecnológico e Innovación. Subgerencia Operativa de Áreas de Conocimiento. Dirección Técnica de Micro y Nano Tecnologías (INTI-GODTeI-SOAC); Argentina
Fil: Sanca, G. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología (UNSAM-ECyT); Argentina
Fil: Levy, P. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA); Argentina
Fil: Levy, P. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); Argentina
Fil: Levy, P. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología (UNSAM-ECyT); Argentina
Fil: Faigón, A. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería (UBA-FIUBA); Argentina
Fil: Faigón, A. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); Argentina - Fuente
- Primer Simposio Latinoamericano de la Academia Internacional de Astronáutica sobre Pequeños Satélites: Tecnologías Avanzadas y Sistemas Distribuidos
Primer Simposio Latinoamericano de la Academia Internacional de Astronáutica sobre Pequeños Satélites: Tecnologías Avanzadas y Sistemas Distribuidos, 1 - Materia
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Satélites artificiales
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Dosimetría - Nivel de accesibilidad
- acceso abierto
- Condiciones de uso
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COTS MOS Dosimetry on the MeMOSat Board, Results After 2.5 Years in OrbitLipovetzky, J.Garcia-Inza, M.Rodríguez Cañete, M.Redin, G.Carbonetto, S.Echarri, M.Golmar, F.Gomez Marlasca, F.Barella, M.Sanca, G.Levy, P.Faigón, A.Satélites artificialesSemiconductoresMedicionesDosimetríaWe present theresults after 2.5 years in orbit of Total Ionizing Dose (TID) measurements done using Metal Oxide Semiconductor (MOS) dosimeters on the MeMOSatboard. The MeMosat board was launched on July 19th 2014 at theBugSat-1 “Tita” microsatellite developed bySatellogic to stay at LEO. We used asdosimeters p-channel Commercial Off The Shelf (COTS) MOS transistors with gate oxides of 250 nm.Before launch, asubset of transistors with similardrain current to voltage (I-V) curves where selected from a group of100 devices. The temperature dependence of the (I-V) curves was studied to find the minimum temperature coefficient biasing point. Then, a calibrationsubgroup of sensors was irradiated using a60Co gamma source to study their response to TID, showingresponsivities of ~75 mV/krad when the sensors are irradiated without gate bias. Also, the postirradiation response of the sensors wasmonitored, in order to include a correction for low dose rate irradiations, yielding 30 mV/krad. A biasing and reading circuit was developed in order toallow the readingof up to 4 sensors. The threshold voltage was monitored during different periods of themission. After 2.5 years in orbit, the threshold voltage of the sensor mounted on the MeMOSat Board had aVTshift of approximately 35 mV corresponds toa dose of 1.2 krads.Fil: Lipovetzky, J. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería (UBA-FIUBA); ArgentinaFil: Lipovetzky, J. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA); ArgentinaFil: Lipovetzky, J. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); ArgentinaFil: Lipovetzky, J. Universidad Nacional de Cuyo. 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