COTS MOS Dosimetry on the MeMOSat Board, Results After 2.5 Years in Orbit

Autores
Lipovetzky, J.; Garcia-Inza, M.; Rodríguez Cañete, M.; Redin, G.; Carbonetto, S.; Echarri, M.; Golmar, F.; Gomez Marlasca, F.; Barella, M.; Sanca, G.; Levy, P.; Faigón, A.
Año de publicación
2017
Idioma
inglés
Tipo de recurso
documento de conferencia
Estado
versión publicada
Descripción
We present theresults after 2.5 years in orbit of Total Ionizing Dose (TID) measurements done using Metal Oxide Semiconductor (MOS) dosimeters on the MeMOSatboard. The MeMosat board was launched on July 19th 2014 at theBugSat-1 “Tita” microsatellite developed bySatellogic to stay at LEO. We used asdosimeters p-channel Commercial Off The Shelf (COTS) MOS transistors with gate oxides of 250 nm.Before launch, asubset of transistors with similardrain current to voltage (I-V) curves where selected from a group of100 devices. The temperature dependence of the (I-V) curves was studied to find the minimum temperature coefficient biasing point. Then, a calibrationsubgroup of sensors was irradiated using a60Co gamma source to study their response to TID, showingresponsivities of ~75 mV/krad when the sensors are irradiated without gate bias. Also, the postirradiation response of the sensors wasmonitored, in order to include a correction for low dose rate irradiations, yielding 30 mV/krad. A biasing and reading circuit was developed in order toallow the readingof up to 4 sensors. The threshold voltage was monitored during different periods of themission. After 2.5 years in orbit, the threshold voltage of the sensor mounted on the MeMOSat Board had aVTshift of approximately 35 mV corresponds toa dose of 1.2 krads.
Fil: Lipovetzky, J. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería (UBA-FIUBA); Argentina
Fil: Lipovetzky, J. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA); Argentina
Fil: Lipovetzky, J. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); Argentina
Fil: Lipovetzky, J. Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro (UNCuyo-IB); Argentina
Fil: Garcia-Inza, M. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería (UBA-FIUBA); Argentina
Fil: Garcia-Inza, M. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); Argentina
Fil: Rodríguez Cañete, M. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería (UBA-FIUBA); Argentina
Fil: Redin, G. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería (UBA-FIUBA); Argentina
Fil: Carbonetto, S. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería (UBA-FIUBA); Argentina
Fil: Carbonetto, S. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); Argentina
Fil: Echarri, M. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. Dirección Operativa. Gerencia Operativa de Desarrollo Tecnológico e Innovación. Subgerencia Operativa de Áreas de Conocimiento. Dirección Técnica de Micro y Nano Tecnologías (INTI-GODTeI-SOAC); Argentina
Fil: Golmar, F. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); Argentina
Fil: Golmar, F. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. Dirección Operativa. Gerencia Operativa de Desarrollo Tecnológico e Innovación. Subgerencia Operativa de Áreas de Conocimiento. Dirección Técnica de Micro y Nano Tecnologías (INTI-GODTeI-SOAC); Argentina
Fil: Golmar, F. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología (UNSAM-ECyT); Argentina
Fil: Gomez Marlasca, F. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA); Argentina
Fil: Barella, M. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA); Argentina
Fil: Barella, M. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); Argentina
Fil: Barella, M. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. Dirección Operativa. Gerencia Operativa de Desarrollo Tecnológico e Innovación. Subgerencia Operativa de Áreas de Conocimiento. Dirección Técnica de Micro y Nano Tecnologías (INTI-GODTeI-SOAC); Argentina
Fil: Sanca, G. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología (UNSAM-ECyT); Argentina
Fil: Levy, P. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA); Argentina
Fil: Levy, P. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); Argentina
Fil: Levy, P. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología (UNSAM-ECyT); Argentina
Fil: Faigón, A. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería (UBA-FIUBA); Argentina
Fil: Faigón, A. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); Argentina
Fuente
Primer Simposio Latinoamericano de la Academia Internacional de Astronáutica sobre Pequeños Satélites: Tecnologías Avanzadas y Sistemas Distribuidos
Primer Simposio Latinoamericano de la Academia Internacional de Astronáutica sobre Pequeños Satélites: Tecnologías Avanzadas y Sistemas Distribuidos, 1
Materia
Satélites artificiales
Semiconductores
Mediciones
Dosimetría
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Repositorio
Repositorio Institucional del Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI)
Institución
Instituto Nacional de Tecnología Industrial
OAI Identificador
nuevadc:2024GolmarF_pdf

id RIINTI_1efa917f3b28dace91d6af5247d0bdda
oai_identifier_str nuevadc:2024GolmarF_pdf
network_acronym_str RIINTI
repository_id_str
network_name_str Repositorio Institucional del Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI)
spelling COTS MOS Dosimetry on the MeMOSat Board, Results After 2.5 Years in OrbitLipovetzky, J.Garcia-Inza, M.Rodríguez Cañete, M.Redin, G.Carbonetto, S.Echarri, M.Golmar, F.Gomez Marlasca, F.Barella, M.Sanca, G.Levy, P.Faigón, A.Satélites artificialesSemiconductoresMedicionesDosimetríaWe present theresults after 2.5 years in orbit of Total Ionizing Dose (TID) measurements done using Metal Oxide Semiconductor (MOS) dosimeters on the MeMOSatboard. The MeMosat board was launched on July 19th 2014 at theBugSat-1 “Tita” microsatellite developed bySatellogic to stay at LEO. We used asdosimeters p-channel Commercial Off The Shelf (COTS) MOS transistors with gate oxides of 250 nm.Before launch, asubset of transistors with similardrain current to voltage (I-V) curves where selected from a group of100 devices. The temperature dependence of the (I-V) curves was studied to find the minimum temperature coefficient biasing point. Then, a calibrationsubgroup of sensors was irradiated using a60Co gamma source to study their response to TID, showingresponsivities of ~75 mV/krad when the sensors are irradiated without gate bias. Also, the postirradiation response of the sensors wasmonitored, in order to include a correction for low dose rate irradiations, yielding 30 mV/krad. A biasing and reading circuit was developed in order toallow the readingof up to 4 sensors. The threshold voltage was monitored during different periods of themission. After 2.5 years in orbit, the threshold voltage of the sensor mounted on the MeMOSat Board had aVTshift of approximately 35 mV corresponds toa dose of 1.2 krads.Fil: Lipovetzky, J. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería (UBA-FIUBA); ArgentinaFil: Lipovetzky, J. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA); ArgentinaFil: Lipovetzky, J. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); ArgentinaFil: Lipovetzky, J. Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro (UNCuyo-IB); ArgentinaFil: Garcia-Inza, M. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería (UBA-FIUBA); ArgentinaFil: Garcia-Inza, M. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); ArgentinaFil: Rodríguez Cañete, M. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería (UBA-FIUBA); ArgentinaFil: Redin, G. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería (UBA-FIUBA); ArgentinaFil: Carbonetto, S. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería (UBA-FIUBA); ArgentinaFil: Carbonetto, S. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); ArgentinaFil: Echarri, M. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. Dirección Operativa. Gerencia Operativa de Desarrollo Tecnológico e Innovación. Subgerencia Operativa de Áreas de Conocimiento. Dirección Técnica de Micro y Nano Tecnologías (INTI-GODTeI-SOAC); ArgentinaFil: Golmar, F. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); ArgentinaFil: Golmar, F. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. Dirección Operativa. Gerencia Operativa de Desarrollo Tecnológico e Innovación. Subgerencia Operativa de Áreas de Conocimiento. Dirección Técnica de Micro y Nano Tecnologías (INTI-GODTeI-SOAC); ArgentinaFil: Golmar, F. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología (UNSAM-ECyT); ArgentinaFil: Gomez Marlasca, F. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA); ArgentinaFil: Barella, M. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA); ArgentinaFil: Barella, M. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); ArgentinaFil: Barella, M. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. Dirección Operativa. Gerencia Operativa de Desarrollo Tecnológico e Innovación. Subgerencia Operativa de Áreas de Conocimiento. Dirección Técnica de Micro y Nano Tecnologías (INTI-GODTeI-SOAC); ArgentinaFil: Sanca, G. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología (UNSAM-ECyT); ArgentinaFil: Levy, P. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA); ArgentinaFil: Levy, P. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); ArgentinaFil: Levy, P. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología (UNSAM-ECyT); ArgentinaFil: Faigón, A. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería (UBA-FIUBA); ArgentinaFil: Faigón, A. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); ArgentinaUNSAMCONAE2017info:eu-repo/semantics/conferenceObjectinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_5794info:ar-repo/semantics/documentoDeConferenciaapplication/pdf2024GolmarF.pdfhttps://app.inti.gob.ar/greenstone3/sites/localsite/collect/nuevadc/index/assoc/2024Golm.dir/doc.pdfPrimer Simposio Latinoamericano de la Academia Internacional de Astronáutica sobre Pequeños Satélites: Tecnologías Avanzadas y Sistemas DistribuidosPrimer Simposio Latinoamericano de la Academia Internacional de Astronáutica sobre Pequeños Satélites: Tecnologías Avanzadas y Sistemas Distribuidos, 1reponame:Repositorio Institucional del Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI)instname:Instituto Nacional de Tecnología Industrialenginfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/openAccess2025-09-29T15:02:07Znuevadc:2024GolmarF_pdfinstacron:INTIInstitucionalhttps://app.inti.gob.ar/greenstone3/biblioOrganismo científico-tecnológicohttps://argentina.gob.ar/intihttps://app.inti.gob.ar/greenstone3/oaiserver?verb=Identifypfalcato@inti.gob.arArgentinaopendoar:2025-09-29 15:02:08.164Repositorio Institucional del Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI) - Instituto Nacional de Tecnología Industrialfalse
dc.title.none.fl_str_mv COTS MOS Dosimetry on the MeMOSat Board, Results After 2.5 Years in Orbit
title COTS MOS Dosimetry on the MeMOSat Board, Results After 2.5 Years in Orbit
spellingShingle COTS MOS Dosimetry on the MeMOSat Board, Results After 2.5 Years in Orbit
Lipovetzky, J.
Satélites artificiales
Semiconductores
Mediciones
Dosimetría
title_short COTS MOS Dosimetry on the MeMOSat Board, Results After 2.5 Years in Orbit
title_full COTS MOS Dosimetry on the MeMOSat Board, Results After 2.5 Years in Orbit
title_fullStr COTS MOS Dosimetry on the MeMOSat Board, Results After 2.5 Years in Orbit
title_full_unstemmed COTS MOS Dosimetry on the MeMOSat Board, Results After 2.5 Years in Orbit
title_sort COTS MOS Dosimetry on the MeMOSat Board, Results After 2.5 Years in Orbit
dc.creator.none.fl_str_mv Lipovetzky, J.
Garcia-Inza, M.
Rodríguez Cañete, M.
Redin, G.
Carbonetto, S.
Echarri, M.
Golmar, F.
Gomez Marlasca, F.
Barella, M.
Sanca, G.
Levy, P.
Faigón, A.
author Lipovetzky, J.
author_facet Lipovetzky, J.
Garcia-Inza, M.
Rodríguez Cañete, M.
Redin, G.
Carbonetto, S.
Echarri, M.
Golmar, F.
Gomez Marlasca, F.
Barella, M.
Sanca, G.
Levy, P.
Faigón, A.
author_role author
author2 Garcia-Inza, M.
Rodríguez Cañete, M.
Redin, G.
Carbonetto, S.
Echarri, M.
Golmar, F.
Gomez Marlasca, F.
Barella, M.
Sanca, G.
Levy, P.
Faigón, A.
author2_role author
author
author
author
author
author
author
author
author
author
author
dc.subject.none.fl_str_mv Satélites artificiales
Semiconductores
Mediciones
Dosimetría
topic Satélites artificiales
Semiconductores
Mediciones
Dosimetría
dc.description.none.fl_txt_mv We present theresults after 2.5 years in orbit of Total Ionizing Dose (TID) measurements done using Metal Oxide Semiconductor (MOS) dosimeters on the MeMOSatboard. The MeMosat board was launched on July 19th 2014 at theBugSat-1 “Tita” microsatellite developed bySatellogic to stay at LEO. We used asdosimeters p-channel Commercial Off The Shelf (COTS) MOS transistors with gate oxides of 250 nm.Before launch, asubset of transistors with similardrain current to voltage (I-V) curves where selected from a group of100 devices. The temperature dependence of the (I-V) curves was studied to find the minimum temperature coefficient biasing point. Then, a calibrationsubgroup of sensors was irradiated using a60Co gamma source to study their response to TID, showingresponsivities of ~75 mV/krad when the sensors are irradiated without gate bias. Also, the postirradiation response of the sensors wasmonitored, in order to include a correction for low dose rate irradiations, yielding 30 mV/krad. A biasing and reading circuit was developed in order toallow the readingof up to 4 sensors. The threshold voltage was monitored during different periods of themission. After 2.5 years in orbit, the threshold voltage of the sensor mounted on the MeMOSat Board had aVTshift of approximately 35 mV corresponds toa dose of 1.2 krads.
Fil: Lipovetzky, J. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería (UBA-FIUBA); Argentina
Fil: Lipovetzky, J. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA); Argentina
Fil: Lipovetzky, J. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); Argentina
Fil: Lipovetzky, J. Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro (UNCuyo-IB); Argentina
Fil: Garcia-Inza, M. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería (UBA-FIUBA); Argentina
Fil: Garcia-Inza, M. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); Argentina
Fil: Rodríguez Cañete, M. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería (UBA-FIUBA); Argentina
Fil: Redin, G. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería (UBA-FIUBA); Argentina
Fil: Carbonetto, S. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería (UBA-FIUBA); Argentina
Fil: Carbonetto, S. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); Argentina
Fil: Echarri, M. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. Dirección Operativa. Gerencia Operativa de Desarrollo Tecnológico e Innovación. Subgerencia Operativa de Áreas de Conocimiento. Dirección Técnica de Micro y Nano Tecnologías (INTI-GODTeI-SOAC); Argentina
Fil: Golmar, F. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); Argentina
Fil: Golmar, F. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. Dirección Operativa. Gerencia Operativa de Desarrollo Tecnológico e Innovación. Subgerencia Operativa de Áreas de Conocimiento. Dirección Técnica de Micro y Nano Tecnologías (INTI-GODTeI-SOAC); Argentina
Fil: Golmar, F. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología (UNSAM-ECyT); Argentina
Fil: Gomez Marlasca, F. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA); Argentina
Fil: Barella, M. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA); Argentina
Fil: Barella, M. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); Argentina
Fil: Barella, M. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. Dirección Operativa. Gerencia Operativa de Desarrollo Tecnológico e Innovación. Subgerencia Operativa de Áreas de Conocimiento. Dirección Técnica de Micro y Nano Tecnologías (INTI-GODTeI-SOAC); Argentina
Fil: Sanca, G. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología (UNSAM-ECyT); Argentina
Fil: Levy, P. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA); Argentina
Fil: Levy, P. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); Argentina
Fil: Levy, P. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología (UNSAM-ECyT); Argentina
Fil: Faigón, A. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería (UBA-FIUBA); Argentina
Fil: Faigón, A. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET); Argentina
description We present theresults after 2.5 years in orbit of Total Ionizing Dose (TID) measurements done using Metal Oxide Semiconductor (MOS) dosimeters on the MeMOSatboard. The MeMosat board was launched on July 19th 2014 at theBugSat-1 “Tita” microsatellite developed bySatellogic to stay at LEO. We used asdosimeters p-channel Commercial Off The Shelf (COTS) MOS transistors with gate oxides of 250 nm.Before launch, asubset of transistors with similardrain current to voltage (I-V) curves where selected from a group of100 devices. The temperature dependence of the (I-V) curves was studied to find the minimum temperature coefficient biasing point. Then, a calibrationsubgroup of sensors was irradiated using a60Co gamma source to study their response to TID, showingresponsivities of ~75 mV/krad when the sensors are irradiated without gate bias. Also, the postirradiation response of the sensors wasmonitored, in order to include a correction for low dose rate irradiations, yielding 30 mV/krad. A biasing and reading circuit was developed in order toallow the readingof up to 4 sensors. The threshold voltage was monitored during different periods of themission. After 2.5 years in orbit, the threshold voltage of the sensor mounted on the MeMOSat Board had aVTshift of approximately 35 mV corresponds toa dose of 1.2 krads.
publishDate 2017
dc.date.none.fl_str_mv 2017
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/conferenceObject
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_5794
info:ar-repo/semantics/documentoDeConferencia
format conferenceObject
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv 2024GolmarF.pdf
https://app.inti.gob.ar/greenstone3/sites/localsite/collect/nuevadc/index/assoc/2024Golm.dir/doc.pdf
identifier_str_mv 2024GolmarF.pdf
url https://app.inti.gob.ar/greenstone3/sites/localsite/collect/nuevadc/index/assoc/2024Golm.dir/doc.pdf
dc.language.none.fl_str_mv eng
language eng
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv UNSAM
CONAE
publisher.none.fl_str_mv UNSAM
CONAE
dc.source.none.fl_str_mv Primer Simposio Latinoamericano de la Academia Internacional de Astronáutica sobre Pequeños Satélites: Tecnologías Avanzadas y Sistemas Distribuidos
Primer Simposio Latinoamericano de la Academia Internacional de Astronáutica sobre Pequeños Satélites: Tecnologías Avanzadas y Sistemas Distribuidos, 1
reponame:Repositorio Institucional del Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI)
instname:Instituto Nacional de Tecnología Industrial
reponame_str Repositorio Institucional del Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI)
collection Repositorio Institucional del Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI)
instname_str Instituto Nacional de Tecnología Industrial
repository.name.fl_str_mv Repositorio Institucional del Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI) - Instituto Nacional de Tecnología Industrial
repository.mail.fl_str_mv pfalcato@inti.gob.ar
_version_ 1844623656363229184
score 12.559606