Ionic exchange of Hf donor impurities in the wide-gap semiconductor Tm2O3

Autores
Muñoz, Emiliano Luis; Darriba, German Nicolas; Bibiloni, Anibal Guillermo; Errico, Leonardo Antonio; Rentería, Mario
Año de publicación
2010
Idioma
inglés
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
The ionic exchange of Hf donor impurities in substitutional cationic sites of the cubic (bixbyite) phase of the wide-gap semiconductor Tm2O3 was studied. The doping process was performed by ball-milling-assisted solid-state reaction of Tm2O3 and neutron-activated m-HfO2. 181Ta atoms, obtained by the -decay of the 181Hf-isotope, were used as probes in time-differential perturbed-angular-correlation (TDPAC) experiments carried out after each step of the doping process. The measured hyperfine interactions at 181Ta sites enabled the electric-field gradient (EFG) characterization at representative Hf impurity sites of each step of the process. The efficiency and substitutional character of the exchange process is discussed and elucidated in the framework of an empirical EFG systematic established in isostructural rare-earth bixbyite sesquioxides.
Fil: Muñoz, Emiliano Luis. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - La Plata. Instituto de Física La Plata. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Física La Plata; Argentina
Fil: Darriba, German Nicolas. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - La Plata. Instituto de Física La Plata. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Física La Plata; Argentina
Fil: Bibiloni, Anibal Guillermo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - La Plata. Instituto de Física La Plata. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Física La Plata; Argentina
Fil: Errico, Leonardo Antonio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - La Plata. Instituto de Física La Plata. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Física La Plata; Argentina
Fil: Rentería, Mario. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - La Plata. Instituto de Física La Plata. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Física La Plata; Argentina
Materia
MECHANICAL ALLOYING
IMPURITIES IN SEMICONDUCTORS
HYPERFINE INTERACTIONS
IONIC DIFFUSION
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
Repositorio
CONICET Digital (CONICET)
Institución
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
OAI Identificador
oai:ri.conicet.gov.ar:11336/275499
Acceder
id CONICETDig_f166dcaa35230537189270e51f7ffaa7
oai_identifier_str oai:ri.conicet.gov.ar:11336/275499
network_acronym_str CONICETDig
repository_id_str 3498
network_name_str CONICET Digital (CONICET)
spelling Ionic exchange of Hf donor impurities in the wide-gap semiconductor Tm2O3Muñoz, Emiliano LuisDarriba, German NicolasBibiloni, Anibal GuillermoErrico, Leonardo AntonioRentería, MarioMECHANICAL ALLOYINGIMPURITIES IN SEMICONDUCTORSHYPERFINE INTERACTIONSIONIC DIFFUSIONhttps://purl.org/becyt/ford/1.3https://purl.org/becyt/ford/1The ionic exchange of Hf donor impurities in substitutional cationic sites of the cubic (bixbyite) phase of the wide-gap semiconductor Tm2O3 was studied. The doping process was performed by ball-milling-assisted solid-state reaction of Tm2O3 and neutron-activated m-HfO2. 181Ta atoms, obtained by the -decay of the 181Hf-isotope, were used as probes in time-differential perturbed-angular-correlation (TDPAC) experiments carried out after each step of the doping process. The measured hyperfine interactions at 181Ta sites enabled the electric-field gradient (EFG) characterization at representative Hf impurity sites of each step of the process. The efficiency and substitutional character of the exchange process is discussed and elucidated in the framework of an empirical EFG systematic established in isostructural rare-earth bixbyite sesquioxides.Fil: Muñoz, Emiliano Luis. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - La Plata. Instituto de Física La Plata. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Física La Plata; ArgentinaFil: Darriba, German Nicolas. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - La Plata. Instituto de Física La Plata. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Física La Plata; ArgentinaFil: Bibiloni, Anibal Guillermo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - La Plata. Instituto de Física La Plata. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Física La Plata; ArgentinaFil: Errico, Leonardo Antonio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - La Plata. Instituto de Física La Plata. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Física La Plata; ArgentinaFil: Rentería, Mario. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - La Plata. Instituto de Física La Plata. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Física La Plata; ArgentinaElsevier Science SA2010-04info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/11336/275499Muñoz, Emiliano Luis; Darriba, German Nicolas; Bibiloni, Anibal Guillermo; Errico, Leonardo Antonio; Rentería, Mario; Ionic exchange of Hf donor impurities in the wide-gap semiconductor Tm2O3; Elsevier Science SA; Journal of Alloys and Compounds; 495; 2; 4-2010; 532-5360925-8388CONICET DigitalCONICETenginfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1016/j.jallcom.2009.10.038info:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/reponame:CONICET Digital (CONICET)instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas2025-12-23T13:26:41Zoai:ri.conicet.gov.ar:11336/275499instacron:CONICETInstitucionalhttp://ri.conicet.gov.ar/Organismo científico-tecnológicoNo correspondehttp://ri.conicet.gov.ar/oai/requestdasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:34982025-12-23 13:26:42.202CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicasfalse
dc.title.none.fl_str_mv Ionic exchange of Hf donor impurities in the wide-gap semiconductor Tm2O3
title Ionic exchange of Hf donor impurities in the wide-gap semiconductor Tm2O3
spellingShingle Ionic exchange of Hf donor impurities in the wide-gap semiconductor Tm2O3
Muñoz, Emiliano Luis
MECHANICAL ALLOYING
IMPURITIES IN SEMICONDUCTORS
HYPERFINE INTERACTIONS
IONIC DIFFUSION
title_short Ionic exchange of Hf donor impurities in the wide-gap semiconductor Tm2O3
title_full Ionic exchange of Hf donor impurities in the wide-gap semiconductor Tm2O3
title_fullStr Ionic exchange of Hf donor impurities in the wide-gap semiconductor Tm2O3
title_full_unstemmed Ionic exchange of Hf donor impurities in the wide-gap semiconductor Tm2O3
title_sort Ionic exchange of Hf donor impurities in the wide-gap semiconductor Tm2O3
dc.creator.none.fl_str_mv Muñoz, Emiliano Luis
Darriba, German Nicolas
Bibiloni, Anibal Guillermo
Errico, Leonardo Antonio
Rentería, Mario
author Muñoz, Emiliano Luis
author_facet Muñoz, Emiliano Luis
Darriba, German Nicolas
Bibiloni, Anibal Guillermo
Errico, Leonardo Antonio
Rentería, Mario
author_role author
author2 Darriba, German Nicolas
Bibiloni, Anibal Guillermo
Errico, Leonardo Antonio
Rentería, Mario
author2_role author
author
author
author
dc.subject.none.fl_str_mv MECHANICAL ALLOYING
IMPURITIES IN SEMICONDUCTORS
HYPERFINE INTERACTIONS
IONIC DIFFUSION
topic MECHANICAL ALLOYING
IMPURITIES IN SEMICONDUCTORS
HYPERFINE INTERACTIONS
IONIC DIFFUSION
purl_subject.fl_str_mv https://purl.org/becyt/ford/1.3
https://purl.org/becyt/ford/1
dc.description.none.fl_txt_mv The ionic exchange of Hf donor impurities in substitutional cationic sites of the cubic (bixbyite) phase of the wide-gap semiconductor Tm2O3 was studied. The doping process was performed by ball-milling-assisted solid-state reaction of Tm2O3 and neutron-activated m-HfO2. 181Ta atoms, obtained by the -decay of the 181Hf-isotope, were used as probes in time-differential perturbed-angular-correlation (TDPAC) experiments carried out after each step of the doping process. The measured hyperfine interactions at 181Ta sites enabled the electric-field gradient (EFG) characterization at representative Hf impurity sites of each step of the process. The efficiency and substitutional character of the exchange process is discussed and elucidated in the framework of an empirical EFG systematic established in isostructural rare-earth bixbyite sesquioxides.
Fil: Muñoz, Emiliano Luis. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - La Plata. Instituto de Física La Plata. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Física La Plata; Argentina
Fil: Darriba, German Nicolas. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - La Plata. Instituto de Física La Plata. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Física La Plata; Argentina
Fil: Bibiloni, Anibal Guillermo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - La Plata. Instituto de Física La Plata. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Física La Plata; Argentina
Fil: Errico, Leonardo Antonio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - La Plata. Instituto de Física La Plata. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Física La Plata; Argentina
Fil: Rentería, Mario. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - La Plata. Instituto de Física La Plata. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Física La Plata; Argentina
description The ionic exchange of Hf donor impurities in substitutional cationic sites of the cubic (bixbyite) phase of the wide-gap semiconductor Tm2O3 was studied. The doping process was performed by ball-milling-assisted solid-state reaction of Tm2O3 and neutron-activated m-HfO2. 181Ta atoms, obtained by the -decay of the 181Hf-isotope, were used as probes in time-differential perturbed-angular-correlation (TDPAC) experiments carried out after each step of the doping process. The measured hyperfine interactions at 181Ta sites enabled the electric-field gradient (EFG) characterization at representative Hf impurity sites of each step of the process. The efficiency and substitutional character of the exchange process is discussed and elucidated in the framework of an empirical EFG systematic established in isostructural rare-earth bixbyite sesquioxides.
publishDate 2010
dc.date.none.fl_str_mv 2010-04
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv http://hdl.handle.net/11336/275499
Muñoz, Emiliano Luis; Darriba, German Nicolas; Bibiloni, Anibal Guillermo; Errico, Leonardo Antonio; Rentería, Mario; Ionic exchange of Hf donor impurities in the wide-gap semiconductor Tm2O3; Elsevier Science SA; Journal of Alloys and Compounds; 495; 2; 4-2010; 532-536
0925-8388
CONICET Digital
CONICET
url http://hdl.handle.net/11336/275499
identifier_str_mv Muñoz, Emiliano Luis; Darriba, German Nicolas; Bibiloni, Anibal Guillermo; Errico, Leonardo Antonio; Rentería, Mario; Ionic exchange of Hf donor impurities in the wide-gap semiconductor Tm2O3; Elsevier Science SA; Journal of Alloys and Compounds; 495; 2; 4-2010; 532-536
0925-8388
CONICET Digital
CONICET
dc.language.none.fl_str_mv eng
language eng
dc.relation.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1016/j.jallcom.2009.10.038
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
application/pdf
application/pdf
application/pdf
application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Elsevier Science SA
publisher.none.fl_str_mv Elsevier Science SA
dc.source.none.fl_str_mv reponame:CONICET Digital (CONICET)
instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
reponame_str CONICET Digital (CONICET)
collection CONICET Digital (CONICET)
instname_str Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
repository.name.fl_str_mv CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
repository.mail.fl_str_mv dasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.ar
_version_ 1852335139617505280
score 12.952241

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