Magnetoresistance in Fe 0.8 Ga 0.2 thin films with magnetic stripes: The role of the three-dimensional magnetic structure
- Autores
- Pianciola, Betiana Noelia; Flewett, Samuel; de Biasi, Emilio; Hepburn, Carolyna; Lounis, Lounes; Vasquez Mansilla, Marcelo; Granada, Mara; Barturen, Mariana; Eddrief, M.; Sacchi, Maurizio; Marangolo, Massimiliano; Milano, Julian
- Año de publicación
- 2020
- Idioma
- inglés
- Tipo de recurso
- artículo
- Estado
- versión publicada
- Descripción
- In this work we show the existence of closure domains in Fe0.8Ga0.2 thin films featuring a striped magnetic pattern and study the effect of the magnetic domain arrangement on the magnetotransport properties. By means of X-ray resonant magnetic scattering, we experimentally demonstrate the presence of such closure domains and also estimate their sizes and relative contribution to surface magnetization. Magnetotransport experiments show that the behavior of the magnetoresistance depends on the measurement geometry as well as on the temperature. When the electric current flows perpendicular to the stripe direction, the resistivity decreases when a magnetic field is applied along the stripe direction (negative magnetoresistance) in all the studied temperature range. Transport calculations in the Ohmic regime indicate that the main source is the anisotropic magnetoresistance. In the case of current flowing parallel to the stripe domains, the magnetoresistance changes sign, being positive at room temperature and negative at 100 K. An intrinsic magnetoresistant contribution arising from the domain walls appears as the most plausible explanation for the observed behavior. We have put in evidence the importance of using X-ray resonant magnetic scattering for the determination of thin-film properties related with the magnetic structure.
Fil: Pianciola, Betiana Noelia. Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas. Oficina de Coordinacion Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche | Comision Nacional de Energia Atomica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche.; Argentina
Fil: Flewett, Samuel. Pontificia Universidad Católica de Valparaíso; Chile
Fil: de Biasi, Emilio. Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas. Oficina de Coordinacion Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche | Comision Nacional de Energia Atomica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche.; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro | Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro; Argentina
Fil: Hepburn, Carolyna. Sorbonne University; Francia. Centre National de la Recherche Scientifique; Francia
Fil: Lounis, Lounes. Sorbonne University; Francia. Centre National de la Recherche Scientifique; Francia
Fil: Vasquez Mansilla, Marcelo. Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas. Oficina de Coordinacion Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche | Comision Nacional de Energia Atomica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche.; Argentina
Fil: Granada, Mara. Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas. Oficina de Coordinacion Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche | Comision Nacional de Energia Atomica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche.; Argentina
Fil: Barturen, Mariana. Universidad Argentina de la Empresa. Facultad de Ingeniería y Ciencias Exactas. Instituto de Tecnología; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Eddrief, M.. Laboratorio Internacional Franco-Argentino en Nanociencias; Argentina. Sorbonne University; Francia. Centre National de la Recherche Scientifique; Francia
Fil: Sacchi, Maurizio. Sorbonne University; Francia. Centre National de la Recherche Scientifique; Francia. Source Optimisée de Lumière d’Energie Intermédiaire du LURE; Francia. Laboratorio Internacional Franco-Argentino en Nanociencias; Argentina
Fil: Marangolo, Massimiliano. Centre National de la Recherche Scientifique. Sorbone Université. Institut Des NanoSciences de Paris; Francia. Laboratorio Internacional Franco-Argentino en Nanociencias; Argentina
Fil: Milano, Julian. Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas. Oficina de Coordinacion Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche | Comision Nacional de Energia Atomica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche.; Argentina. Laboratorio Internacional Franco-Argentino en Nanociencias; Argentina - Materia
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Magnetic domain
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Magnetoresistance
Fe1-xGa1-x - Nivel de accesibilidad
- acceso embargado
- Condiciones de uso
- https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
- Repositorio
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When the electric current flows perpendicular to the stripe direction, the resistivity decreases when a magnetic field is applied along the stripe direction (negative magnetoresistance) in all the studied temperature range. Transport calculations in the Ohmic regime indicate that the main source is the anisotropic magnetoresistance. In the case of current flowing parallel to the stripe domains, the magnetoresistance changes sign, being positive at room temperature and negative at 100 K. An intrinsic magnetoresistant contribution arising from the domain walls appears as the most plausible explanation for the observed behavior. We have put in evidence the importance of using X-ray resonant magnetic scattering for the determination of thin-film properties related with the magnetic structure.Fil: Pianciola, Betiana Noelia. Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas. Oficina de Coordinacion Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche | Comision Nacional de Energia Atomica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche.; ArgentinaFil: Flewett, Samuel. Pontificia Universidad Católica de Valparaíso; ChileFil: de Biasi, Emilio. Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas. Oficina de Coordinacion Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche | Comision Nacional de Energia Atomica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche.; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro. 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Oficina de Coordinacion Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche | Comision Nacional de Energia Atomica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche.; ArgentinaFil: Barturen, Mariana. Universidad Argentina de la Empresa. Facultad de Ingeniería y Ciencias Exactas. Instituto de Tecnología; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Eddrief, M.. Laboratorio Internacional Franco-Argentino en Nanociencias; Argentina. Sorbonne University; Francia. Centre National de la Recherche Scientifique; FranciaFil: Sacchi, Maurizio. Sorbonne University; Francia. Centre National de la Recherche Scientifique; Francia. Source Optimisée de Lumière d’Energie Intermédiaire du LURE; Francia. Laboratorio Internacional Franco-Argentino en Nanociencias; ArgentinaFil: Marangolo, Massimiliano. Centre National de la Recherche Scientifique. Sorbone Université. Institut Des NanoSciences de Paris; Francia. Laboratorio Internacional Franco-Argentino en Nanociencias; ArgentinaFil: Milano, Julian. Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas. Oficina de Coordinacion Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche | Comision Nacional de Energia Atomica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche.; Argentina. Laboratorio Internacional Franco-Argentino en Nanociencias; ArgentinaAmerican Physical Society2020-08info:eu-repo/date/embargoEnd/2022-05-11info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/11336/146644Pianciola, Betiana Noelia; Flewett, Samuel; de Biasi, Emilio; Hepburn, Carolyna; Lounis, Lounes; et al.; Magnetoresistance in Fe 0.8 Ga 0.2 thin films with magnetic stripes: The role of the three-dimensional magnetic structure; American Physical Society; Physical Review B; 102; 5; 8-2020; 0544382469-9969CONICET DigitalCONICETenginfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.102.054438info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1103/PhysRevB.102.054438info:eu-repo/semantics/embargoedAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/reponame:CONICET Digital (CONICET)instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas2025-09-10T13:18:10Zoai:ri.conicet.gov.ar:11336/146644instacron:CONICETInstitucionalhttp://ri.conicet.gov.ar/Organismo científico-tecnológicoNo correspondehttp://ri.conicet.gov.ar/oai/requestdasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:34982025-09-10 13:18:10.982CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicasfalse |
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In the case of current flowing parallel to the stripe domains, the magnetoresistance changes sign, being positive at room temperature and negative at 100 K. An intrinsic magnetoresistant contribution arising from the domain walls appears as the most plausible explanation for the observed behavior. We have put in evidence the importance of using X-ray resonant magnetic scattering for the determination of thin-film properties related with the magnetic structure. Fil: Pianciola, Betiana Noelia. Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas. Oficina de Coordinacion Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche | Comision Nacional de Energia Atomica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche.; Argentina Fil: Flewett, Samuel. Pontificia Universidad Católica de Valparaíso; Chile Fil: de Biasi, Emilio. Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas. Oficina de Coordinacion Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche | Comision Nacional de Energia Atomica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche.; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro | Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro; Argentina Fil: Hepburn, Carolyna. Sorbonne University; Francia. Centre National de la Recherche Scientifique; Francia Fil: Lounis, Lounes. Sorbonne University; Francia. Centre National de la Recherche Scientifique; Francia Fil: Vasquez Mansilla, Marcelo. Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas. Oficina de Coordinacion Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche | Comision Nacional de Energia Atomica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche.; Argentina Fil: Granada, Mara. Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas. Oficina de Coordinacion Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche | Comision Nacional de Energia Atomica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche.; Argentina Fil: Barturen, Mariana. Universidad Argentina de la Empresa. Facultad de Ingeniería y Ciencias Exactas. Instituto de Tecnología; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina Fil: Eddrief, M.. Laboratorio Internacional Franco-Argentino en Nanociencias; Argentina. Sorbonne University; Francia. Centre National de la Recherche Scientifique; Francia Fil: Sacchi, Maurizio. Sorbonne University; Francia. Centre National de la Recherche Scientifique; Francia. Source Optimisée de Lumière d’Energie Intermédiaire du LURE; Francia. Laboratorio Internacional Franco-Argentino en Nanociencias; Argentina Fil: Marangolo, Massimiliano. Centre National de la Recherche Scientifique. Sorbone Université. Institut Des NanoSciences de Paris; Francia. Laboratorio Internacional Franco-Argentino en Nanociencias; Argentina Fil: Milano, Julian. Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas. Oficina de Coordinacion Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche | Comision Nacional de Energia Atomica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Bariloche.; Argentina. Laboratorio Internacional Franco-Argentino en Nanociencias; Argentina |
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In this work we show the existence of closure domains in Fe0.8Ga0.2 thin films featuring a striped magnetic pattern and study the effect of the magnetic domain arrangement on the magnetotransport properties. By means of X-ray resonant magnetic scattering, we experimentally demonstrate the presence of such closure domains and also estimate their sizes and relative contribution to surface magnetization. Magnetotransport experiments show that the behavior of the magnetoresistance depends on the measurement geometry as well as on the temperature. When the electric current flows perpendicular to the stripe direction, the resistivity decreases when a magnetic field is applied along the stripe direction (negative magnetoresistance) in all the studied temperature range. Transport calculations in the Ohmic regime indicate that the main source is the anisotropic magnetoresistance. In the case of current flowing parallel to the stripe domains, the magnetoresistance changes sign, being positive at room temperature and negative at 100 K. An intrinsic magnetoresistant contribution arising from the domain walls appears as the most plausible explanation for the observed behavior. We have put in evidence the importance of using X-ray resonant magnetic scattering for the determination of thin-film properties related with the magnetic structure. |
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