Interfacial effects on the tunneling magnetoresistance in La0.7Sr0.3MnO3/MgO/Fe tunneling junctions

Autores
Galceran, R.; Balcells, Ll.; Martinez Boubeta, C.; Bozzo, B.; Cisneros Fernández, J.; de la Mata, Manuel; Magén, C.; Arbiol, J.; Tornos, J.; Cuellar, F. A.; Sefrioui, Z.; Cebollada, A.; Golmar, Federico; Hueso, Luis E.; Casanova, F.; Santamaría, J.; Martinez, B.
Año de publicación
2015
Idioma
inglés
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
We report on magnetotransport properties on La0.7Sr0.3MnO3/MgO/Fe tunnel junctions grown epitaxially on top of (001)-oriented SrTiO3 substrates by sputtering. It is shown that the magnetoresistive response depends critically on the MgO/Fe interfacial properties. The appearance of an FeOX layer by the interface destroys the DELTA1 symmetry filtering effect of the MgO/Fe system and only a small negative tunneling magnetoresistance (TMR) (∼ −3%) is measured. However, in annealed samples a switchover from positive TMR (∼ +25% at 70 K) to negative TMR (∼ −1%) is observed around 120 K. This change is associated with the transition from semiconducting at high T to insulating at low T taking place at the Verwey transition (TV ∼ 120 K) in Fe3O4, thus suggesting the formation of a very thin slab of magnetite at the MgO/Fe interface during annealing treatments.These results highlight the relevance of interfacial properties on the tunneling conduction process and how it can be substantially modified through appropriate interface engineering.
Fil: Galceran, R.. Consejo Superior de Investigaciones Científicas. Instituto de Ciencia de los Materiales de Barcelona; España
Fil: Balcells, Ll.. Consejo Superior de Investigaciones Científicas. Instituto de Ciencia de los Materiales de Barcelona; España
Fil: Martinez Boubeta, C.. Universidad de Barcelona; España
Fil: Bozzo, B.. Consejo Superior de Investigaciones Científicas. Instituto de Ciencia de los Materiales de Barcelona; España
Fil: Cisneros Fernández, J.. Consejo Superior de Investigaciones Científicas. Instituto de Ciencia de los Materiales de Barcelona; España
Fil: de la Mata, Manuel. Consejo Superior de Investigaciones Científicas. Instituto de Ciencia de los Materiales de Barcelona; España
Fil: Magén, C.. Universidad de Zaragoza; España
Fil: Arbiol, J.. Consejo Superior de Investigaciones Científicas. Instituto de Ciencia de los Materiales de Barcelona; España. Institució Catalana de Recerca i Estudis Avancats; España
Fil: Tornos, J.. Universidad Complutense de Madrid; España
Fil: Cuellar, F. A.. Universidad Complutense de Madrid; España
Fil: Sefrioui, Z.. Universidad Complutense de Madrid; España
Fil: Cebollada, A.. Instituto de Microelectrónica de Madrid; España. Consejo Superior de Investigaciones Científicas; España
Fil: Golmar, Federico. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Hueso, Luis E.. Fundación Vasca para la Ciencia; España. CIC nanoGUNE; España
Fil: Casanova, F.. Fundación Vasca para la Ciencia; España. CIC nanoGUNE; España
Fil: Santamaría, J.. Universidad Complutense de Madrid; España
Fil: Martinez, B.. Consejo Superior de Investigaciones Científicas. Instituto de Ciencia de los Materiales de Barcelona; España
Materia
Tunneling Magnetoresistance
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
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Repositorio
CONICET Digital (CONICET)
Institución
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
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