Design and Evaluation of a Hall Sensor with Different Hall Plate Geometries in a 0.5 um CMOS Process

Autores
Ronis, Nicolás; García Inza, Mariano Andrés
Año de publicación
2017
Idioma
inglés
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
An integrated Hall sensor was designed and fabricated in a 0.5μm CMOS ONC5N/F process provided by MOSIS. On it, four different Hall Plate geometries were integrated in order to analyze their sensitivity and resistance over temperature from -40°C up to 165°C. Furthermore, an amplifier and a current spinning system to remove the amplifier and Hall Plate offset were designed and placed in the same chip. The results show a better sensitivity performance in the cross-shaped Hall Plate and a linear behavior of the sensor in the range of operation tested.
Un sensor Hall integrado fue diseñado y fabricado en un proceso CMOS ONC5N/F de 0.5μm provisto por MOSIS. Dentro del mismo, cuatro placas Hall con distintas geometrías fueron integradas con el objetivo de analizar su sensibilidad y resistencia desde -40°C hasta 165°C. Dentro del mismo chip también se integraron y diseñaron un amplificador y un sistema de rotación de corriente para remover su offset. Los resultados muestran una mayor sensibilidad en la placa Hall con forma de cruz y un comportamiento lineal del sensor dentro de su rango de operación.
Fil: Ronis, Nicolás. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería; Argentina
Fil: García Inza, Mariano Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina
Materia
HALL PLATE
CMOS
MAGNETIC FIELD SENSOR
SOLID STATE CIRCUITS
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/ar/
Repositorio
CONICET Digital (CONICET)
Institución
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
OAI Identificador
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Un sensor Hall integrado fue diseñado y fabricado en un proceso CMOS ONC5N/F de 0.5μm provisto por MOSIS. Dentro del mismo, cuatro placas Hall con distintas geometrías fueron integradas con el objetivo de analizar su sensibilidad y resistencia desde -40°C hasta 165°C. Dentro del mismo chip también se integraron y diseñaron un amplificador y un sistema de rotación de corriente para remover su offset. Los resultados muestran una mayor sensibilidad en la placa Hall con forma de cruz y un comportamiento lineal del sensor dentro de su rango de operación.
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