Caracterización de una muestra de ϵGa2O3 dopada a partir de su foto-respuesta
- Autores
- Saracho, Santiago; Figueroa, Carlos; Marín Ramírez, Oscar Alonso
- Año de publicación
- 2023
- Idioma
- español castellano
- Tipo de recurso
- documento de conferencia
- Estado
- versión publicada
- Descripción
- A partir de considerar a la conducción eléctrica en un film semiconductor comoun proceso de transmisión de partículas a través de un medio activo, se puedenobtener expresiones simples para los coeficientes de transporte en un modelo bipolar. Debido a su simplicidad, con esta formulación se puede abordar la descripcióndel transporte complejo de carga, en el que participan múltiples procesos de absorción y generación de portadores. Un ejemplo de esto es la respuesta eléctricade un film fotoconductor sometido a la radiación de frecuencia adecuada. Estarespuesta puede calcularse analíticamente a partir de un modelo de bandas y defectos. A partir del ajuste entre las curvas medidas y teóricas es posible validarel modelo propuesto y caracterizar la muestra. Como un ejemplo, evaluamos unapelícula delgada de ϵGa2O3 dopada con Mg, obteniendo estimaciones para movilidades de electrones y huecos, secciones transversales de recombinación y capturade portadores por defectos, concentraciones de defectos y densidad de estados delas bandas.
Fil: Saracho, Santiago. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología; Argentina
Fil: Figueroa, Carlos. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología; Argentina
Fil: Marín Ramírez, Oscar Alonso. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología; Argentina
108º Reunión Asociación Física Argentina
Bahía Blanca
Argentina
Asociación Física Argentina - Materia
-
FOTOCONDUCTIVIDAD
PELICULAS DELGADAS
ϵGa2O3 - Nivel de accesibilidad
- acceso abierto
- Condiciones de uso
- https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
- Repositorio
- Institución
- Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
- OAI Identificador
- oai:ri.conicet.gov.ar:11336/243573
Ver los metadatos del registro completo
id |
CONICETDig_b9cbf2ec04ade988e4a4337d43db806c |
---|---|
oai_identifier_str |
oai:ri.conicet.gov.ar:11336/243573 |
network_acronym_str |
CONICETDig |
repository_id_str |
3498 |
network_name_str |
CONICET Digital (CONICET) |
spelling |
Caracterización de una muestra de ϵGa2O3 dopada a partir de su foto-respuestaSaracho, SantiagoFigueroa, CarlosMarín Ramírez, Oscar AlonsoFOTOCONDUCTIVIDADPELICULAS DELGADASϵGa2O3https://purl.org/becyt/ford/1.3https://purl.org/becyt/ford/1A partir de considerar a la conducción eléctrica en un film semiconductor comoun proceso de transmisión de partículas a través de un medio activo, se puedenobtener expresiones simples para los coeficientes de transporte en un modelo bipolar. Debido a su simplicidad, con esta formulación se puede abordar la descripcióndel transporte complejo de carga, en el que participan múltiples procesos de absorción y generación de portadores. Un ejemplo de esto es la respuesta eléctricade un film fotoconductor sometido a la radiación de frecuencia adecuada. Estarespuesta puede calcularse analíticamente a partir de un modelo de bandas y defectos. A partir del ajuste entre las curvas medidas y teóricas es posible validarel modelo propuesto y caracterizar la muestra. Como un ejemplo, evaluamos unapelícula delgada de ϵGa2O3 dopada con Mg, obteniendo estimaciones para movilidades de electrones y huecos, secciones transversales de recombinación y capturade portadores por defectos, concentraciones de defectos y densidad de estados delas bandas.Fil: Saracho, Santiago. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología; ArgentinaFil: Figueroa, Carlos. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología; ArgentinaFil: Marín Ramírez, Oscar Alonso. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología; Argentina108º Reunión Asociación Física ArgentinaBahía BlancaArgentinaAsociación Física ArgentinaAsociación Física Argentina2023info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/conferenceObjectReuniónBookhttp://purl.org/coar/resource_type/c_5794info:ar-repo/semantics/documentoDeConferenciaapplication/pdfapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/11336/243573Caracterización de una muestra de ϵGa2O3 dopada a partir de su foto-respuesta; 108º Reunión Asociación Física Argentina; Bahía Blanca; Argentina; 2023; 293-293CONICET DigitalCONICETspainfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://www.fisica.org.ar/actividades/rafas/libros-de-resumenes/Nacionalinfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/reponame:CONICET Digital (CONICET)instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas2025-09-29T10:02:40Zoai:ri.conicet.gov.ar:11336/243573instacron:CONICETInstitucionalhttp://ri.conicet.gov.ar/Organismo científico-tecnológicoNo correspondehttp://ri.conicet.gov.ar/oai/requestdasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:34982025-09-29 10:02:41.196CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicasfalse |
dc.title.none.fl_str_mv |
Caracterización de una muestra de ϵGa2O3 dopada a partir de su foto-respuesta |
title |
Caracterización de una muestra de ϵGa2O3 dopada a partir de su foto-respuesta |
spellingShingle |
Caracterización de una muestra de ϵGa2O3 dopada a partir de su foto-respuesta Saracho, Santiago FOTOCONDUCTIVIDAD PELICULAS DELGADAS ϵGa2O3 |
title_short |
Caracterización de una muestra de ϵGa2O3 dopada a partir de su foto-respuesta |
title_full |
Caracterización de una muestra de ϵGa2O3 dopada a partir de su foto-respuesta |
title_fullStr |
Caracterización de una muestra de ϵGa2O3 dopada a partir de su foto-respuesta |
title_full_unstemmed |
Caracterización de una muestra de ϵGa2O3 dopada a partir de su foto-respuesta |
title_sort |
Caracterización de una muestra de ϵGa2O3 dopada a partir de su foto-respuesta |
dc.creator.none.fl_str_mv |
Saracho, Santiago Figueroa, Carlos Marín Ramírez, Oscar Alonso |
author |
Saracho, Santiago |
author_facet |
Saracho, Santiago Figueroa, Carlos Marín Ramírez, Oscar Alonso |
author_role |
author |
author2 |
Figueroa, Carlos Marín Ramírez, Oscar Alonso |
author2_role |
author author |
dc.subject.none.fl_str_mv |
FOTOCONDUCTIVIDAD PELICULAS DELGADAS ϵGa2O3 |
topic |
FOTOCONDUCTIVIDAD PELICULAS DELGADAS ϵGa2O3 |
purl_subject.fl_str_mv |
https://purl.org/becyt/ford/1.3 https://purl.org/becyt/ford/1 |
dc.description.none.fl_txt_mv |
A partir de considerar a la conducción eléctrica en un film semiconductor comoun proceso de transmisión de partículas a través de un medio activo, se puedenobtener expresiones simples para los coeficientes de transporte en un modelo bipolar. Debido a su simplicidad, con esta formulación se puede abordar la descripcióndel transporte complejo de carga, en el que participan múltiples procesos de absorción y generación de portadores. Un ejemplo de esto es la respuesta eléctricade un film fotoconductor sometido a la radiación de frecuencia adecuada. Estarespuesta puede calcularse analíticamente a partir de un modelo de bandas y defectos. A partir del ajuste entre las curvas medidas y teóricas es posible validarel modelo propuesto y caracterizar la muestra. Como un ejemplo, evaluamos unapelícula delgada de ϵGa2O3 dopada con Mg, obteniendo estimaciones para movilidades de electrones y huecos, secciones transversales de recombinación y capturade portadores por defectos, concentraciones de defectos y densidad de estados delas bandas. Fil: Saracho, Santiago. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología; Argentina Fil: Figueroa, Carlos. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología; Argentina Fil: Marín Ramírez, Oscar Alonso. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología; Argentina 108º Reunión Asociación Física Argentina Bahía Blanca Argentina Asociación Física Argentina |
description |
A partir de considerar a la conducción eléctrica en un film semiconductor comoun proceso de transmisión de partículas a través de un medio activo, se puedenobtener expresiones simples para los coeficientes de transporte en un modelo bipolar. Debido a su simplicidad, con esta formulación se puede abordar la descripcióndel transporte complejo de carga, en el que participan múltiples procesos de absorción y generación de portadores. Un ejemplo de esto es la respuesta eléctricade un film fotoconductor sometido a la radiación de frecuencia adecuada. Estarespuesta puede calcularse analíticamente a partir de un modelo de bandas y defectos. A partir del ajuste entre las curvas medidas y teóricas es posible validarel modelo propuesto y caracterizar la muestra. Como un ejemplo, evaluamos unapelícula delgada de ϵGa2O3 dopada con Mg, obteniendo estimaciones para movilidades de electrones y huecos, secciones transversales de recombinación y capturade portadores por defectos, concentraciones de defectos y densidad de estados delas bandas. |
publishDate |
2023 |
dc.date.none.fl_str_mv |
2023 |
dc.type.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/publishedVersion info:eu-repo/semantics/conferenceObject Reunión Book http://purl.org/coar/resource_type/c_5794 info:ar-repo/semantics/documentoDeConferencia |
status_str |
publishedVersion |
format |
conferenceObject |
dc.identifier.none.fl_str_mv |
http://hdl.handle.net/11336/243573 Caracterización de una muestra de ϵGa2O3 dopada a partir de su foto-respuesta; 108º Reunión Asociación Física Argentina; Bahía Blanca; Argentina; 2023; 293-293 CONICET Digital CONICET |
url |
http://hdl.handle.net/11336/243573 |
identifier_str_mv |
Caracterización de una muestra de ϵGa2O3 dopada a partir de su foto-respuesta; 108º Reunión Asociación Física Argentina; Bahía Blanca; Argentina; 2023; 293-293 CONICET Digital CONICET |
dc.language.none.fl_str_mv |
spa |
language |
spa |
dc.relation.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://www.fisica.org.ar/actividades/rafas/libros-de-resumenes/ |
dc.rights.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/ |
eu_rights_str_mv |
openAccess |
rights_invalid_str_mv |
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/ |
dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf application/pdf |
dc.coverage.none.fl_str_mv |
Nacional |
dc.publisher.none.fl_str_mv |
Asociación Física Argentina |
publisher.none.fl_str_mv |
Asociación Física Argentina |
dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:CONICET Digital (CONICET) instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
reponame_str |
CONICET Digital (CONICET) |
collection |
CONICET Digital (CONICET) |
instname_str |
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
repository.name.fl_str_mv |
CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
repository.mail.fl_str_mv |
dasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.ar |
_version_ |
1844613834315137024 |
score |
13.070432 |