Anomalous Hall effect in MnAs: Intrinsic contribution due to Berry curvature

Autores
Helman, C.; Camjayi, Alberto; Islam, E.; Akabori, M.; Thevenard, L.; Gourdon, C.; Tortarolo, Marina del Carmen
Año de publicación
2021
Idioma
inglés
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
We present an experimental and theoretical study of the anomalous Hall effect (AHE) in MnAs epilayers grown over GaAs, with the aim to identify the intrinsic contribution to the AHE, which can be accurately evaluated using ab initio electronic structure calculations. Our magnetotransport measurements show a quadratic behavior of the Hall resistivity with longitudinal resistivity, characteristic of scattering-independent processes, thus enabling the comparison with our ab initio calculations. The calculated Berry phase contribution to the AHE is in quantitative agreement with the measured AHE in these epilayers. Moreover, the predicted anisotropic dependence of the experimental AHE on the magnetization is well reproduced.
Fil: Helman, C.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina
Fil: Camjayi, Alberto. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Instituto de Física de Buenos Aires. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Instituto de Física de Buenos Aires; Argentina
Fil: Islam, E.. Cnmt - Jaist; Japón
Fil: Akabori, M.. Center For Nano Materials And Technology - Jaist; Japón
Fil: Thevenard, L.. Sorbonne University; Francia
Fil: Gourdon, C.. Sorbonne University; Francia
Fil: Tortarolo, Marina del Carmen. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Constituyentes | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Constituyentes; Argentina
Materia
MnAs
BERRY
CURVATURE
HALL
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
Repositorio
CONICET Digital (CONICET)
Institución
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
OAI Identificador
oai:ri.conicet.gov.ar:11336/181295

id CONICETDig_b93d8304a7fb1e20e9fc12f1c6762626
oai_identifier_str oai:ri.conicet.gov.ar:11336/181295
network_acronym_str CONICETDig
repository_id_str 3498
network_name_str CONICET Digital (CONICET)
spelling Anomalous Hall effect in MnAs: Intrinsic contribution due to Berry curvatureHelman, C.Camjayi, AlbertoIslam, E.Akabori, M.Thevenard, L.Gourdon, C.Tortarolo, Marina del CarmenMnAsBERRYCURVATUREHALLhttps://purl.org/becyt/ford/1.3https://purl.org/becyt/ford/1We present an experimental and theoretical study of the anomalous Hall effect (AHE) in MnAs epilayers grown over GaAs, with the aim to identify the intrinsic contribution to the AHE, which can be accurately evaluated using ab initio electronic structure calculations. Our magnetotransport measurements show a quadratic behavior of the Hall resistivity with longitudinal resistivity, characteristic of scattering-independent processes, thus enabling the comparison with our ab initio calculations. The calculated Berry phase contribution to the AHE is in quantitative agreement with the measured AHE in these epilayers. Moreover, the predicted anisotropic dependence of the experimental AHE on the magnetization is well reproduced.Fil: Helman, C.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; ArgentinaFil: Camjayi, Alberto. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Instituto de Física de Buenos Aires. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Instituto de Física de Buenos Aires; ArgentinaFil: Islam, E.. Cnmt - Jaist; JapónFil: Akabori, M.. Center For Nano Materials And Technology - Jaist; JapónFil: Thevenard, L.. Sorbonne University; FranciaFil: Gourdon, C.. Sorbonne University; FranciaFil: Tortarolo, Marina del Carmen. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Constituyentes | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Constituyentes; ArgentinaAmerican Physical Society2021-04info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/11336/181295Helman, C.; Camjayi, Alberto; Islam, E.; Akabori, M.; Thevenard, L.; et al.; Anomalous Hall effect in MnAs: Intrinsic contribution due to Berry curvature; American Physical Society; Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics; 103; 13; 4-2021; 1-61098-01212469-9969CONICET DigitalCONICETenginfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.103.134408info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1103/PhysRevB.103.134408info:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/reponame:CONICET Digital (CONICET)instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas2025-09-03T10:08:01Zoai:ri.conicet.gov.ar:11336/181295instacron:CONICETInstitucionalhttp://ri.conicet.gov.ar/Organismo científico-tecnológicoNo correspondehttp://ri.conicet.gov.ar/oai/requestdasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:34982025-09-03 10:08:01.625CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicasfalse
dc.title.none.fl_str_mv Anomalous Hall effect in MnAs: Intrinsic contribution due to Berry curvature
title Anomalous Hall effect in MnAs: Intrinsic contribution due to Berry curvature
spellingShingle Anomalous Hall effect in MnAs: Intrinsic contribution due to Berry curvature
Helman, C.
MnAs
BERRY
CURVATURE
HALL
title_short Anomalous Hall effect in MnAs: Intrinsic contribution due to Berry curvature
title_full Anomalous Hall effect in MnAs: Intrinsic contribution due to Berry curvature
title_fullStr Anomalous Hall effect in MnAs: Intrinsic contribution due to Berry curvature
title_full_unstemmed Anomalous Hall effect in MnAs: Intrinsic contribution due to Berry curvature
title_sort Anomalous Hall effect in MnAs: Intrinsic contribution due to Berry curvature
dc.creator.none.fl_str_mv Helman, C.
Camjayi, Alberto
Islam, E.
Akabori, M.
Thevenard, L.
Gourdon, C.
Tortarolo, Marina del Carmen
author Helman, C.
author_facet Helman, C.
Camjayi, Alberto
Islam, E.
Akabori, M.
Thevenard, L.
Gourdon, C.
Tortarolo, Marina del Carmen
author_role author
author2 Camjayi, Alberto
Islam, E.
Akabori, M.
Thevenard, L.
Gourdon, C.
Tortarolo, Marina del Carmen
author2_role author
author
author
author
author
author
dc.subject.none.fl_str_mv MnAs
BERRY
CURVATURE
HALL
topic MnAs
BERRY
CURVATURE
HALL
purl_subject.fl_str_mv https://purl.org/becyt/ford/1.3
https://purl.org/becyt/ford/1
dc.description.none.fl_txt_mv We present an experimental and theoretical study of the anomalous Hall effect (AHE) in MnAs epilayers grown over GaAs, with the aim to identify the intrinsic contribution to the AHE, which can be accurately evaluated using ab initio electronic structure calculations. Our magnetotransport measurements show a quadratic behavior of the Hall resistivity with longitudinal resistivity, characteristic of scattering-independent processes, thus enabling the comparison with our ab initio calculations. The calculated Berry phase contribution to the AHE is in quantitative agreement with the measured AHE in these epilayers. Moreover, the predicted anisotropic dependence of the experimental AHE on the magnetization is well reproduced.
Fil: Helman, C.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina
Fil: Camjayi, Alberto. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Instituto de Física de Buenos Aires. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Instituto de Física de Buenos Aires; Argentina
Fil: Islam, E.. Cnmt - Jaist; Japón
Fil: Akabori, M.. Center For Nano Materials And Technology - Jaist; Japón
Fil: Thevenard, L.. Sorbonne University; Francia
Fil: Gourdon, C.. Sorbonne University; Francia
Fil: Tortarolo, Marina del Carmen. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Constituyentes | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Constituyentes; Argentina
description We present an experimental and theoretical study of the anomalous Hall effect (AHE) in MnAs epilayers grown over GaAs, with the aim to identify the intrinsic contribution to the AHE, which can be accurately evaluated using ab initio electronic structure calculations. Our magnetotransport measurements show a quadratic behavior of the Hall resistivity with longitudinal resistivity, characteristic of scattering-independent processes, thus enabling the comparison with our ab initio calculations. The calculated Berry phase contribution to the AHE is in quantitative agreement with the measured AHE in these epilayers. Moreover, the predicted anisotropic dependence of the experimental AHE on the magnetization is well reproduced.
publishDate 2021
dc.date.none.fl_str_mv 2021-04
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv http://hdl.handle.net/11336/181295
Helman, C.; Camjayi, Alberto; Islam, E.; Akabori, M.; Thevenard, L.; et al.; Anomalous Hall effect in MnAs: Intrinsic contribution due to Berry curvature; American Physical Society; Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics; 103; 13; 4-2021; 1-6
1098-0121
2469-9969
CONICET Digital
CONICET
url http://hdl.handle.net/11336/181295
identifier_str_mv Helman, C.; Camjayi, Alberto; Islam, E.; Akabori, M.; Thevenard, L.; et al.; Anomalous Hall effect in MnAs: Intrinsic contribution due to Berry curvature; American Physical Society; Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics; 103; 13; 4-2021; 1-6
1098-0121
2469-9969
CONICET Digital
CONICET
dc.language.none.fl_str_mv eng
language eng
dc.relation.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.103.134408
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1103/PhysRevB.103.134408
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv American Physical Society
publisher.none.fl_str_mv American Physical Society
dc.source.none.fl_str_mv reponame:CONICET Digital (CONICET)
instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
reponame_str CONICET Digital (CONICET)
collection CONICET Digital (CONICET)
instname_str Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
repository.name.fl_str_mv CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
repository.mail.fl_str_mv dasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.ar
_version_ 1842270027960549376
score 13.13397