Calidad cristalina del ZnSe obtenido por transporte químico con I2 como portador gaseoso

Autores
Trigubo, Alicia Beatriz; Di Stefano, María Cristina; D'elia, Raul Luis; Canepa, Horacio Ricardo; Heredia, Eduardo Armando; Aguirre, M. H.
Año de publicación
2007
Idioma
inglés
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Se estudió la presencia de dislocaciones en ZnSe monocristalino obtenido por transporte químico utilizando I2 como portador gaseoso. Para ello se utilizó microscopía electrónica de transmisión que evidenció, en el rango micrométrico y nanométrico, ausencia de defectos, por lo que fue necesario estudiar áreas mayores del material mediante revelado químico. La densidad de dislocaciones y la desorientación entre subgranos contiguos en obleas de ZnSe fueron determinadas mediante el uso de distintos reactivos que permiten la obtención de figuras de corrosión. Se presentan y comparan los resultados micrográficos obtenidos con las diferentes soluciones, determinándose las ventajas relativas. Se midió la transmitancia del ZnSe con un espectrómetro infrarrojo de transmisión resultando comparable a la obtenida para sustratos comerciales utilizados como ventanas. La caracterización realizada permite afirmar que la calidad cristalina del material obtenido es la adecuada para su aplicación en ventanas ópticas.
The presence of dislocations was studied in single crystalline ZnSe grown by chemical transport using I2 as gaseous carrier. The presence of defects was not determined in the micrometric and nanometric range employing transmission electronic microscopy in order to study larger material areas was used chemical etching. Dislocation density and adjacent subgrain misorientation were obtained by chemical etching using different reagents. Micrographic results were shown and compared to determine reagents relative advantages. The transmittance of ZnSe was measured using a Fourier transform infrared spectrometer. Commercial substrates used as windows have comparable results to our grown material wafers. This characterization proves that the semiconductor crystalline quality is appropriate for optical windows.
Fil: Trigubo, Alicia Beatriz. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; Argentina
Fil: Di Stefano, María Cristina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; Argentina
Fil: D'elia, Raul Luis. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Instituto de Investigaciones Científicas y Técnicas de las Fuerzas Armadas. Centro de Investigaciones en Sólidos; Argentina
Fil: Canepa, Horacio Ricardo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Instituto de Investigaciones Científicas y Técnicas de las Fuerzas Armadas. Centro de Investigaciones en Sólidos; Argentina
Fil: Heredia, Eduardo Armando. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Instituto de Investigaciones Científicas y Técnicas de las Fuerzas Armadas. Centro de Investigaciones en Sólidos; Argentina
Fil: Aguirre, M. H.. Universidad Complutense de Madrid; España
Materia
ZnSe monocristalino
Semiconductores II-VI
Transporte Químico (I2)
Revelado químico
Microscopía electrónica de barrido y transmisión
Espectrometría infrarroja de transmisión
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
Repositorio
CONICET Digital (CONICET)
Institución
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
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The presence of dislocations was studied in single crystalline ZnSe grown by chemical transport using I2 as gaseous carrier. The presence of defects was not determined in the micrometric and nanometric range employing transmission electronic microscopy in order to study larger material areas was used chemical etching. Dislocation density and adjacent subgrain misorientation were obtained by chemical etching using different reagents. Micrographic results were shown and compared to determine reagents relative advantages. The transmittance of ZnSe was measured using a Fourier transform infrared spectrometer. Commercial substrates used as windows have comparable results to our grown material wafers. This characterization proves that the semiconductor crystalline quality is appropriate for optical windows.
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