Epitaxial ferroelectric memristors integrated with silicon
- Autores
- Rengifo Morocho, Miguel Andrés; Aguirre, Myriam H.; Sirena, Martin; Lüders, Ulrike; Rubi, Diego
- Año de publicación
- 2022
- Idioma
- inglés
- Tipo de recurso
- artículo
- Estado
- versión publicada
- Descripción
- Neuromorphic computing requires the development of solid-state units able to electrically mimic the behavior of biological neurons and synapses. This can be achieved by developing memristive systems based on ferroelectric oxides. In this work we fabricate and characterize high quality epitaxial BaTiO3-based memristors integrated with silicon. After proving the ferroelectric character of BaTiO3 we tested the memristive response of LaNiO3/BaTiO3/Pt microstructures and found a complex behavior which includes the co-existence of volatile and non-volatile effects, arising from the modulation of the BaTiO3/Pt Schottky interface by the direction of the polarization coupled to oxygen vacancy electromigration to/from the interface. This produces remanent resistance loops with tunable ON/OFF ratio and asymmetric resistance relaxations. These properties might be harnessed for the development of neuromorphic hardware compatible with existing silicon-based technology.
Fil: Rengifo Morocho, Miguel Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Constituyentes | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Constituyentes; Argentina
Fil: Aguirre, Myriam H.. Universidad de Zaragoza; España
Fil: Sirena, Martin. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche; Argentina
Fil: Lüders, Ulrike. Centre National de la Recherche Scientifique; Francia
Fil: Rubi, Diego. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Constituyentes | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Constituyentes; Argentina - Materia
-
FERROELECTRICS
INTEGRATION WITH SILICON
MEMRISTORS
NEUROMORPHIC COMPUTING
PEROVSKITES - Nivel de accesibilidad
- acceso abierto
- Condiciones de uso
- https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
- Repositorio
- Institución
- Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
- OAI Identificador
- oai:ri.conicet.gov.ar:11336/217858
Ver los metadatos del registro completo
id |
CONICETDig_83fb95001a8b16e13494be0794b48eb3 |
---|---|
oai_identifier_str |
oai:ri.conicet.gov.ar:11336/217858 |
network_acronym_str |
CONICETDig |
repository_id_str |
3498 |
network_name_str |
CONICET Digital (CONICET) |
spelling |
Epitaxial ferroelectric memristors integrated with siliconRengifo Morocho, Miguel AndrésAguirre, Myriam H.Sirena, MartinLüders, UlrikeRubi, DiegoFERROELECTRICSINTEGRATION WITH SILICONMEMRISTORSNEUROMORPHIC COMPUTINGPEROVSKITEShttps://purl.org/becyt/ford/1.3https://purl.org/becyt/ford/1Neuromorphic computing requires the development of solid-state units able to electrically mimic the behavior of biological neurons and synapses. This can be achieved by developing memristive systems based on ferroelectric oxides. In this work we fabricate and characterize high quality epitaxial BaTiO3-based memristors integrated with silicon. After proving the ferroelectric character of BaTiO3 we tested the memristive response of LaNiO3/BaTiO3/Pt microstructures and found a complex behavior which includes the co-existence of volatile and non-volatile effects, arising from the modulation of the BaTiO3/Pt Schottky interface by the direction of the polarization coupled to oxygen vacancy electromigration to/from the interface. This produces remanent resistance loops with tunable ON/OFF ratio and asymmetric resistance relaxations. These properties might be harnessed for the development of neuromorphic hardware compatible with existing silicon-based technology.Fil: Rengifo Morocho, Miguel Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Constituyentes | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Constituyentes; ArgentinaFil: Aguirre, Myriam H.. Universidad de Zaragoza; EspañaFil: Sirena, Martin. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche; ArgentinaFil: Lüders, Ulrike. Centre National de la Recherche Scientifique; FranciaFil: Rubi, Diego. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Constituyentes | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Constituyentes; ArgentinaFrontiers Media2022-12info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/11336/217858Rengifo Morocho, Miguel Andrés; Aguirre, Myriam H.; Sirena, Martin; Lüders, Ulrike; Rubi, Diego; Epitaxial ferroelectric memristors integrated with silicon; Frontiers Media; Frontiers in Nanotechnology; 4; 12-2022; 1-122673-3013CONICET DigitalCONICETenginfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.3389/fnano.2022.1092177info:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/reponame:CONICET Digital (CONICET)instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas2025-09-29T10:14:13Zoai:ri.conicet.gov.ar:11336/217858instacron:CONICETInstitucionalhttp://ri.conicet.gov.ar/Organismo científico-tecnológicoNo correspondehttp://ri.conicet.gov.ar/oai/requestdasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:34982025-09-29 10:14:13.813CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicasfalse |
dc.title.none.fl_str_mv |
Epitaxial ferroelectric memristors integrated with silicon |
title |
Epitaxial ferroelectric memristors integrated with silicon |
spellingShingle |
Epitaxial ferroelectric memristors integrated with silicon Rengifo Morocho, Miguel Andrés FERROELECTRICS INTEGRATION WITH SILICON MEMRISTORS NEUROMORPHIC COMPUTING PEROVSKITES |
title_short |
Epitaxial ferroelectric memristors integrated with silicon |
title_full |
Epitaxial ferroelectric memristors integrated with silicon |
title_fullStr |
Epitaxial ferroelectric memristors integrated with silicon |
title_full_unstemmed |
Epitaxial ferroelectric memristors integrated with silicon |
title_sort |
Epitaxial ferroelectric memristors integrated with silicon |
dc.creator.none.fl_str_mv |
Rengifo Morocho, Miguel Andrés Aguirre, Myriam H. Sirena, Martin Lüders, Ulrike Rubi, Diego |
author |
Rengifo Morocho, Miguel Andrés |
author_facet |
Rengifo Morocho, Miguel Andrés Aguirre, Myriam H. Sirena, Martin Lüders, Ulrike Rubi, Diego |
author_role |
author |
author2 |
Aguirre, Myriam H. Sirena, Martin Lüders, Ulrike Rubi, Diego |
author2_role |
author author author author |
dc.subject.none.fl_str_mv |
FERROELECTRICS INTEGRATION WITH SILICON MEMRISTORS NEUROMORPHIC COMPUTING PEROVSKITES |
topic |
FERROELECTRICS INTEGRATION WITH SILICON MEMRISTORS NEUROMORPHIC COMPUTING PEROVSKITES |
purl_subject.fl_str_mv |
https://purl.org/becyt/ford/1.3 https://purl.org/becyt/ford/1 |
dc.description.none.fl_txt_mv |
Neuromorphic computing requires the development of solid-state units able to electrically mimic the behavior of biological neurons and synapses. This can be achieved by developing memristive systems based on ferroelectric oxides. In this work we fabricate and characterize high quality epitaxial BaTiO3-based memristors integrated with silicon. After proving the ferroelectric character of BaTiO3 we tested the memristive response of LaNiO3/BaTiO3/Pt microstructures and found a complex behavior which includes the co-existence of volatile and non-volatile effects, arising from the modulation of the BaTiO3/Pt Schottky interface by the direction of the polarization coupled to oxygen vacancy electromigration to/from the interface. This produces remanent resistance loops with tunable ON/OFF ratio and asymmetric resistance relaxations. These properties might be harnessed for the development of neuromorphic hardware compatible with existing silicon-based technology. Fil: Rengifo Morocho, Miguel Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Constituyentes | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Constituyentes; Argentina Fil: Aguirre, Myriam H.. Universidad de Zaragoza; España Fil: Sirena, Martin. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche; Argentina Fil: Lüders, Ulrike. Centre National de la Recherche Scientifique; Francia Fil: Rubi, Diego. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Constituyentes | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Constituyentes; Argentina |
description |
Neuromorphic computing requires the development of solid-state units able to electrically mimic the behavior of biological neurons and synapses. This can be achieved by developing memristive systems based on ferroelectric oxides. In this work we fabricate and characterize high quality epitaxial BaTiO3-based memristors integrated with silicon. After proving the ferroelectric character of BaTiO3 we tested the memristive response of LaNiO3/BaTiO3/Pt microstructures and found a complex behavior which includes the co-existence of volatile and non-volatile effects, arising from the modulation of the BaTiO3/Pt Schottky interface by the direction of the polarization coupled to oxygen vacancy electromigration to/from the interface. This produces remanent resistance loops with tunable ON/OFF ratio and asymmetric resistance relaxations. These properties might be harnessed for the development of neuromorphic hardware compatible with existing silicon-based technology. |
publishDate |
2022 |
dc.date.none.fl_str_mv |
2022-12 |
dc.type.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 info:ar-repo/semantics/articulo |
format |
article |
status_str |
publishedVersion |
dc.identifier.none.fl_str_mv |
http://hdl.handle.net/11336/217858 Rengifo Morocho, Miguel Andrés; Aguirre, Myriam H.; Sirena, Martin; Lüders, Ulrike; Rubi, Diego; Epitaxial ferroelectric memristors integrated with silicon; Frontiers Media; Frontiers in Nanotechnology; 4; 12-2022; 1-12 2673-3013 CONICET Digital CONICET |
url |
http://hdl.handle.net/11336/217858 |
identifier_str_mv |
Rengifo Morocho, Miguel Andrés; Aguirre, Myriam H.; Sirena, Martin; Lüders, Ulrike; Rubi, Diego; Epitaxial ferroelectric memristors integrated with silicon; Frontiers Media; Frontiers in Nanotechnology; 4; 12-2022; 1-12 2673-3013 CONICET Digital CONICET |
dc.language.none.fl_str_mv |
eng |
language |
eng |
dc.relation.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.3389/fnano.2022.1092177 |
dc.rights.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/ |
eu_rights_str_mv |
openAccess |
rights_invalid_str_mv |
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/ |
dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf application/pdf |
dc.publisher.none.fl_str_mv |
Frontiers Media |
publisher.none.fl_str_mv |
Frontiers Media |
dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:CONICET Digital (CONICET) instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
reponame_str |
CONICET Digital (CONICET) |
collection |
CONICET Digital (CONICET) |
instname_str |
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
repository.name.fl_str_mv |
CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
repository.mail.fl_str_mv |
dasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.ar |
_version_ |
1844614067233226752 |
score |
13.070432 |