Growth of AlF3 thin films on GaAs(110). Structure and chemical stability

Autores
Vergara, L.I.; Vidal, Ricardo Alberto; Ferron, Julio; Sánchez, Esteban Alejandro; Grizzi, Oscar
Año de publicación
2001
Idioma
inglés
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
The growth process of AlF3 films on GaAs, from submonolayer coverage up to several layers, habe been characterized by means of Auger electron spectroscopy, ion sputter depth profiling, and direct recoiling spectroscopy with time of flight analyisis. The chemicalcomposition and the surface structure were studied for films grown at room temperature and after annealing the films up to 400C. The films grow stoichiometrically at RT and no ordering was found in this case. The post-annealing of the AlF3 films produces a loss of fluorine, and a chemical reduction of aluminum with the appearance of a metallic phase. AES and TOF-DRS combined measurements show that while F atoms escape through the surface, metallic Al diffuse into the substrate substituting Ga atoms.
Fil: Vergara, L.I.. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
Fil: Vidal, Ricardo Alberto. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
Fil: Ferron, Julio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
Fil: Sánchez, Esteban Alejandro. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Area de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche); Argentina
Fil: Grizzi, Oscar. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Area de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche); Argentina
Materia
Growth
Alf3
Structure
Stability
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
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Repositorio
CONICET Digital (CONICET)
Institución
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
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Fil: Vergara, L.I.. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
Fil: Vidal, Ricardo Alberto. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
Fil: Ferron, Julio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
Fil: Sánchez, Esteban Alejandro. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Area de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche); Argentina
Fil: Grizzi, Oscar. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Area de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche); Argentina
description The growth process of AlF3 films on GaAs, from submonolayer coverage up to several layers, habe been characterized by means of Auger electron spectroscopy, ion sputter depth profiling, and direct recoiling spectroscopy with time of flight analyisis. The chemicalcomposition and the surface structure were studied for films grown at room temperature and after annealing the films up to 400C. The films grow stoichiometrically at RT and no ordering was found in this case. The post-annealing of the AlF3 films produces a loss of fluorine, and a chemical reduction of aluminum with the appearance of a metallic phase. AES and TOF-DRS combined measurements show that while F atoms escape through the surface, metallic Al diffuse into the substrate substituting Ga atoms.
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