Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales

Autores
Garcés, Felipe Andrés; Acquaroli, Leandro Nicolás; Dussán Cuenca, Anderson; Koropecki, Roberto Román; Arce, Roberto Delio
Año de publicación
2010
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
En este trabajo se presentan resultados de la caracterización eléctrica y estructural de junturas del tipo Schottky, obtenidas a través de la deposición de SnO2:F sobre silicio poroso, utilizando la vía Sol-Gel como mecanismo de deposición. Parámetros estructurales del SnO2, como el parámetro de red y el tamaño de cristal fueron relacionados con la concentración del dopante. También se analizaron los efectos de este dopante (F) sobre algunas propiedades eléctricas como: la resistencia en serie, factor de idealidad, corriente de saturación inversa y corriente foto generada
In this work we present the electrical and structural characterization of a Schottky junction obtained through the deposition of SnO2:F on porous silicon, using the sol-gel as a deposition method. Two fundamental structural parameters of SnO2, the lattice parameter and the crystallite size, were studied in correlation with the dopant concentration. We analyzed the effects of the dopant (F) on the electrical properties of the junction, such as series resistance, ideality factor, reverse saturation current and photogenerated current.
Fil: Garcés, Felipe Andrés. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Acquaroli, Leandro Nicolás. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Dussán Cuenca, Anderson. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Arce, Roberto Delio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2010;02(22):32-36
Materia
DIODO SCHOTTKY
SILICIO POROSO
TCO
SOL-GEL
SCHOTTKY DIODE
POROUS SILICON
TCO
SOL-GEL
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
OAI Identificador
afa:afa_v22_n02_p032
Acceder
id BDUBAFCEN_e3328ed8601ae478eae5dd9e16fcc60e
oai_identifier_str afa:afa_v22_n02_p032
network_acronym_str BDUBAFCEN
repository_id_str 1896
network_name_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
spelling Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructuralesPorous silicon/SnO2:F junction. Effect of doping on the electrical and structural propertiesGarcés, Felipe AndrésAcquaroli, Leandro NicolásDussán Cuenca, AndersonKoropecki, Roberto RománArce, Roberto DelioDIODO SCHOTTKYSILICIO POROSOTCOSOL-GELSCHOTTKY DIODEPOROUS SILICONTCOSOL-GELEn este trabajo se presentan resultados de la caracterización eléctrica y estructural de junturas del tipo Schottky, obtenidas a través de la deposición de SnO2:F sobre silicio poroso, utilizando la vía Sol-Gel como mecanismo de deposición. Parámetros estructurales del SnO2, como el parámetro de red y el tamaño de cristal fueron relacionados con la concentración del dopante. También se analizaron los efectos de este dopante (F) sobre algunas propiedades eléctricas como: la resistencia en serie, factor de idealidad, corriente de saturación inversa y corriente foto generadaIn this work we present the electrical and structural characterization of a Schottky junction obtained through the deposition of SnO2:F on porous silicon, using the sol-gel as a deposition method. Two fundamental structural parameters of SnO2, the lattice parameter and the crystallite size, were studied in correlation with the dopant concentration. We analyzed the effects of the dopant (F) on the electrical properties of the junction, such as series resistance, ideality factor, reverse saturation current and photogenerated current.Fil: Garcés, Felipe Andrés. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaFil: Acquaroli, Leandro Nicolás. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaFil: Dussán Cuenca, Anderson. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaFil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaFil: Arce, Roberto Delio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaAsociación Física Argentina2010info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v22_n02_p032An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2010;02(22):32-36reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesinstacron:UBA-FCENspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar2025-10-16T09:27:40Zafa:afa_v22_n02_p032Institucionalhttps://digital.bl.fcen.uba.ar/Universidad públicaNo correspondehttps://digital.bl.fcen.uba.ar/cgi-bin/oaiserver.cgiana@bl.fcen.uba.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:18962025-10-16 09:27:43.25Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesfalse
dc.title.none.fl_str_mv Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales
Porous silicon/SnO2:F junction. Effect of doping on the electrical and structural properties
title Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales
spellingShingle Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales
Garcés, Felipe Andrés
DIODO SCHOTTKY
SILICIO POROSO
TCO
SOL-GEL
SCHOTTKY DIODE
POROUS SILICON
TCO
SOL-GEL
title_short Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales
title_full Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales
title_fullStr Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales
title_full_unstemmed Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales
title_sort Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales
dc.creator.none.fl_str_mv Garcés, Felipe Andrés
Acquaroli, Leandro Nicolás
Dussán Cuenca, Anderson
Koropecki, Roberto Román
Arce, Roberto Delio
author Garcés, Felipe Andrés
author_facet Garcés, Felipe Andrés
Acquaroli, Leandro Nicolás
Dussán Cuenca, Anderson
Koropecki, Roberto Román
Arce, Roberto Delio
author_role author
author2 Acquaroli, Leandro Nicolás
Dussán Cuenca, Anderson
Koropecki, Roberto Román
Arce, Roberto Delio
author2_role author
author
author
author
dc.subject.none.fl_str_mv DIODO SCHOTTKY
SILICIO POROSO
TCO
SOL-GEL
SCHOTTKY DIODE
POROUS SILICON
TCO
SOL-GEL
topic DIODO SCHOTTKY
SILICIO POROSO
TCO
SOL-GEL
SCHOTTKY DIODE
POROUS SILICON
TCO
SOL-GEL
dc.description.none.fl_txt_mv En este trabajo se presentan resultados de la caracterización eléctrica y estructural de junturas del tipo Schottky, obtenidas a través de la deposición de SnO2:F sobre silicio poroso, utilizando la vía Sol-Gel como mecanismo de deposición. Parámetros estructurales del SnO2, como el parámetro de red y el tamaño de cristal fueron relacionados con la concentración del dopante. También se analizaron los efectos de este dopante (F) sobre algunas propiedades eléctricas como: la resistencia en serie, factor de idealidad, corriente de saturación inversa y corriente foto generada
In this work we present the electrical and structural characterization of a Schottky junction obtained through the deposition of SnO2:F on porous silicon, using the sol-gel as a deposition method. Two fundamental structural parameters of SnO2, the lattice parameter and the crystallite size, were studied in correlation with the dopant concentration. We analyzed the effects of the dopant (F) on the electrical properties of the junction, such as series resistance, ideality factor, reverse saturation current and photogenerated current.
Fil: Garcés, Felipe Andrés. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Acquaroli, Leandro Nicolás. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Dussán Cuenca, Anderson. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Arce, Roberto Delio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
description En este trabajo se presentan resultados de la caracterización eléctrica y estructural de junturas del tipo Schottky, obtenidas a través de la deposición de SnO2:F sobre silicio poroso, utilizando la vía Sol-Gel como mecanismo de deposición. Parámetros estructurales del SnO2, como el parámetro de red y el tamaño de cristal fueron relacionados con la concentración del dopante. También se analizaron los efectos de este dopante (F) sobre algunas propiedades eléctricas como: la resistencia en serie, factor de idealidad, corriente de saturación inversa y corriente foto generada
publishDate 2010
dc.date.none.fl_str_mv 2010
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v22_n02_p032
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v22_n02_p032
dc.language.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
dc.source.none.fl_str_mv An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2010;02(22):32-36
reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron:UBA-FCEN
reponame_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
collection Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname_str Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron_str UBA-FCEN
institution UBA-FCEN
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
repository.mail.fl_str_mv ana@bl.fcen.uba.ar
_version_ 1846142800349888512
score 12.712165

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