Transitorios en la corriente de túnel en estructuras polySi-SiO₂-Si asociados a la captura-liberación de carga en el aislante

Autores
Redin, Eduardo Gabriel; Miranda, Enrique A.; Faigón, Adrián Néstor
Año de publicación
1996
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
En este trabajo se muestra que un modelo sencillo para la corriente de túnel a través del óxido de puerta en una estructura polySi-SiO₂-Si reproduce fielmente los transitorios de la corriente asociados al fenómeno de atrapamiento-desatrapamiento de carga en el aislante. El mismo se basa en una expresión modificada de la relación de túnel Fowler-Nordheim donde, el campo eléctrico catódico es reemplazado por el campo eléctrico dentro del aislante correspondiente a la energía del nivel de Fermi en el cátodo (Si). El estado de carga del óxido se obtiene a partir del corrimiento de la tensión de bandas planas inducido por la inyección de carga a tensión constante
In this work it is shown a simple model for the tunneling current through the gate oxide of a polySi-SiO2-Si structure that reproduces with great detail the current transitories associated with the charge trapping- detrapping phenomena occurring within the insulator. It is based on a modified Fowler-Nordheim tunneling expression, where the cathode electric field is substituted by the electric field at the insulator corresponding to the cathode Fermi energy (Si). The oxide state of charge is obtained from the flat band voltage shift induced by constant voltage charge injection
Fil: Redin, Eduardo Gabriel. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina
Fil: Miranda, Enrique A.. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina
Fil: Faigón, Adrián Néstor. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1996;01(08):163-165
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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