Generación de estados superficiales en la interface SiON-Si por inyección túnel en transistores PMOS

Autores
Redin, Eduardo Gabriel; Miranda, Enrique A.; Faigón, Adrián Néstor
Año de publicación
1993
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Se investigó la generación de estados superficiales por inyección túnel en la interface aislante-silicio y su distribución energética en función de la carga inyectada y de la polaridad de inyección en transistores PMOS con películas delgadas de dióxido de silicio y oxinitruro de silicio como aislantes de puerta. Comparando los resultados obtenidos, se observó que, para ambas polaridades, la generación de estados superficiales en las muestras nitruradas es menor. Para los dos materiales, el mecanismo de creación de dichos estados resulta ser más efectivo en el caso en que la puerta está polarizada negativamente, es decir cuando los electrones son inyectados en el semiconductor desde la banda de conducción del aislante
Fil: Redin, Eduardo Gabriel. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina
Fil: Miranda, Enrique A.. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina
Fil: Faigón, Adrián Néstor. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1993;01(05):448-451
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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