Transición metal-aislador en los planos CuO₂ de los materiales superconductores de alta Tc

Autores
Torio, María Eugenia; Manuel, Luis Oscar; Gazza, Claudio Javier; Ceccatto, Hermenegildo Alejandro Ramón
Año de publicación
1998
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Estudiamos el modelo de Hubbard de tres bandas como punto de partida para describir la estructura electrónica de los planos CuO₂. Considerando a las interacciones que involucran a los orbitales de O dentro de la aproximación de Hartree-Fock, decimamos cuánticamente a dichos orbitales a fin de obtener un modelo efectivo para los orbitales de Cu. A posteriori, implementamos aproximaciones mediante la técnica de bosones esclavos para tratar la repulsión en los orbitales de Cu. En particular consideramos la transición metal-aislador que sufre este modelo, caracterizando los comportamientos correspondientes a aisladores de Mott y de transferencia de carga. La formulación que presentamos es original y permite el tratamiento de manera análoga a los estudios realizados en la literatura para el modelo de Hubbard de una banda
We have studied the three band Hubbard model in order to describe the electronic structure of the CuO₂ planes. We considered the interactions involving O orbitals in the Hartree-Fock approximation, and obtained by quantum decimation an effective model for Cu orbitals. From then on, we used the slave bosons technique in the treatment of the repulsion term in the Cu orbitals. In particular, we have studied the metal-insulator transition of this model, considering the Mott insulator and charge transfer behaviors. This formulation is original and allows a treatment of the model similar to previous studies in the literature for the one band Hubbard model
Fil: Torio, María Eugenia. Universidad Nacional de Rosario - CONICET. Instituto de Física de Rosario (IFIR). Santa Fe. Argentina
Fil: Manuel, Luis Oscar. Universidad Nacional de Rosario - CONICET. Instituto de Física de Rosario (IFIR). Santa Fe. Argentina
Fil: Gazza, Claudio Javier. Universidad Nacional de Rosario - CONICET. Instituto de Física de Rosario (IFIR). Santa Fe. Argentina
Fil: Ceccatto, Hermenegildo Alejandro Ramón. Universidad Nacional de Rosario - CONICET. Instituto de Física de Rosario (IFIR). Santa Fe. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1998;01(10):253-255
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
OAI Identificador
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spelling Transición metal-aislador en los planos CuO₂ de los materiales superconductores de alta TcTorio, María EugeniaManuel, Luis OscarGazza, Claudio JavierCeccatto, Hermenegildo Alejandro RamónEstudiamos el modelo de Hubbard de tres bandas como punto de partida para describir la estructura electrónica de los planos CuO₂. Considerando a las interacciones que involucran a los orbitales de O dentro de la aproximación de Hartree-Fock, decimamos cuánticamente a dichos orbitales a fin de obtener un modelo efectivo para los orbitales de Cu. A posteriori, implementamos aproximaciones mediante la técnica de bosones esclavos para tratar la repulsión en los orbitales de Cu. En particular consideramos la transición metal-aislador que sufre este modelo, caracterizando los comportamientos correspondientes a aisladores de Mott y de transferencia de carga. La formulación que presentamos es original y permite el tratamiento de manera análoga a los estudios realizados en la literatura para el modelo de Hubbard de una bandaWe have studied the three band Hubbard model in order to describe the electronic structure of the CuO₂ planes. We considered the interactions involving O orbitals in the Hartree-Fock approximation, and obtained by quantum decimation an effective model for Cu orbitals. From then on, we used the slave bosons technique in the treatment of the repulsion term in the Cu orbitals. In particular, we have studied the metal-insulator transition of this model, considering the Mott insulator and charge transfer behaviors. This formulation is original and allows a treatment of the model similar to previous studies in the literature for the one band Hubbard modelFil: Torio, María Eugenia. Universidad Nacional de Rosario - CONICET. Instituto de Física de Rosario (IFIR). Santa Fe. ArgentinaFil: Manuel, Luis Oscar. Universidad Nacional de Rosario - CONICET. Instituto de Física de Rosario (IFIR). Santa Fe. ArgentinaFil: Gazza, Claudio Javier. Universidad Nacional de Rosario - CONICET. Instituto de Física de Rosario (IFIR). Santa Fe. ArgentinaFil: Ceccatto, Hermenegildo Alejandro Ramón. Universidad Nacional de Rosario - CONICET. Instituto de Física de Rosario (IFIR). Santa Fe. ArgentinaAsociación Física Argentina1998info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v10_n01_p253An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1998;01(10):253-255reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesinstacron:UBA-FCENspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar2025-09-29T13:40:33Zafa:afa_v10_n01_p253Institucionalhttps://digital.bl.fcen.uba.ar/Universidad públicaNo correspondehttps://digital.bl.fcen.uba.ar/cgi-bin/oaiserver.cgiana@bl.fcen.uba.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:18962025-09-29 13:40:34.805Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesfalse
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We have studied the three band Hubbard model in order to describe the electronic structure of the CuO₂ planes. We considered the interactions involving O orbitals in the Hartree-Fock approximation, and obtained by quantum decimation an effective model for Cu orbitals. From then on, we used the slave bosons technique in the treatment of the repulsion term in the Cu orbitals. In particular, we have studied the metal-insulator transition of this model, considering the Mott insulator and charge transfer behaviors. This formulation is original and allows a treatment of the model similar to previous studies in the literature for the one band Hubbard model
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