Propiedades armónicas del silicio

• Autores: Koval, Sergio Fabián; Migoni, Ricardo Luis
• Año de publicación: 1993
• Idioma: español castellano
• Tipo de recurso: artículo
• Fuente: An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1993;01(05):384-387
• Institución: Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales

Mostramos que la falla en un trabajo anterior, al describir el corrimiento en frecuencia Δ y el ancho de línea Γ del fonón óptico de centro de zona en silicio, proviene de no haber tenido en cuenta los efectos de la polarizabilidad electrónica de los iones en el tratamiento perturbativo de las interacciones anarmónicas en un modelo de capas. Dicho modelo incluye interacciones anarmónicas cúbicas entre las capas electrónicas de átomos primeros vecinos. Aplicamos una teoría perturbativa que desarrollamos previamente, en la cual se tiene adecuadamente en cuenta la polarización adiabática de las capas electrónicas. Obtenemos Δ y Γ como funciones de la temperatura en buen acuerdo con los datos experimentales
We show that a previous failure to describe the frecuency shift Δ and the linewidth Γ of the optical zone center mode in Silicon, arises from the neglect of the electronic polarizability effects in the perturbative treatment of a shell model, which includes cubic anharmonic interactions between nearest neighbour atomic shells. By using an anharmonic perturbative development which takes properly into account the adiabatic constraints for the shell polarization, we obtain Δ and Γ as functions of temperature in good agreement with experimental data
Fil: Koval, Sergio Fabián. Universidad Nacional de Rosario - CONICET. Instituto de Física de Rosario (IFIR). Santa Fe. Argentina
Fil: Migoni, Ricardo Luis. Universidad Nacional de Rosario - CONICET. Instituto de Física de Rosario (IFIR). Santa Fe. Argentina