Estudio de la cinética de oxidación de GaAs(100) a presión atmosférica mediante Espectroscopia de Electrones Auger

Autores
Passeggi, Mario César Guillermo; Koropecki, Roberto Román; Ferrón, Julio; Molinas, Bernardo; Guadalupi, Giuseppe Marcello
Año de publicación
1997
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
En este trabajo se estudia a través de Espectroscopía de Electrones Auger (EEA) y de perfiles de concentraciones en profundidad por bombardeo con iones de Arᶧ, la evolución de una muestra de GaAs(100) tipo "Epi-ready” a presión atmosférica. Además, con propósitos comparativos se estudia la evolución de muestras de GaAs(100) preparadas bajo dos procesos conocidos de pre-tratamiento químico. Los resultados muestran que la señal de oxígeno para la superficie "Epi-ready" evoluciona durante un tiempo de 5 meses. El incremento en la intensidad de la señal de oxígeno va acompañado por un corrimiento de un frente de oxidación a medida que se incrementa la exposición. Este comportamiento puede observarse mediante indicadores obtenidos a partir del estudio de la forma de línea de los espectros Auger de baja energía de GaAs. Por otro lado, la muestra “Epi-ready" presenta una capa de óxido superficial previo a la exposición al aire, y las muestras pre-tratadas muestran en la superficie una señal intensa de As
The tendency of GaAs surface preparation for electronic purposes is currently the construction of "Epi-ready" surfaces. These surfaces are thought to be used for epitaxial growth without any pre- treatment before deposition. However, it is found that these surfaces evolve in time, having then limited life. In this work we study, through Auger electron spectroscopy and Art ion depth profiling the time evolution in air of a GaAs(100) "Epi-ready" wafer. For comparison purposes we also study the evolution of a couple of GaAs(100) surfaces prepared under usual chemical pre-treatments. Our results show that the oxygen signal near the surface, for the "Epi-ready" one, evolves during times as long as 5 months. The increase of the oxygen signal is accompanied by the shift of an oxidation front as the air exposure increases. This behaviour can be observed from indicators obtained through the study of the low energy Auger line shape spectra. On the other hand, the "Epi-ready” sample shows, previous to the air exposure, a surface oxide layer, and the etched samples show a larger As signal at the surface
Fil: Passeggi, Mario César Guillermo. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Ferrón, Julio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Molinas, Bernardo. Centro Ricerche Venezia-Enirisorse Spa. Porto Marghera. Italia
Fil: Guadalupi, Giuseppe Marcello. Centro Ricerche Venezia-Enirisorse Spa. Porto Marghera. Italia
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1997;01(09):235-240
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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The tendency of GaAs surface preparation for electronic purposes is currently the construction of "Epi-ready" surfaces. These surfaces are thought to be used for epitaxial growth without any pre- treatment before deposition. However, it is found that these surfaces evolve in time, having then limited life. In this work we study, through Auger electron spectroscopy and Art ion depth profiling the time evolution in air of a GaAs(100) "Epi-ready" wafer. For comparison purposes we also study the evolution of a couple of GaAs(100) surfaces prepared under usual chemical pre-treatments. Our results show that the oxygen signal near the surface, for the "Epi-ready" one, evolves during times as long as 5 months. The increase of the oxygen signal is accompanied by the shift of an oxidation front as the air exposure increases. This behaviour can be observed from indicators obtained through the study of the low energy Auger line shape spectra. On the other hand, the "Epi-ready” sample shows, previous to the air exposure, a surface oxide layer, and the etched samples show a larger As signal at the surface
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