Estructura electrónica de óxidos de GaAs

Autores
Albanesi, Eduardo Aldo; Sferco, Silvano Juan; Allan, Guy; Lannoo, Michel; Hollinger, Guy
Año de publicación
1991
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Se analiza la estructura electrónica de los óxidos GaAsO₄, As₂O₅, y Ga₂O₃. Se presentan resultados experimentales de fotoemisión (XPS) de la densidad de estados (DOS) de banda de valencia para cada uno de los sistemas, y se comparan con cálculos teóricos de la DOS obtenidos a partir del cómputo de las respectivas estructuras de bandas utilizando un método tight-binding. Se identifican los estados atómicos que contribuyen a cada pico experimental y se correlacionan las diferencias estructurales entre estos óxidos con los diferentes rasgos experimentales exhibidos en los espectros XPS
Fil: Albanesi, Eduardo Aldo. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Sferco, Silvano Juan. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Allan, Guy. ISEN. Cedex. Francia
Fil: Lannoo, Michel. ISEN. Cedex. Francia
Fil: Hollinger, Guy. École Centrale de Lyon. Cedex. Francia
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1991;01(03):367-370
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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