Segregación en el Hg₁₋ₓCdₓTe obtenido por el método de Bridgman
- Autores
- Trigubó, A. B.; Cabezas, Marcelo Daniel; Walsöe de Reca, N. E.
- Año de publicación
- 1993
- Idioma
- español castellano
- Tipo de recurso
- artículo
- Estado
- versión publicada
- Descripción
- Se estudió la distribución de la composición longitudinal y radial en lingotes de Hg₁₋ₓCdₓTe (MCT) crecido por el método de Bridgman a diferentes velocidades y con distintos tratamientos térmicos, con el objeto de obtener las condiciones de crecimiento óptimas que determinen el mayor volumen del lingote monocristalino con concentración próxima a x = 0,2. Esta composición corresponde al MCT empleable en detectores sensibles al rango de longitudes de onda entre 8 y 14 mm correspondiente a la segunda ventana atmosférica. En el ajuste de esas condiciones se tuvo en cuenta también la calidad cristalina, tamaño de subgrano y desorientación de los mismos, dado que la presencia de bordes de subgrano formado por dislocaciones alineadas altera, en general, las propiedades eléctricas de este material
The axial and radial distribution of chemical composition was studied in Hg₁₋ₓCdₓTe (MCT) single crystalline lingots which were grown by the Bridgman method employing different growth rates and thermal annealings. The optimal growing conditions were chosen in order to obtain the largest single crystalline volume of ingots with a chemical composition x = 0,2, thus enabling the resulting MCT to be employed in infrared detectors for the second atmospheric window (8 - 14 mm). The evaluation of growing conditions took into account not only the composition but the crystalline quality, subgrain size and misorientation among subgrains separated by tilit limits of aligned dislocations, able to damage the electrical properties of the semiconductor
Fil: Trigubó, A. B.. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina
Fil: Cabezas, Marcelo Daniel. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina
Fil: Walsöe de Reca, N. E.. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina - Fuente
- An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1993;01(05):434-437
- Nivel de accesibilidad
- acceso abierto
- Condiciones de uso
- https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
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- Institución
- Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
- OAI Identificador
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Segregación en el Hg₁₋ₓCdₓTe obtenido por el método de BridgmanTrigubó, A. B.Cabezas, Marcelo DanielWalsöe de Reca, N. E.Se estudió la distribución de la composición longitudinal y radial en lingotes de Hg₁₋ₓCdₓTe (MCT) crecido por el método de Bridgman a diferentes velocidades y con distintos tratamientos térmicos, con el objeto de obtener las condiciones de crecimiento óptimas que determinen el mayor volumen del lingote monocristalino con concentración próxima a x = 0,2. Esta composición corresponde al MCT empleable en detectores sensibles al rango de longitudes de onda entre 8 y 14 mm correspondiente a la segunda ventana atmosférica. En el ajuste de esas condiciones se tuvo en cuenta también la calidad cristalina, tamaño de subgrano y desorientación de los mismos, dado que la presencia de bordes de subgrano formado por dislocaciones alineadas altera, en general, las propiedades eléctricas de este materialThe axial and radial distribution of chemical composition was studied in Hg₁₋ₓCdₓTe (MCT) single crystalline lingots which were grown by the Bridgman method employing different growth rates and thermal annealings. The optimal growing conditions were chosen in order to obtain the largest single crystalline volume of ingots with a chemical composition x = 0,2, thus enabling the resulting MCT to be employed in infrared detectors for the second atmospheric window (8 - 14 mm). The evaluation of growing conditions took into account not only the composition but the crystalline quality, subgrain size and misorientation among subgrains separated by tilit limits of aligned dislocations, able to damage the electrical properties of the semiconductorFil: Trigubó, A. B.. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. ArgentinaFil: Cabezas, Marcelo Daniel. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. ArgentinaFil: Walsöe de Reca, N. E.. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. ArgentinaAsociación Física Argentina1993info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p434An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1993;01(05):434-437reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesinstacron:UBA-FCENspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar2025-10-30T11:18:08Zafa:afa_v05_n01_p434Institucionalhttps://digital.bl.fcen.uba.ar/Universidad públicaNo correspondehttps://digital.bl.fcen.uba.ar/cgi-bin/oaiserver.cgiana@bl.fcen.uba.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:18962025-10-30 11:18:09.677Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesfalse |
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