Espectroscopía de transitorios de vaciado de niveles profundos ensanchados en CdTe

Autores
Meyer, Gabriel Omar
Año de publicación
1993
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
La presencia de impurezas, defectos y/o tensiones es la responsable de la existencia de niveles profundos en el gap de los semiconductores. Cuando existe una elevada concentración de ellos, su interacción mutua puede producir el ensanchamiento de dichos niveles con la consecuente formación de una banda. Presentamos un estudio de mediciones de espectroscopía de transitorios de vaciado de niveles profundos (DLTS) en niveles engrosados en forma gaussiana, ubicados en el gap de CdTe. Las simulaciones de mediciones de DL TS predicen: transitorios no-exponenciales, corrimientos y deformaciones de los espectros de DL TS, valores de energías de activación menores que el centro de la banda y estimaciones de secciones eficaces de captura superiores a la dada. Ejemplificamos presentando el resultado de una medición real de una trampa generada por el dopado de CdTe con cloro
Fil: Meyer, Gabriel Omar. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche (CNEA-CAB). Río Negro. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1993;01(05):452-456
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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Acceder
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