Espectroscopía de transitorios de vaciado de niveles profundos ensanchados en CdTe

Autores
Meyer, Gabriel Omar
Año de publicación
1993
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
La presencia de impurezas, defectos y/o tensiones es la responsable de la existencia de niveles profundos en el gap de los semiconductores. Cuando existe una elevada concentración de ellos, su interacción mutua puede producir el ensanchamiento de dichos niveles con la consecuente formación de una banda. Presentamos un estudio de mediciones de espectroscopía de transitorios de vaciado de niveles profundos (DLTS) en niveles engrosados en forma gaussiana, ubicados en el gap de CdTe. Las simulaciones de mediciones de DL TS predicen: transitorios no-exponenciales, corrimientos y deformaciones de los espectros de DL TS, valores de energías de activación menores que el centro de la banda y estimaciones de secciones eficaces de captura superiores a la dada. Ejemplificamos presentando el resultado de una medición real de una trampa generada por el dopado de CdTe con cloro
Fil: Meyer, Gabriel Omar. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche (CNEA-CAB). Río Negro. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1993;01(05):452-456
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
OAI Identificador
afa:afa_v05_n01_p452
Acceder
id BDUBAFCEN_c0c33d6f1638cf5ee5d78ac13e171757
oai_identifier_str afa:afa_v05_n01_p452
network_acronym_str BDUBAFCEN
repository_id_str 1896
network_name_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
spelling Espectroscopía de transitorios de vaciado de niveles profundos ensanchados en CdTeMeyer, Gabriel OmarLa presencia de impurezas, defectos y/o tensiones es la responsable de la existencia de niveles profundos en el gap de los semiconductores. Cuando existe una elevada concentración de ellos, su interacción mutua puede producir el ensanchamiento de dichos niveles con la consecuente formación de una banda. Presentamos un estudio de mediciones de espectroscopía de transitorios de vaciado de niveles profundos (DLTS) en niveles engrosados en forma gaussiana, ubicados en el gap de CdTe. Las simulaciones de mediciones de DL TS predicen: transitorios no-exponenciales, corrimientos y deformaciones de los espectros de DL TS, valores de energías de activación menores que el centro de la banda y estimaciones de secciones eficaces de captura superiores a la dada. Ejemplificamos presentando el resultado de una medición real de una trampa generada por el dopado de CdTe con cloroFil: Meyer, Gabriel Omar. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche (CNEA-CAB). Río Negro. ArgentinaAsociación Física Argentina1993info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p452An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1993;01(05):452-456reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesinstacron:UBA-FCENspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar2025-10-23T11:16:04Zafa:afa_v05_n01_p452Institucionalhttps://digital.bl.fcen.uba.ar/Universidad públicaNo correspondehttps://digital.bl.fcen.uba.ar/cgi-bin/oaiserver.cgiana@bl.fcen.uba.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:18962025-10-23 11:16:05.016Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesfalse
dc.title.none.fl_str_mv Espectroscopía de transitorios de vaciado de niveles profundos ensanchados en CdTe
title Espectroscopía de transitorios de vaciado de niveles profundos ensanchados en CdTe
spellingShingle Espectroscopía de transitorios de vaciado de niveles profundos ensanchados en CdTe
Meyer, Gabriel Omar
title_short Espectroscopía de transitorios de vaciado de niveles profundos ensanchados en CdTe
title_full Espectroscopía de transitorios de vaciado de niveles profundos ensanchados en CdTe
title_fullStr Espectroscopía de transitorios de vaciado de niveles profundos ensanchados en CdTe
title_full_unstemmed Espectroscopía de transitorios de vaciado de niveles profundos ensanchados en CdTe
title_sort Espectroscopía de transitorios de vaciado de niveles profundos ensanchados en CdTe
dc.creator.none.fl_str_mv Meyer, Gabriel Omar
author Meyer, Gabriel Omar
author_facet Meyer, Gabriel Omar
author_role author
dc.description.none.fl_txt_mv La presencia de impurezas, defectos y/o tensiones es la responsable de la existencia de niveles profundos en el gap de los semiconductores. Cuando existe una elevada concentración de ellos, su interacción mutua puede producir el ensanchamiento de dichos niveles con la consecuente formación de una banda. Presentamos un estudio de mediciones de espectroscopía de transitorios de vaciado de niveles profundos (DLTS) en niveles engrosados en forma gaussiana, ubicados en el gap de CdTe. Las simulaciones de mediciones de DL TS predicen: transitorios no-exponenciales, corrimientos y deformaciones de los espectros de DL TS, valores de energías de activación menores que el centro de la banda y estimaciones de secciones eficaces de captura superiores a la dada. Ejemplificamos presentando el resultado de una medición real de una trampa generada por el dopado de CdTe con cloro
Fil: Meyer, Gabriel Omar. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche (CNEA-CAB). Río Negro. Argentina
description La presencia de impurezas, defectos y/o tensiones es la responsable de la existencia de niveles profundos en el gap de los semiconductores. Cuando existe una elevada concentración de ellos, su interacción mutua puede producir el ensanchamiento de dichos niveles con la consecuente formación de una banda. Presentamos un estudio de mediciones de espectroscopía de transitorios de vaciado de niveles profundos (DLTS) en niveles engrosados en forma gaussiana, ubicados en el gap de CdTe. Las simulaciones de mediciones de DL TS predicen: transitorios no-exponenciales, corrimientos y deformaciones de los espectros de DL TS, valores de energías de activación menores que el centro de la banda y estimaciones de secciones eficaces de captura superiores a la dada. Ejemplificamos presentando el resultado de una medición real de una trampa generada por el dopado de CdTe con cloro
publishDate 1993
dc.date.none.fl_str_mv 1993
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p452
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p452
dc.language.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
dc.source.none.fl_str_mv An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1993;01(05):452-456
reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron:UBA-FCEN
reponame_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
collection Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname_str Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron_str UBA-FCEN
institution UBA-FCEN
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
repository.mail.fl_str_mv ana@bl.fcen.uba.ar
_version_ 1846784833764720640
score 12.982451

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