Modelo para la explicación de características C-V anómalas en celdas de CdS/CdTe

Autores
Meyer, Gabriel Omar; Schujman, S.
Año de publicación
1993
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Mediciones de la característica C-V de celdas solares del tipo SnO₂/CdS/CdTe/grafito mostraron una dependencia anómala de la capacidad en función de la tensión de polarización inversa del dispositivo. Esencialmente se observó un aumento de C con V que no puede ser explicado por el comportamiento de la unión CdS/CdTe únicamente. Basado en el diagrama de bandas asociado a la celda, proponemos una explicación que considera la existencia de una capacidad asociada a la barrera que existe entre el absorbente y su contacto. Consecuentemente, la dependencia de la capacidad resultante con la polarización del dispositivo es un compromiso entre los comportamientos opuestos de las barreras CdS/CdTe y CdTe/grafito. Efectuamos ajustes de la característica C-V utilizando las densidades de portadores, el área de unión efectiva y el potencial de difusión de la unión CdTe/grafito como variables, repitiendo satisfactoriamente el comportamiento observado. El modelo presentado predice elevadas concentraciones de portadores en la cercanía a ambas interfases, siendo mayores en la de generación fotovoltaica.
Fil: Meyer, Gabriel Omar. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche (CNEA-CAB). Río Negro. Argentina
Fil: Schujman, S.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche (CNEA-CAB). Río Negro. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1993;01(05):457-461
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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Acceder
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