Modelo para la explicación de características C-V anómalas en celdas de CdS/CdTe

Autores
Meyer, Gabriel Omar; Schujman, S.
Año de publicación
1993
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Mediciones de la característica C-V de celdas solares del tipo SnO₂/CdS/CdTe/grafito mostraron una dependencia anómala de la capacidad en función de la tensión de polarización inversa del dispositivo. Esencialmente se observó un aumento de C con V que no puede ser explicado por el comportamiento de la unión CdS/CdTe únicamente. Basado en el diagrama de bandas asociado a la celda, proponemos una explicación que considera la existencia de una capacidad asociada a la barrera que existe entre el absorbente y su contacto. Consecuentemente, la dependencia de la capacidad resultante con la polarización del dispositivo es un compromiso entre los comportamientos opuestos de las barreras CdS/CdTe y CdTe/grafito. Efectuamos ajustes de la característica C-V utilizando las densidades de portadores, el área de unión efectiva y el potencial de difusión de la unión CdTe/grafito como variables, repitiendo satisfactoriamente el comportamiento observado. El modelo presentado predice elevadas concentraciones de portadores en la cercanía a ambas interfases, siendo mayores en la de generación fotovoltaica.
Fil: Meyer, Gabriel Omar. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche (CNEA-CAB). Río Negro. Argentina
Fil: Schujman, S.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche (CNEA-CAB). Río Negro. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1993;01(05):457-461
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
OAI Identificador
afa:afa_v05_n01_p457
Acceder
id BDUBAFCEN_6522d7bebc7e504f6adbdbd6e8aed672
oai_identifier_str afa:afa_v05_n01_p457
network_acronym_str BDUBAFCEN
repository_id_str 1896
network_name_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
spelling Modelo para la explicación de características C-V anómalas en celdas de CdS/CdTeMeyer, Gabriel OmarSchujman, S.Mediciones de la característica C-V de celdas solares del tipo SnO₂/CdS/CdTe/grafito mostraron una dependencia anómala de la capacidad en función de la tensión de polarización inversa del dispositivo. Esencialmente se observó un aumento de C con V que no puede ser explicado por el comportamiento de la unión CdS/CdTe únicamente. Basado en el diagrama de bandas asociado a la celda, proponemos una explicación que considera la existencia de una capacidad asociada a la barrera que existe entre el absorbente y su contacto. Consecuentemente, la dependencia de la capacidad resultante con la polarización del dispositivo es un compromiso entre los comportamientos opuestos de las barreras CdS/CdTe y CdTe/grafito. Efectuamos ajustes de la característica C-V utilizando las densidades de portadores, el área de unión efectiva y el potencial de difusión de la unión CdTe/grafito como variables, repitiendo satisfactoriamente el comportamiento observado. El modelo presentado predice elevadas concentraciones de portadores en la cercanía a ambas interfases, siendo mayores en la de generación fotovoltaica.Fil: Meyer, Gabriel Omar. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche (CNEA-CAB). Río Negro. ArgentinaFil: Schujman, S.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche (CNEA-CAB). Río Negro. ArgentinaAsociación Física Argentina1993info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p457An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1993;01(05):457-461reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesinstacron:UBA-FCENspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar2025-10-23T11:15:51Zafa:afa_v05_n01_p457Institucionalhttps://digital.bl.fcen.uba.ar/Universidad públicaNo correspondehttps://digital.bl.fcen.uba.ar/cgi-bin/oaiserver.cgiana@bl.fcen.uba.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:18962025-10-23 11:15:52.191Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesfalse
dc.title.none.fl_str_mv Modelo para la explicación de características C-V anómalas en celdas de CdS/CdTe
title Modelo para la explicación de características C-V anómalas en celdas de CdS/CdTe
spellingShingle Modelo para la explicación de características C-V anómalas en celdas de CdS/CdTe
Meyer, Gabriel Omar
title_short Modelo para la explicación de características C-V anómalas en celdas de CdS/CdTe
title_full Modelo para la explicación de características C-V anómalas en celdas de CdS/CdTe
title_fullStr Modelo para la explicación de características C-V anómalas en celdas de CdS/CdTe
title_full_unstemmed Modelo para la explicación de características C-V anómalas en celdas de CdS/CdTe
title_sort Modelo para la explicación de características C-V anómalas en celdas de CdS/CdTe
dc.creator.none.fl_str_mv Meyer, Gabriel Omar
Schujman, S.
author Meyer, Gabriel Omar
author_facet Meyer, Gabriel Omar
Schujman, S.
author_role author
author2 Schujman, S.
author2_role author
dc.description.none.fl_txt_mv Mediciones de la característica C-V de celdas solares del tipo SnO₂/CdS/CdTe/grafito mostraron una dependencia anómala de la capacidad en función de la tensión de polarización inversa del dispositivo. Esencialmente se observó un aumento de C con V que no puede ser explicado por el comportamiento de la unión CdS/CdTe únicamente. Basado en el diagrama de bandas asociado a la celda, proponemos una explicación que considera la existencia de una capacidad asociada a la barrera que existe entre el absorbente y su contacto. Consecuentemente, la dependencia de la capacidad resultante con la polarización del dispositivo es un compromiso entre los comportamientos opuestos de las barreras CdS/CdTe y CdTe/grafito. Efectuamos ajustes de la característica C-V utilizando las densidades de portadores, el área de unión efectiva y el potencial de difusión de la unión CdTe/grafito como variables, repitiendo satisfactoriamente el comportamiento observado. El modelo presentado predice elevadas concentraciones de portadores en la cercanía a ambas interfases, siendo mayores en la de generación fotovoltaica.
Fil: Meyer, Gabriel Omar. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche (CNEA-CAB). Río Negro. Argentina
Fil: Schujman, S.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche (CNEA-CAB). Río Negro. Argentina
description Mediciones de la característica C-V de celdas solares del tipo SnO₂/CdS/CdTe/grafito mostraron una dependencia anómala de la capacidad en función de la tensión de polarización inversa del dispositivo. Esencialmente se observó un aumento de C con V que no puede ser explicado por el comportamiento de la unión CdS/CdTe únicamente. Basado en el diagrama de bandas asociado a la celda, proponemos una explicación que considera la existencia de una capacidad asociada a la barrera que existe entre el absorbente y su contacto. Consecuentemente, la dependencia de la capacidad resultante con la polarización del dispositivo es un compromiso entre los comportamientos opuestos de las barreras CdS/CdTe y CdTe/grafito. Efectuamos ajustes de la característica C-V utilizando las densidades de portadores, el área de unión efectiva y el potencial de difusión de la unión CdTe/grafito como variables, repitiendo satisfactoriamente el comportamiento observado. El modelo presentado predice elevadas concentraciones de portadores en la cercanía a ambas interfases, siendo mayores en la de generación fotovoltaica.
publishDate 1993
dc.date.none.fl_str_mv 1993
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p457
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p457
dc.language.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
dc.source.none.fl_str_mv An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1993;01(05):457-461
reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron:UBA-FCEN
reponame_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
collection Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname_str Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron_str UBA-FCEN
institution UBA-FCEN
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
repository.mail.fl_str_mv ana@bl.fcen.uba.ar
_version_ 1846784829190832128
score 12.982451

Publicaciones similares