Interacciones hiperfinas de ¹¹¹Cd en monocristales de InSe

Autores
Shitu, Jorge Alejandro; Damonte, Laura Cristina; Mendoza Zélis, Luis Alejandro; Pasquevich, Alberto Felipe; Sánchez, Francisco Homero
Año de publicación
1993
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
El semiconductor InSe es un material de interés tecnológico debido a las propiedades de "switching" qué posee. En orden a investigar la relación entre esta propiedad macroscópica y las interacciones hiperfinas de impurezas aceptoras de Cd, se llevaron a cabo determinaciones de Ias interacciones cuadrupolares eléctricas de impurezas de ¹¹¹Cd en muestras mono y policristalinas de InSe, utilizando como técnica experimental las Correlaciones Angulares Perturbadas. Se comparan los resultados obtenidos experimentalmente con cálculos teóricos realizados usando un modelo de cargas puntuales
Fil: Shitu, Jorge Alejandro. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Departamento de Física (UNLP-FCE). Buenos Aires. Argentina
Fil: Damonte, Laura Cristina. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Departamento de Física (UNLP-FCE). Buenos Aires. Argentina
Fil: Mendoza Zélis, Luis Alejandro. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Departamento de Física (UNLP-FCE). Buenos Aires. Argentina
Fil: Pasquevich, Alberto Felipe. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Departamento de Física (UNLP-FCE). Buenos Aires. Argentina
Fil: Sánchez, Francisco Homero. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Departamento de Física (UNLP-FCE). Buenos Aires. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1993;01(05):340-343
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
OAI Identificador
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