Modelado de curvas corriente tensión a obscuras en celdas solares de silicio amorfo hidrogenado

Autores
Sturiale, Alejandro Ernesto; Rubinelli, Francisco Alberto
Año de publicación
2006
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
El rendimiento de las celdas solares p-i-n de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) depende de la densidad de estados de la capa intrínseca, la cinética de recombinación y la movilidad de los portadores, como así también de las propiedades de las interfaces. La interpretación de las curvas características de una celda solar requiere del análisis computacional debido a la complejidad inherente de las estructuras. Luego de calibrar los parámetros de nuestro programa D-AMPS ajustando curvas experimentales de celdas solares de silicio amorfo hidrogenado de diferentes espesores, utilizamos el código como herramienta para intentar extraer información sobre la distribución de la densidad de enlaces colgantes (EC) presente en la capa intrínseca de los dispositivos p-i-n. La densidad de estados se puede describir en a-Si:H con el modelo convencional (UDM) donde la densidad de EC se supone uniforme en cada capa o utilizando el modelo de ‘’Defect Pool’’ (DPM) que propone en la capa intrínseca una densidad de EC que depende con la posición del nivel de Fermi, es decir no uniforme. Estudiando con D-AMPS los curvas corriente – tensión medidas a obscuras por J. Deng y sus colaboradores, donde varían la banda prohibida de la capa intrínseca y de la interfaz p/i encontramos nuevas evidencias a favor del modelo de DPM
Fil: Sturiale, Alejandro Ernesto. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Rubinelli, Francisco Alberto. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2006;01(18):252-255
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
OAI Identificador
afa:afa_v18_n01_p252

id BDUBAFCEN_9ca803eef49b182c7b4597ddc1d5ddef
oai_identifier_str afa:afa_v18_n01_p252
network_acronym_str BDUBAFCEN
repository_id_str 1896
network_name_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
spelling Modelado de curvas corriente tensión a obscuras en celdas solares de silicio amorfo hidrogenadoSturiale, Alejandro ErnestoRubinelli, Francisco AlbertoEl rendimiento de las celdas solares p-i-n de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) depende de la densidad de estados de la capa intrínseca, la cinética de recombinación y la movilidad de los portadores, como así también de las propiedades de las interfaces. La interpretación de las curvas características de una celda solar requiere del análisis computacional debido a la complejidad inherente de las estructuras. Luego de calibrar los parámetros de nuestro programa D-AMPS ajustando curvas experimentales de celdas solares de silicio amorfo hidrogenado de diferentes espesores, utilizamos el código como herramienta para intentar extraer información sobre la distribución de la densidad de enlaces colgantes (EC) presente en la capa intrínseca de los dispositivos p-i-n. La densidad de estados se puede describir en a-Si:H con el modelo convencional (UDM) donde la densidad de EC se supone uniforme en cada capa o utilizando el modelo de ‘’Defect Pool’’ (DPM) que propone en la capa intrínseca una densidad de EC que depende con la posición del nivel de Fermi, es decir no uniforme. Estudiando con D-AMPS los curvas corriente – tensión medidas a obscuras por J. Deng y sus colaboradores, donde varían la banda prohibida de la capa intrínseca y de la interfaz p/i encontramos nuevas evidencias a favor del modelo de DPMFil: Sturiale, Alejandro Ernesto. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaFil: Rubinelli, Francisco Alberto. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaAsociación Física Argentina2006info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v18_n01_p252An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2006;01(18):252-255reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesinstacron:UBA-FCENspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar2026-04-16T09:45:31Zafa:afa_v18_n01_p252Institucionalhttps://digital.bl.fcen.uba.ar/Universidad públicaNo correspondehttps://digital.bl.fcen.uba.ar/cgi-bin/oaiserver.cgiana@bl.fcen.uba.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:18962026-04-16 09:45:33.27Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesfalse
dc.title.none.fl_str_mv Modelado de curvas corriente tensión a obscuras en celdas solares de silicio amorfo hidrogenado
title Modelado de curvas corriente tensión a obscuras en celdas solares de silicio amorfo hidrogenado
spellingShingle Modelado de curvas corriente tensión a obscuras en celdas solares de silicio amorfo hidrogenado
Sturiale, Alejandro Ernesto
title_short Modelado de curvas corriente tensión a obscuras en celdas solares de silicio amorfo hidrogenado
title_full Modelado de curvas corriente tensión a obscuras en celdas solares de silicio amorfo hidrogenado
title_fullStr Modelado de curvas corriente tensión a obscuras en celdas solares de silicio amorfo hidrogenado
title_full_unstemmed Modelado de curvas corriente tensión a obscuras en celdas solares de silicio amorfo hidrogenado
title_sort Modelado de curvas corriente tensión a obscuras en celdas solares de silicio amorfo hidrogenado
dc.creator.none.fl_str_mv Sturiale, Alejandro Ernesto
Rubinelli, Francisco Alberto
author Sturiale, Alejandro Ernesto
author_facet Sturiale, Alejandro Ernesto
Rubinelli, Francisco Alberto
author_role author
author2 Rubinelli, Francisco Alberto
author2_role author
dc.description.none.fl_txt_mv El rendimiento de las celdas solares p-i-n de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) depende de la densidad de estados de la capa intrínseca, la cinética de recombinación y la movilidad de los portadores, como así también de las propiedades de las interfaces. La interpretación de las curvas características de una celda solar requiere del análisis computacional debido a la complejidad inherente de las estructuras. Luego de calibrar los parámetros de nuestro programa D-AMPS ajustando curvas experimentales de celdas solares de silicio amorfo hidrogenado de diferentes espesores, utilizamos el código como herramienta para intentar extraer información sobre la distribución de la densidad de enlaces colgantes (EC) presente en la capa intrínseca de los dispositivos p-i-n. La densidad de estados se puede describir en a-Si:H con el modelo convencional (UDM) donde la densidad de EC se supone uniforme en cada capa o utilizando el modelo de ‘’Defect Pool’’ (DPM) que propone en la capa intrínseca una densidad de EC que depende con la posición del nivel de Fermi, es decir no uniforme. Estudiando con D-AMPS los curvas corriente – tensión medidas a obscuras por J. Deng y sus colaboradores, donde varían la banda prohibida de la capa intrínseca y de la interfaz p/i encontramos nuevas evidencias a favor del modelo de DPM
Fil: Sturiale, Alejandro Ernesto. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Rubinelli, Francisco Alberto. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
description El rendimiento de las celdas solares p-i-n de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) depende de la densidad de estados de la capa intrínseca, la cinética de recombinación y la movilidad de los portadores, como así también de las propiedades de las interfaces. La interpretación de las curvas características de una celda solar requiere del análisis computacional debido a la complejidad inherente de las estructuras. Luego de calibrar los parámetros de nuestro programa D-AMPS ajustando curvas experimentales de celdas solares de silicio amorfo hidrogenado de diferentes espesores, utilizamos el código como herramienta para intentar extraer información sobre la distribución de la densidad de enlaces colgantes (EC) presente en la capa intrínseca de los dispositivos p-i-n. La densidad de estados se puede describir en a-Si:H con el modelo convencional (UDM) donde la densidad de EC se supone uniforme en cada capa o utilizando el modelo de ‘’Defect Pool’’ (DPM) que propone en la capa intrínseca una densidad de EC que depende con la posición del nivel de Fermi, es decir no uniforme. Estudiando con D-AMPS los curvas corriente – tensión medidas a obscuras por J. Deng y sus colaboradores, donde varían la banda prohibida de la capa intrínseca y de la interfaz p/i encontramos nuevas evidencias a favor del modelo de DPM
publishDate 2006
dc.date.none.fl_str_mv 2006
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v18_n01_p252
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v18_n01_p252
dc.language.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
dc.source.none.fl_str_mv An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2006;01(18):252-255
reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron:UBA-FCEN
reponame_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
collection Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname_str Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron_str UBA-FCEN
institution UBA-FCEN
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
repository.mail.fl_str_mv ana@bl.fcen.uba.ar
_version_ 1862634663082721280
score 12.692636