Estudio de dispositivos semiconductores expuestos a la radiación espacial

Autores
Domingo Yagüez, Gustavo; Villarraza, Diego N.; Cappelletti, Marcelo Angel; Cédola, Ariel Pablo; Peltzer y Blancá, Eitel Leopoldo
Año de publicación
2003
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
El presente trabajo apuntó a estudiar procesos físicos que ocurren en dispositivos electrónicos sometidos a radiaciones espaciales. Por medio de algoritmos numéricos se realizó el modelado y la simulación de los dispositivos electrónicos. La descripción del comportamiento de estos dispositivos se logra mediante la resolución, en forma numérica, de las ecuaciones de Poisson y de continuidad en forma acoplada. Los efectos de la radiación tenidos en cuenta en este trabajo son los daños por desplazamiento de los átomos, lo que produce una disminución de la vida media de los portadores. Algunos de los resultados obtenidos pudieron ser comparados con mediciones experimentales, encontrándose una muy buena concordancia entre ambos, y corroborando la validez del modelo utilizado
The present work aims at the study of physical processes that take place in electronic devices subjected to spatial radiation. The modelling and simulation of electronic devices is done by means of numerical algorithms. By using the coupled Poisson and Continuity equation we have obtained the description of the behaviour of electronics devices numerically. The effects of the radiation accounted in the present work are the damages for atomic displacements which produce a decrease in the lifetime of the carriers. Some of the results obtained were compared with experimental measures, therefore obtaining a nearly exact agreement between both of them, and corroborating the validity of the model used
Fil: Domingo Yagüez, Gustavo. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ingeniería. Departamento de Electrotecnia (UNLP-FI-GEMyDE). Buenos Aires. Argentina
Fil: Villarraza, Diego N.. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ingeniería. Departamento de Electrotecnia (UNLP-FI-GEMyDE). Buenos Aires. Argentina
Fil: Cappelletti, Marcelo Angel. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ingeniería. Departamento de Electrotecnia (UNLP-FI-GEMyDE). Buenos Aires. Argentina
Fil: Cédola, Ariel Pablo. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ingeniería. Departamento de Electrotecnia (UNLP-FI-GEMyDE). Buenos Aires. Argentina
Fil: Peltzer y Blancá, Eitel Leopoldo. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ingeniería. Departamento de Electrotecnia (UNLP-FI-GEMyDE). Buenos Aires. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2003;01(15):202-206
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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The present work aims at the study of physical processes that take place in electronic devices subjected to spatial radiation. The modelling and simulation of electronic devices is done by means of numerical algorithms. By using the coupled Poisson and Continuity equation we have obtained the description of the behaviour of electronics devices numerically. The effects of the radiation accounted in the present work are the damages for atomic displacements which produce a decrease in the lifetime of the carriers. Some of the results obtained were compared with experimental measures, therefore obtaining a nearly exact agreement between both of them, and corroborating the validity of the model used
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